公开(公告)号：CN1764843A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200480008023.1

申请日：2004-03-26

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： D·L·马拉梅茨 ,  R·D·霍尔宁 ,  S·F·贝卡

IPC: G01P15/125 ,  G01P15/08

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0235 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0831

Abstract: 提供一种低成本、悬垂、电容感应的微机电系统(MEMS)加速度计。该加速度计包括悬垂的校验块，一个或多个固定垫，以及与该悬垂的校验块和该一个或多个固定垫连接的一个或多个挠曲。该挠曲相对于该悬垂的校验块的运动线性挠曲。将第一和第二电容器板相对于该悬垂的校验块定位，以便根据感应的电容差异检测该校验块的运动。将一个或多个应变隔离梁连接在该一个或多个挠曲和该悬垂的校验块或该固定垫之间。该应变隔离梁保护该挠曲免受机械应变影响。

公开(公告)号：CN1511259A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN02810445.5

申请日：2002-03-21

Applicant: VTI技术有限公司

Inventor： H·奎斯马 ,  J·拉登佩雷 ,  R·穆蒂凯宁

IPC: G01P15/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0817

Abstract: 本发明涉及一种制造硅传感器结构的方法以及一种硅传感器。根据该方法，通过在单晶硅薄片(10)内蚀刻开口来形成至少一个弹簧元件轮廓(7)和至少一个与弹簧元件结构(7)连接的测震质量(8)的步骤。根据本发明，延伸通过该硅薄片深度的开口和沟槽(8)通过干蚀刻法制造，而用于控制该弹簧元件轮廓(7)弹簧常数的蚀刻方法以湿蚀刻法为根据。

公开(公告)号：CN1494170A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03153017.6

申请日：2003-08-07

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 酒井峰一

IPC: H01L49/00 ,  H01L29/84 ,  G01P15/125

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0136 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814

Abstract: 一种容性动量传感器，包括衬底(1)、平衡块(11)、可移动电极(10a、10b)、固定器(17a、17b)、弹簧(12)、以及应变缓冲器(13)。平衡块(11)通过动量而位移。可移动电极(10a、10b)与平衡块(11)结合在一起。固定器(14)固定到衬底(1)上以将平衡块(11)和可移动电极(10a、10b)悬挂在衬底(1)的上方。固定电极(17a、17b)面对可移动电极(10a、10b)设置。由响应动量产生的可移动电极(10a、10b)的位移作为电极(10a、10b、17a、17b)之间的电容变化而被检测。弹簧(12)设置在固定器(14)和平衡块(11)之间并响应动量而弹性变形，以便可移动电极(10a、10b)移动对应该动量的距离。应变缓冲器(13)位于固定器(14)和弹簧(12)之间，以便减少在衬底(1)上产生的应变对弹簧(12)的影响。

公开(公告)号：CN1409118A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02143502.2

申请日：2002-09-26

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 斎藤正勝 ,  田中茂德 ,  池田由夫

IPC: G01P15/12

CPC classification number: G01P15/18 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/053 ,  B81B2203/058 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/084 ,  G01P2015/0842

Abstract: 本发明提供了一种超小型和薄的半导体加速度传感器，具有高的灵敏度。加速度传感器具有一质量部分形成在硅半导体衬底的中心部分，一框架形成衬底的周边部分，薄的弹性支撑臂，位于质量部分和框架的上部并连接质量部分和框架，许多对压敏电阻分布在弹性支撑臂的上表面侧。在质量部分中形成了许多凹进部分，它们从它的边缘向它的中心凹进。每个弹性支撑臂在每个凹进部分的底部与质量部分的上表面连接，弹性支撑臂的各侧与凹进部分的各侧隔离。由于质量部分的体积和弹性支撑臂的长度能够独立地做大，灵敏度能够做得更大。

公开(公告)号：CN109425335A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810993602.X

申请日：2018-08-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 田中悟

IPC: G01C19/5656 ,  G01C19/5663

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/097 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/031 ,  G01P2015/0814 ,  G01P2015/0871 ,  G01C19/5656 ,  G01C19/5663

Abstract: 提供能够实现检测精度高灵敏度化以及耐冲击性提高的物理量传感器和传感器器件、便携式电子设备、电子设备及移动体。物理量传感器包括：基板；可动部，能够相对于所述基板在第一方向上位移；第一、第二可动电极部，设置于所述可动部；第一固定电极部，固定于所述基板，与所述第一可动电极部在所述第一方向相对地配置；第二固定电极部，固定于所述基板，与所述第二可动电极部在所述第一方向相对地配置；限制部，限制所述可动部的所述第一方向的可动范围；第一布线，设置于所述基板，与所述第一固定电极部电连接；第二布线，设置于所述基板，与所述第二固定电极部电连接，在俯视观察所述基板时，所述第一、第二布线分别与所述限制部交叉。

公开(公告)号：CN108663540A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810238485.6

