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公开(公告)号：CN115939098A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210793024.1
申请日：2022-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01B1/04
Abstract: 一种半导体装置，包括；有源区，其由衬底上的隔离膜限定；字线，其位于衬底中，该字线在第一方向上延伸并且与有源区交叉；位线，其位于字线上方并且在第二方向上延伸；接触件，其位于在第一方向上相邻的位线之间，该接触件连接有源区并在竖直方向上延伸；以及接触件栅栏，其设置在接触件在第二方向上的相对的侧表面中的每个侧表面上并且在竖直方向上延伸，其中，有源区具有倾斜于第一方向延伸的条形，并且接触件栅栏包括含碳绝缘膜。
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公开(公告)号：CN115707234A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210505849.9
申请日：2022-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体存储器件，包括：衬底，该衬底包括有源图案，该有源图案包括第一源/漏区和第二源/漏区；绝缘层，在衬底上；线路结构，在绝缘层上并沿第一方向延伸以与有源图案交叉，线路结构穿透绝缘层且在第一源/漏区上，并且包括与第一源/漏区电连接的位线；以及触点，与线路结构间隔开，并且电连接到第二源/漏区，其中，位线包括：与第一源/漏区竖直重叠的第一部分；以及与绝缘层竖直重叠的第二部分，以及其中，位线的第一部分的顶表面的最低水平在低于位线的第二部分的顶表面的最低水平的水平处。
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公开(公告)号：CN115696920A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210902331.9
申请日：2022-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：下电极；第一支撑结构，包括将下电极互连的第一支撑图案，其中，第一支撑图案侧表面和下电极的被第一支撑图案暴露的侧表面至少部分地限定第一开口区，该第一支撑图案彼此间隔开，该第一开口区在第一支撑图案之间沿水平方向延伸；介电层，覆盖第一支撑结构和下电极；以及上电极，在介电层上。第一支撑图案中的相邻的第一支撑图案之间的距离小于或等于下电极的间距。
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公开(公告)号：CN115377104A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210132015.8
申请日：2022-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：堆叠结构，包括竖直堆叠在基底上的多个层，所述多个层中的每个包括字线、沟道层和电连接到沟道层的数据存储元件；以及位线，在堆叠结构的一侧上竖直延伸，其中，字线包括在第一方向上延伸的第一导线以及在第二方向上从第一导线突出的栅电极，第二方向与第一方向交叉，其中，沟道层在栅电极上，其中，位线包括电连接到沟道层的连接部。
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公开(公告)号：CN108231691B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201711392771.X
申请日：2017-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在第一区域与第二区域之间的衬底上形成器件隔离膜；形成第一密封膜和第二密封膜，使得第二密封膜的蚀刻选择性小于第一密封膜的蚀刻选择性；图案化第一密封膜和第二密封膜以暴露器件隔离膜的一部分和第二区域，使得底切被限定在第二密封膜的下表面下方；形成填充底切的填充膜，填充膜的厚度在第二密封膜的侧表面上比在其上表面上更厚；去除填充膜的一部分以在底切中形成填充间隔物；在填充间隔物上形成高k电介质膜和金属膜，并且图案化高k电介质膜和金属膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115295527A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210036290.X
申请日：2022-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L27/108
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括单元区域和界面区域；栅电极，在单元区域内设置在衬底中，并在第一水平方向上延伸；位线，与栅电极相交，并在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸，该位线包括在第一水平方向上交替设置的第一位线和第二位线；边缘间隔物，设置在界面区域内，并接触第二位线；以及边缘绝缘层，设置在边缘间隔物之间，并接触第一位线。边缘绝缘层中的每一层的至少一部分设置在界面区域内。
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公开(公告)号：CN114975448A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210612427.1
申请日：2018-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L23/535 , H01L27/092 , H01L27/11 , H01L29/10 , C01G23/053
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：衬底，包括单元区、核心区及位于单元区与核心区之间的边界区；边界元件隔离层，位于衬底的边界区中以将单元区与核心区隔开；高介电常数介电层，位于边界元件隔离层的至少一部分及衬底的核心区上；第一逸出功金属图案，包括与边界元件隔离层交叠的第一延伸部，第一逸出功金属图案位于高介电常数介电层上；以及第二逸出功金属图案，包括与边界元件隔离层交叠的第二延伸部，第二逸出功金属图案位于第一逸出功金属图案上，其中第一延伸部在从核心区朝单元区的方向上延伸的第一长度与第二延伸部在从核心区朝单元区的方向上延伸的第二长度不同。
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公开(公告)号：CN110325409B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201880013809.4
申请日：2018-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及将5G通信系统与物联网(IoT)技术融合的通信技术及其系统，以支持与4G系统相比更高的数据传输速率。本公开可以应用于基于5G通信和基于物联网(IoT)相关技术的智能服务(例如，智能家居、智能建筑、智慧城市、智能汽车或联网汽车、医疗保健、数字教育、零售、安保和安全相关服务等)。本公开涉及用于传感器网络、机器到机器(M2M)、机器类型通信(MTC)和物联网(IoT)的技术。基于上述技术，本公开可以用于智能服务(智能家居、智能建筑、智慧城市、智能汽车或联网汽车、医疗保健、数字教育、零售、安保和安全相关服务等)。根据本发明的一个实施例的装置的密钥认证方法可以包括以下步骤：使用多个通信模块从终端接收信号；基于经由该多个通信模块接收的每个信号，确定该终端是否存在于距该装置的预定距离内；以及基于该终端是否存在于距该装置的预定距离内，改变安装有该装置的车辆的控制模式。
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公开(公告)号：CN114446959A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111208245.X
申请日：2021-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 一种半导体装置包括：衬底，其包括有源区域；在衬底上并排延伸的第一位线结构和第二位线结构；存储节点接触件，其在第一位线结构与第二位线结构之间电连接到有源区域；下着陆焊盘，其位于第一位线结构与第二位线结构之间并且位于存储节点接触件上；上着陆焊盘，其与第一位线结构接触并且电连接到下着陆焊盘；以及封盖绝缘层。与第一位线结构接触的上着陆焊盘的下表面包括水平分离距离从相邻的封盖绝缘层起在朝向衬底的方向上增大的部分，并且与下着陆焊盘接触的封盖绝缘层的下表面包括水平分离距离从相邻的上着陆焊盘起在朝向衬底的方向上增大的部分。
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公开(公告)号：CN107887364B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201710858966.2
申请日：2017-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L21/768
Abstract: 提供一种具有对准键的半导体装置及其制造方法。对准键在基底上，该对准键包括：第一子对准键图案，具有顺序地堆叠在基底上的第一导电图案、第二导电图案和覆盖介电图案；对准键沟槽，穿过第一子对准键图案的至少一部分；以及下导电图案，在对准键沟槽中。对准键沟槽包括：上沟槽，设置在覆盖介电图案中且具有第一宽度；以及下沟槽，从上沟槽向下延伸且具有比第一宽度小的第二宽度。下导电图案包括分别设置在下沟槽的相对侧壁上的侧壁导电图案。
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