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公开(公告)号：KR1019960013624B1
公开(公告)日：1996-10-10
申请号：KR1019920025020
申请日：1992-12-22
IPC: H01L21/335
Abstract: forming a field oxide film(2), a gate oxide film(4), a polysilicon gate(3), a side wall spacer(5), and a source/drain junction(6) on a silicon substrate(1); evaporating a polysilicon film(7) in a finite thickness on a surface of wafer; crystallizing the polysilicon film(7) by a heat treatment; removing all remains except for a photoresistor(8-1); removing all remains except for a silicon layer(7-1) by the etch-back; injecting an impurity into the source/drain region; forming source/drain junction(9); performing a heat treatment.
Abstract translation: 在硅衬底（1）上形成场氧化膜（2），栅极氧化膜（4），多晶硅栅极（3），侧壁间隔物（5）和源极/漏极结（6）; 在晶片表面上蒸发有限厚度的多晶硅膜（7）; 通过热处理使多晶硅膜（7）结晶; 除去光敏电阻（8-1）以外的所有残留物; 通过回蚀除去硅层（7-1）以外的所有残留物; 向源极/漏极区注入杂质; 形成源极/漏极结（9）; 进行热处理。
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公开(公告)号：KR1019960002694A
公开(公告)日：1996-01-26
申请号：KR1019940014063
申请日：1994-06-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
Abstract: 본 발명은 다결정실리콘 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 종래에 다결정실리콘의 결정립 결함이 많고 열처리시간이 길어 제조생산성이 낮은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 투명 절연기판(10)상에 비정질실리콘 박막(20')은 증착하는 공정(a)과, 이 비정질실리콘 박막(20')을 비활성기체 또는 활성기체중의 적어도 하나의 기체 또는 이 기체들중 적어도 2종류 이상의 혼합기체로 이루어진 상압이상 및 고압전기로에서 고상결정화시켜 다결정실리콘 박막(20)을 형성하는 공정(b)과, 이 다결정실리콘 박막(20)을 리소그래피와 식각을 이용하여 다결정실리콘 활성영역(20)을 형성하는 공정(c)과, 이 위에 게이트실리콘 산화막(30) 및 게이트 다결정실리콘(40)을 순차로 형성한 후 불순물 이온주입을 하여 소오스와 드레인(50)을 형성하는 공정(d) 과, 상기 소오스와 드레인(50)상에 금속막을 증착하여 금속전극(70)을 형성하는 공정(e)을 제공함으로써 다결정실리콘의 결정립계 결함을 감소시켜 고성능의 박막트랜지스터를 제작할 수 있을뿐만 아니라, 제조공정 시간도 줄일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019940016624A
公开(公告)日：1994-07-23
申请号：KR1019920025023
申请日：1992-12-22
IPC: H01L21/36
Abstract: 본 발명은 반도체 장치중에서 초고집적 반도체소자 제조방법에 관한 것으로, 특히 선택적으로 성장시킨 실리콘층을 도입하여, 극히 얕은 접합의 소오스/드레인을 갖는 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판상에 필드 산화막을 형성하고, 아울러 필드 산화막 사이에 게이트 절연막과 게이트 전극용 다결정 실리콘막 및 측벽 산화막으로 된 게이트를 마스크로 사용하여 불순물 이온주입에 의한 소오스/드레인 접합 부분을 상기 실리콘 기판의 활성영역에 형성하는 공정과, 상기 소오스/드레인 접합부분상에 실리콘막을 형성한 다음 열처리를 하는 공정과, 상기 소오스/드레인 접합부분으로 불순물 이온을 주입하여 고농도 소오스/드레인 접합부분을 형성한 다음 열처리하는 공정을 포함하는 선택성장 실리콘층을 이용한 반도체소자의 제 방법.
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公开(公告)号：KR1020170134144A
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：KR1020160066717
申请日：2016-05-30
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명의실시예에따른엑스선발생기는, 음의고전압및 필라멘트전류를생성하는열전자방출형엑스선발생기, 애노드전극이접지되며, 상기음의고전압을사용하여캐소드전극을바이어스하는전계전자방출형엑스선발생기, 그리고상기필라멘트전류를변환하여상기전계전자방출형엑스선발생기의게이트전극에제공되는출력전압으로생성하고, 상기필라멘트전류를변환하여상기캐소드전극에흐르는방출전류의레벨을특정레벨로고정시키는전계방출전류제어부를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明，用于产生高电压和阱，阳极电极接地，电场电子发射型X射线发生器，用于以高电压偏置所述阴极电极与所述负的灯丝电流的热电子发射型的X射线发生器的实施例的X射线发生器 和场发射固定转换可通过换算灯丝电流作为提供给该场致发射型的X射线发生器的控制极的输出电压而产生流动到阴极的放电电流的灯丝电流电平，并以一定的水平， 还有一个当前的控制单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101782474B1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：KR1020140023415
申请日：2014-02-27
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 단일구동전원을구비한다극형전계방출장치및 단일전원으로그 다극형전계방출장치를구동하는방법에관한것이다. 일실시예에따르면, 단일구동전원을구비한다극형전계방출장치는하나이상의전계에미터가형성된캐소드전극, 아노드전극과캐소드전극사이에형성되며, 전계에미터로부터방출된전자가통과할수 있는개구부를포함하는하나이상의게이트전극, 하나이상의분배저항을포함하고, 분배저항에의해전원부로부터인가된전압을분압하여하나이상의게이트전극에인가하는전압분압부및 단일전원으로형성되며전압분압부로전압을인가하는전원부를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170089387A
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：KR1020160089329
申请日：2016-07-14
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 전계방출소자는캐소드전극; 상기캐소드전극과전기적으로연결되고, 전자빔을방출하는적어도하나의에미터; 상기캐소드전극및 상기에미터와이격되어배치되고, 상기전자빔을가속시키는애노드전극; 상기캐소드전극및 상기애노드전극사이에배치되고, 상기전자빔을통과시키는적어도하나의게이트홀을구비하는게이트전극; 및상기게이트전극의상기캐소드전극에마주하는면에부착되고, 상기게이트홀을커버하는전자투과성도전체를포함할수 있다. 여기서, 상기전자투과성도전체는도전성물질을포함하여상기캐소드전극및 상기게이트전극사이에형성되는전계의등전위선들의변형을방지하고, 상기에미터에서방출된전자를투과시킬수 있다.
