公开(公告)号：JP2005504648A

公开(公告)日：2005-02-17

申请号：JP2003534312

申请日：2002-07-17

Applicant: ロックウェル・サイエンティフィック・ライセンシング・エルエルシー

Inventor： デ・ナテール，ジェフリー・エフ

IPC: G02B26/08 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G02B6/35

CPC classification number: G02B6/3518 ,  B81B3/0083 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/00214 ,  B81C2201/053 ,  G02B6/3584

Abstract: 光マイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造する新規なハイブリッド法が開示されている。 この方法では、バルク及び表面マイクロマシニング技術の両方が用いられる。 また、この新規な方法を用いて製造される新規な光ＭＥＭＳデバイスも開示されている。 本発明の方法は、ハンドル層をＭＥＭＳ構造材料の１つ又は複数の層に実装するステップを含む（１２）。 次に、構造及び犠牲材料層が、表面マイクロマシニングを用いて、ＭＥＭＳ構造材料の上に構築る（１４）。 そして、駆動電子装置が、構造及び犠牲材料層の上に実装される（１７）。 ハンドル層が取り除かれてＭＥＭＳ構造層を露出させ（１８）、様々な層の中の犠牲材料が溶解される（２０）。 この新規な方法は、特に、光ＭＥＭＳデバイスを製造するのに適用可能であり、ハンドル層（５４）はＳｉミラー層（５２）に隣接している。 表面マイクロマシニング層は、電極（６６）とバネ構造（６７、６８）とを形成する。 次に、駆動電子装置（９２）が、構造材料層の上に実装され、それによって、バイアスがＭＥＭＳ構造に加えられるようにする。 ハンドル層（５４）がミラー層（５２）から取り除かれてミラーの反射面を露出させ、犠牲材料（６４）が溶解されて取り除かれてＭＥＭＳ構造が自由に動作できるようになる。 光又はそれ以外のＭＥＭＳアレイでは、リンク用フレームワーク（７０）を用いてＭＥＭＳデバイスを取り付けることも可能である。

公开(公告)号：JP2003531017A

公开(公告)日：2003-10-21

申请号：JP2001558361

申请日：2000-12-28

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング

Inventor： グラフ エックハルト ,  フィッシャー フランク ,  ハイン ペーター

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/053 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814

Abstract: (57)【要約】 本発明は、少なくとも１つの空隙（１１０）および少なくとも部分的に空隙（１１０）内に設けられた機能素子（１２）および／または少なくとも部分的に空隙（１１０）内に設けられた機能層（１３ａ、１３ｂ、１３ｃ）を有するマイクロマシーニング構造素子（１００）の製造法ならびに当該の独立請求項の上位概念に記載の方法により製造されたマイクロマシーニング構造素子（１００）にから出発する。 製造費を減少させるために、機能素子（１２）および／または機能層（１３ａ、１３ｂ、１３ｃ）には、次に１つ以上のエッチング段階で形成された空隙（２２）の空間を一時的に占める第１の犠牲層（５２）と境を接している範囲内で第１の保護層（４１；７１）を備えさせ（図４；図７）、その際に第１の保護層（４１）の材料は、第１の犠牲層（５２）をエッチングするかまたは溶解する少なくとも１つのエッチング法および／またはエッチング媒体により、第１の保護層（４１；７１）が広範囲には攻撃されないかまたは単に第１の犠牲層（５２）に関連して減少したエッチング速度で攻撃されるように選択される。

公开(公告)号：JP2018158438A

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：JP2018040502

申请日：2018-03-07

Applicant: ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング ,  ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： ベンヤミーン・シュトイアー ,  クリストフ・シェリング ,  ダニエル・パンテル ,  シュテファン・ピンター

IPC: B81B1/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00626 ,  B81C2201/0123 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/016 ,  B81C2201/053 ,  G02B26/0833

Abstract: 【課題】傾斜した表面を備える微小機械装置の製造方法および対応する微小機械装置を提供する。 【解決手段】前面(OS)の第1垂線(N)が、シリコン基板の〈111〉方向から第1角度(α)だけずれたシリコン基板(1)を準備し、前面に第1溝と第2溝を形成する。第1溝と第2溝は上記ずれの方向に沿って延在し、かつ第1溝および第1溝が実質的に平行に離間している。第1溝と第2溝との間に位置する第1開口範囲(OE)を除いて前面を覆うエッチングマスク(M)を形成し、エッチングマスクを使用して前面に異方性エッチングプロセスを実施し、第1垂線に対して第1角度(α)にほぼ相当する第2角度をなす傾斜した表面を開口範囲(OE)に形成するステップを含む。 【選択図】図2d

公开(公告)号：JP6312343B2

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：JP2016163515

申请日：2016-08-24

Applicant: 株式会社ディスコ

Inventor： カール ハインツ プリーヴァッサー

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/78 ,  B81C1/00825 ,  B81C1/00896 ,  B81C2201/053 ,  H01L21/304 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11

