公开(公告)号：JP2004521753A

公开(公告)日：2004-07-22

申请号：JP2002557865

申请日：2002-01-11

Applicant: インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： デポン、ミッシェル ,  ドレクスラー、ウテ ,  マグナソン、ロイ、エイチ

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  C23F13/14 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/30604 ,  B81B2201/12 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0133 ,  C23F13/14

Abstract: 【課題】シリコン微小機械構造を望ましくない電気化学的エッチングから保護し、現況技術の欠点を克服する方法を提供すること。
【解決手段】材料および貴金属層（８）を備える微小構造の前記材料を、製造中の望ましくない電気化学的エッチングから保護する方法であって、前記構造上に前記材料よりも低い酸化還元電位を有する犠牲金属層（１２）を形成することを含み、前記犠牲金属層（１２）が前記貴金属層（８）に電気的に接続される方法。
【選択図】図４

公开(公告)号：JP5493228B2

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：JP2009504578

申请日：2007-01-26

Applicant: ピクシウム ヴィジョン ソシエテ アノニム

Inventor： ティートケ，ハンス−ユルゲン

IPC: A61N1/05 ,  A61B5/0408 ,  A61B5/0478 ,  A61B5/0492 ,  A61F2/14 ,  A61F2/18 ,  A61F9/08 ,  A61F11/00

CPC classification number: A61N1/05 ,  A61N1/0543 ,  A61N1/0551 ,  B81C99/008 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0181 ,  Y10T428/12493

公开(公告)号：JPWO2010100861A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：JP2011502625

申请日：2010-02-23

Applicant: 株式会社日立メディコ

Inventor： 俊太郎 町田 ,  俊太郎 町田 ,  小林　孝 ,  小林　　孝

IPC: H04R19/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84 ,  H04R31/00

CPC classification number: B06B1/0292 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00214 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0109 ,  C09K13/00 ,  C23F4/00 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/84 ,  Y10T29/49156

Abstract: 容量検出型超音波トランスデューサ(CMUT)において、超音波トランスデューサの下部電極への電気接続を、下部電極の下面から行っても、空洞部の変形や、空洞部を囲む絶縁膜厚さの不均一性や、さらには、メンブレンの表面形状の平坦性の劣化も抑制できる技術を提供する。下部電極306と、下部電極の下面から下部電極へ接続する電気接続部304と、下部電極を覆うように形成された第1絶縁膜と、第1絶縁膜上に、上面から見て、下部電極と重なるように形成された空洞部308と、空洞部308を覆うように形成された第2絶縁膜と、第2絶縁膜上に、上面から見て、空洞部308と重なるように形成された上部電極310とを備えた超音波トランスデューサにおいて、下部電極306への電気接続部304が空洞部308と、上面から見て、重ならない配置とする。

公开(公告)号：JP4970470B2

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：JP2008556347

申请日：2007-02-07

Applicant: クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド

Inventor： チェン−ジーン・チョウ ,  チャン−チェン・ウー ,  パトリック・エフ・ブリンクリー

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C99/00 ,  G02B26/02

CPC classification number: B81C99/004 ,  B81B2201/047 ,  B81C1/00714 ,  B81C2201/0107 ,  G02B26/001

公开(公告)号：JP2009533106A

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：JP2009504578

申请日：2007-01-26

Applicant: アイエムアイ インテリジェント メディカル インプランツ アクチエンゲゼルシャフト

Inventor： ティートケ，ハンス−ユルゲン

IPC: A61N1/05 ,  A61B5/0408 ,  A61B5/0478 ,  A61B5/0492 ,  A61F2/14 ,  A61F2/18 ,  A61F9/08 ,  A61F11/00

CPC classification number: A61N1/05 ,  A61N1/0543 ,  A61N1/0551 ,  B81C99/008 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0181 ,  Y10T428/12493

Abstract: The object, to create a method for producing multilayers or multilayer systems wherein the structures generated on a substrate can easily be jointly detached from the substrate and are preserved in a composite, is achieved by the present invention by means of a method for producing implant structures comprising generating a first metal layer on a substrate, generating a second metal layer above the first metal layer, producing a number of multilayered implant structures above the second metal layer, removing the first metal layer between the substrate and the second metal layer, and releasing the implant structures from the substrate in a coherent composite. With the method according to the invention, between the implant structures and the substrate a release layer is generated consisting of two or three metal layers which serve as sacrificial layer in the course of releasing the fully processed multilayers by means of an under-etching process. As a result, a uniform and reliable separation of the finished multilayers from the substrate in a composite is achieved, facilitating the subsequent technology for assembly and interconnection of the implant structures.