申请日：2018-03-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 田中悟

IPC: G01P15/125

CPC classification number: B81C1/00166 ,  B60R16/0231 ,  B60R25/24 ,  B81B3/0008 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0187 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0831

Abstract: 本发明涉及物理量传感器及其制造方法、电子设备、移动体。物理量传感器的制造方法具有在基板上形成第一固定电极、第二固定电极和虚拟电极的电极形成工序、以及可动体形成工序，电极形成工序具有以下工序：在基板上形成第一掩模层；在基板上以及第一掩模层上成膜第一导电层并去除第一掩模层而形成第一电极材料层；在基板上以及第一电极材料层上成膜第二导电层；在第二导电层上成膜掩模材料层并将俯视观察时掩模材料层的未与第一电极材料层重叠的部分的局部去除而形成第二掩模层；以及以使第二导电层设于第一电极材料层上及基板上的方式将第二掩模层作为掩模对第二导电层进行蚀刻而形成第二电极材料层。

公开(公告)号：CN108369245A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680071899.3

申请日：2016-12-09

Applicant: 应美盛股份有限公司

Inventor： G·加弗埃力 ,  L·科罗纳托 ,  A·吉埃巴斯蒂阿尼

IPC: G01P15/125 ,  G01P21/00 ,  G01P15/08

CPC classification number: G01P21/00 ,  B81B2201/0235 ,  B81C1/00698 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0831

Abstract: 诸如加速度计之类的微机电传感器具有响应于传感器的移动的一个或多个检测质量块，该移动基于一个或多个检测质量块与一个或多个感测电极之间的距离被测量。加速度计具有多个辅助电极和被配置为将具有第一谐波频率的辅助信号应用到多个辅助电极的信号发生器。电路接收来自多个感测电极的感测信号并识别感测信号的具有第一谐波频率的一部分。基于感测信号中的该识别的部分，电路确定残余电压是否存在于一个或多个检测质量块上或一个或多个感测电极上，并且当确定残余电压存在时电路修改加速计的操作以补偿残余电压。

公开(公告)号：CN107857231A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710997592.2

申请日：2017-10-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 范继 ,  涂良成 ,  伍文杰 ,  刘金全 ,  徐小超 ,  刘骅锋

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/00 ,  B81B2201/0235 ,  B81C1/00015

Abstract: 本发明公开一种微机电加速度计及其制备方法，包括：检验质量、正摆弹簧与倒摆弹簧；检验质量与正摆弹簧和倒摆弹簧相连接，正摆弹簧和倒摆弹簧分布在所述检验质量的两侧，检验质量在正摆弹簧和倒摆弹簧的约束下受外界力的作用而运动，检验质量的质心位置或者检验质量所受的等效重力加速度可以用于对微机电加速度计的本征频率进行调节；检验质量上制备有密绕导电线圈，当密绕导电线圈通电流时，在垂直与密绕导电线圈方向的磁场的作用下，检验质量的等效质心位置或者所受的等效重力加速度发生变化。本发明利用电磁力进行检验质量的等效质心或者等效重力加速度调节，克服了微机电加速度计由于检验质量过小，而引起的调节力度不够的缺点。

公开(公告)号：CN107720686A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710680047.0

申请日：2017-08-10

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·布莱特林 ,  C·施文克 ,  H·屈佩尔斯 ,  N·席滕黑尔姆 ,  V·施米茨

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0038 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00285 ,  G01C19/5783 ,  G01P3/00 ,  G01P15/00 ,  G01P15/0802 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/025 ,  B81B2203/0315

Abstract: 提出一种具有主延伸平面的微机械结构元件，其中，所述微机械结构元件包围第一空腔并且包围第二空腔，其中，在所述第一空腔中存在第一压力并且在所述第二空腔中存在第二压力，其中，微机械结构元件的基本上平行于所述主延伸平面延伸的第一层在所述第一空腔与所述第二空腔之间基本上垂直于主延伸平面地伸入微机械结构元件的基本上平行于所述主延伸平面延伸的第二层中。

公开(公告)号：CN107407694A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201580076922.3

申请日：2015-02-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥村美香

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/125

CPC classification number: B81B3/0051 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00825 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/082 ,  G01P2015/084 ,  G01P2015/0871

Abstract: 半导体装置具有基板(1A)、梁(12)、可动构造体(13)、第1止动部件(S1)、第2止动部件(S2)以及第3止动部件(S3)。第1止动部件(S1)在面内方向上，与可动构造体(13)之间隔着第1间隙(T1)而配置。第2止动部件(S2)在面外方向上，与可动构造体(13)之间隔着第2间隙(T2)而配置。第3止动部件(S3)在面外方向上，相对于可动构造体(13)而配置于第2止动部件(S2)的相反侧，且与可动构造体(13)之间隔着第3间隙(T3)而配置。由此，能够得到一种通过抑制可动构造体的过度的位移，从而能够抑制支撑可动构造体的梁的损伤及破损的半导体装置及其制造方法。