Abstract translation: 场致发射装置包括阴极电极; 至少一个发射极，电连接到阴极并发射电子束; 阳极电极与阴极电极和发射极间隔开，阳极电极加速电子束; 设置在阴极和阳极之间并具有至少一个用于使电子束穿过的栅孔的栅电极; 以及附着到栅电极的面向阴电极并覆盖栅孔的表面的电子透射导体。 这里，电子透射导体可以包括导电材料，以防止形成在阴极电极和栅电极之间的电场的等势线的变形，并且传输从发射器发射的电子。
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公开(公告)号：KR1020170089385A
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：KR1020160087736
申请日：2016-07-11
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은하이브리드전자방출원을구비한엑스선튜브에관한것으로, 구체적으로전계전자방출원과열 전자방출원을모두포함하는캐소드를전자방출원으로이용하는엑스선튜브에관한것이다. 이에따른본 발명은, 전자빔을방출하는전자방출원및 상기방출된전자빔이충돌하여엑스선을방출하는타겟물질을포함하는타겟부로구성되되, 상기전자방출원은, 열전자방출원및 전계전자방출원을포함하며, 상기열 전자방출원및 상기전계전자방출원중 적어도하나를선택적으로이용하여상기전자빔을방출하는것을특징으로하는엑스선튜브에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及的X射线管，包括一个混合电子发射源，本发明涉及一种阴极，其具体地包括所有使用该电子发射源的X射线管过热电子发射源的场致电子发射源的。 在根据本发明的电子发射器和发射，其发射包含用于发射X射线的靶材料的靶的组成的电子束碰撞doedoe的电子束，所述电子发射源是热电子发射源和一个场致电子发射源 并且通过选择性地使用热电子发射源和场电子发射源中的至少一个来发射电子束。
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公开(公告)号：KR101758765B1
公开(公告)日：2017-07-17
申请号：KR1020110052170
申请日：2011-05-31
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J9/042 , H01J2201/30469
Abstract: 본발명은 (i) 탄소나노튜브 (CNT) 파우더, 상기 CNT 보다낮은용융온도를가지면서 CNT를산화시키는정도가상이한 2종이상의무기충전제, 및유기바인더를용매에분산시켜 CNT 페이스트를제조하는단계; (ⅱ) 상기 CNT 페이스트를기판의상부에형성된전극상에도포하는단계; (ⅲ) 상기 CNT 페이스트가도포된기판을소성하여, 2종이상의무기충전제중에서 1종의무기충전제주위에위치하는 CNT를선택적으로산화시키는단계; 및 (ⅳ) 상기 CNT 페이스트표면이활성화되도록상기 CNT 페이스트의표면을처리하는단계를포함하여, CNT 밀도가조절되는 CNT 에미터의제조방법을제공한다. 본발명에서는기존 CNT 페이스트제작공정을그대로사용하면서, 무기충전제로첨가하는금속입자의종류와이의조성을조절함으로써, CNT 밀도를제어하고 CNT 에미터의신뢰성을크게향상시킬수 있다.
Abstract translation: 本发明（I），同时具有碳纳米管（CNT）粉末，低熔化温度比所述CNT的是约氧化的CNT的无机填料分散，以及在溶剂中不同的两种或更多种有机粘合剂，制备CNT浆料 。 （Ii）将CNT浆料涂覆到形成在衬底上的电极上; （iii）烧制涂覆有CNT浆料的基材以选择性地氧化位于两种或更多种无机填料中的一种无机填料上的CNT; 并且（iv）处理CNT糊剂的表面，以使CNT糊剂的表面活化，从而控制CNT密度。 在本发明中，有由金属颗粒的组合物类型添加的无机填料和它的控制，同时仍采用现有的生产工艺CNT浆料中，CNT密度控制，并显著改善CNT发射的可靠性sikilsu。
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公开(公告)号：KR1020160061246A
公开(公告)日：2016-05-31
申请号：KR1020150127843
申请日：2015-09-09
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은전자빔을방출하는제1 전극, 상기제1 전극에서방출된전자빔을가속시키는게이트전극, 가속된전자빔이충돌하는타깃(target)을포함하는제2 전극, 상기제1 전극과상기게이트전극사이를절연하는절연관및 상기제2 전극과상기게이트전극사이에구비되어엑스선을필터링하는필터관을포함하고, 상기필터관은알루미나()를포함하고, 상기타깃은전자빔이충돌하면서발생한엑스선이상기필터관을향해방출되도록경사진초소형엑스선튜브를구현하여구성이간단하다.
Abstract translation: 微型X射线管本发明涉及微型X射线管。 微型X射线管包括：发射电子束的第一电极; 栅电极，加速从第一电极发射的电子束; 包括被配置为与加速光束碰撞的目标的第二电极; 绝缘管，被配置为在所述第一电极和所述栅电极之间电绝缘; 以及设置在第二电极和栅电极之间以过滤X射线的过滤管。 过滤管可以包括氧化铝（Al 2 O 3）。 靶可以倾斜，使得由靶和电子束之间的碰撞产生的X射线被引向过滤管。 根据本发明，可以实现X射线管的简单结构。
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