公开(公告)号：JP2009527371A

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：JP2008556347

申请日：2007-02-07

Applicant: クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド

Inventor： チェン−ジーン・チョウ ,  チャン−チェン・ウー ,  パトリック・エフ・ブリンクリー

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C99/00 ,  G02B26/02

CPC classification number: B81C99/004 ,  B81B2201/047 ,  B81C1/00714 ,  B81C2201/0107 ,  G02B26/001

Abstract: ＭＥＭＳデバイスを製造する方法は、導電性の犠牲層を除去する前に、一定期間の間、導電性の犠牲層を介して、絶縁層を横断する電圧を印加することによって、絶縁層を調整する段階を含む。 この調整プロセスは、絶縁層の中に蓄積される電荷を飽和させるか、もしくは安定させるために使用され得る。 絶縁層を横断する抵抗が、更に、絶縁層において起こり得る欠陥を検出するために測定され得る。

公开(公告)号：US20160264410A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：US15162997

申请日：2016-05-24

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： Michael T. Brigham ,  Christopher V. Jahnes ,  Cameron E. Luce ,  Jeffrey C. Maling ,  William J. Murphy ,  Anthony K. Stamper ,  Eric J. White

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B3/0021 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/09 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0714 ,  G06F17/5009

Abstract: Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) structures, methods of manufacture and design structures are disclosed. The method includes forming a Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) beam structure by venting both tungsten material and silicon material above and below the MEMS beam to form an upper cavity above the MEMS beam and a lower cavity structure below the MEMS beam.

公开(公告)号：US20160008849A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：US14799632

申请日：2015-07-15

Applicant: Hitachi Medical Corporation

Inventor： Shuntaro MACHIDA ,  Takashi KOBAYASHI

IPC: B06B1/02

CPC classification number: B06B1/0292 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00214 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0109 ,  C09K13/00 ,  C23F4/00 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/84 ,  Y10T29/49156

Abstract: Disclosed is an ultrasonic transducer that is provided with: a bottom electrode; an electric connection part which is connected to the bottom electrode from the bottom of the bottom electrode; a first insulating film which is formed so as to cover the bottom electrode; a cavity which is formed on the first insulating film so as to overlap the bottom electrode when seen from above; a second insulating film which is formed so as to cover the cavity; and a top electrode which is formed on the second insulating film so as to overlap the cavity when seen from above. The electric connection part to the bottom electrode is positioned so as to not overlap the cavity when seen from above.

Abstract translation: 公开了一种超声波换能器，其具备：底部电极; 电连接部，其从所述底部电极的底部连接到所述底部电极; 形成为覆盖底部电极的第一绝缘膜; 形成在第一绝缘膜上以便从上方观察时与底部电极重叠的空腔; 形成为覆盖空腔的第二绝缘膜; 以及形成在第二绝缘膜上以从上方观察时与空腔重叠的顶部电极。 位于底部电极的电连接部分被定位为当从上方观察时不与腔体重叠。

公开(公告)号：US08358458B2

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：US12939909

申请日：2010-11-04

Applicant: James Randolph Webster ,  Thanh Nghia Tu ,  Xiaoming Yan ,  Wonsuk Chung

Inventor： James Randolph Webster ,  Thanh Nghia Tu ,  Xiaoming Yan ,  Wonsuk Chung

IPC: G02B26/00

CPC classification number: B81B3/0008 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/115 ,  G02B26/001 ,  Y10T428/24917

Abstract: Methods of fabricating an electromechanical systems device that mitigate permanent adhesion, or stiction, of the moveable components of the device are provided. The methods provide an amorphous silicon sacrificial layer with improved and reproducible surface roughness. The amorphous silicon sacrificial layers further exhibit excellent adhesion to common materials used in electromechanical systems devices.

Abstract translation: 提供了减轻设备的可移动部件的永久性粘附或静电的机电系统装置的制造方法。 该方法提供了具有改进和可再现的表面粗糙度的非晶硅牺牲层。 非晶硅牺牲层对于机电系统器件中常用的材料进一步表现出优异的附着性。

公开(公告)号：US08174085B2

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：US12580052

申请日：2009-10-15

Applicant: Goro Nakatani

Inventor： Goro Nakatani

IPC: H01L29/84

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0107 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0073 ,  H04R19/005

Abstract: A method of manufacturing an MEMS sensor according to the present invention includes the steps of: forming a first sacrificial layer on one surface of a substrate; forming a lower electrode on the first sacrificial layer; forming a second sacrificial layer made of a metallic material on the first sacrificial layer to cover the lower electrode; forming an upper electrode made of a metallic material on the second sacrificial layer; forming a protective film made of a nonmetallic material on the substrate to collectively cover the first sacrificial layer, the second sacrificial layer and the upper electrode; and removing at least the second sacrificial layer by forming a through-hole in the protective film and supplying an etchant to the inner side of the protective film through the through-hole.

Abstract translation: 根据本发明的MEMS传感器的制造方法包括以下步骤：在衬底的一个表面上形成第一牺牲层; 在所述第一牺牲层上形成下电极; 在所述第一牺牲层上形成由金属材料制成的第二牺牲层以覆盖所述下电极; 在所述第二牺牲层上形成由金属材料制成的上电极; 在所述基板上形成由非金属材料制成的保护膜，以共同覆盖所述第一牺牲层，所述第二牺牲层和所述上电极; 以及通过在所述保护膜中形成通孔并且通过所述通孔向所述保护膜的内侧供给蚀刻剂，至少去除所述第二牺牲层。