公开(公告)号：JP2015525679A

公开(公告)日：2015-09-07

申请号：JP2015518815

申请日：2013-06-29

Applicant: シーエスエムシー テクノロジーズ エフエイビー1 カンパニー リミテッド ,  シーエスエムシー テクノロジーズ エフエイビー1 カンパニー リミテッド

Inventor： ダン ダイ ,  ダン ダイ ,  シンウェイ チャン ,  シンウェイ チャン ,  グオピン チョウ ,  グオピン チョウ ,  チャンフェン シア ,  チャンフェン シア

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00825 ,  B81B7/0029 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/053

Abstract: MEMSチップ(100)は、シリコン基板層(110)、第1の酸化層(120)、及び第1の薄膜層(130)を含む。シリコン基板層は、マイクロ電気機械プロセスのための前面(112)と、裏面(114)とを有し、前面及び裏面が両方とも研磨面である。第1の酸化層は、主として二酸化ケイ素から作られ、シリコン基板層の裏面上に形成される。第1の薄膜層は、主として窒化ケイ素から作られ、第1の酸化層の表面上に形成される。上記のMEMSチップにおいて、シリコン基板層の裏面上に第1の酸化層及び第1の薄膜層を順次的に積層することにより、マイクロ電気機械プロセスの途中でのスクラッチ損傷を防止するよう裏面が効果的に保護される。MEMSチップの製造方法も提供される。【選択図】図1

Abstract translation: MEMS芯片（100）包括硅衬底层（110）包括：第一氧化物层（120），和第一薄膜层（130）。 硅基板层包括用于所述微机电过程（112）的前和后表面（114），抛光的表面正面和背面均为。 主要由二氧化硅构成的第一氧化物层，形成在硅衬底层的背面上。 第一薄膜层主要由氮化硅制成的，它形成在第一氧化物层的表面上。 另外，在上述MEMS芯片，通过层叠第一氧化层和第一薄膜层顺序地在硅基板层的背面表面上的，背表面，以防止在微机电的过程的影响的过程中刮伤损坏 被保护。 还提供了MEMS芯片的制造方法。 点域1

公开(公告)号：JP2011003692A

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：JP2009144991

申请日：2009-06-18

Applicant: Oki Semiconductor Co Ltd ,  Okiセミコンダクタ株式会社

Inventor： YOSHIDA MASASHI

IPC: H01L29/84 ,  B81C1/00 ,  G01P15/12

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/053

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent breakage of a wafer in carrying in/out the wafer by preventing adhesion of the wafer to an electrode.SOLUTION: This method of etching a back side of a wafer, for instance, in an MEMS device includes: a protective film formation process of forming a protective film (protective resist) 25 formed of positive photoresist on the whole of the front surface of a processed wafer 20; a protective film hardening process of hardening the front surface of the protective resist 25 by drying the protective resist 25 by post-baking; an etching process of mounting the wafer 20 on a lower electrode 30, the front surface side of the wafer 20 facing the lower electrode 30, and of etching the back side of the wafer 20 in a predetermined pattern by a plasma etching method; and a wafer recovery process of recovering the wafer 20 by peeling the front surface side of the wafer 20 from the lower electrode 30.

Abstract translation: 要解决的问题：通过防止晶片粘附到电极上来防止晶片进/出晶片的破裂。解决方案：例如在MEMS器件中蚀刻晶片背面的方法包括： 在加工晶片20的整个前表面上形成由正性光致抗蚀剂形成的保护膜（保护抗蚀剂）25的保护膜形成工艺; 通过后烘烤干燥保护抗蚀剂25来使保护膜25的前表面硬化的保护膜硬化工序; 将晶片20安装在下电极30上，将晶片20的前表面侧面向下电极30的蚀刻工艺，并通过等离子体蚀刻方法以预定图案蚀刻晶片20的背面; 以及通过从下电极30剥离晶片20的前表面侧来恢复晶片20的晶片恢复处理。

公开(公告)号：JP2010268412A

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：JP2009120418

申请日：2009-05-18

Applicant: Panasonic Corp ,  パナソニック株式会社

Inventor： IITAKA MASAHIRO ,  UCHIUMI KATSUKI ,  FUJII KYOKO

IPC: H04R19/04 ,  B81B3/00 ,  B81C3/00 ,  H04R19/01

CPC classification number: B81C1/00896 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2207/012 ,  B81C2201/053 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H04R19/04 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a MEMS microphone semiconductor device in which reliability is improved by suppressing entry of cutting water or cutting dust during processing for dicing, and to provide a method of manufacturing the same. SOLUTION: The MEMS microphone semiconductor device includes: a substrate; one or more semiconductor elements mounted on a first principal surface of the substrate; a case fixed on the first principal surface of the substrate for covering the one or more semiconductor elements; a through-hole which is formed on the substrate or on the case and becomes a sound hole; and a plurality of connecting electrodes formed on a second principal surface, that is opposite to the first principal surface, of the substrate, wherein entry suppression shaping is applied to the through-hole so as to suppress the entry of cutting water during dicing. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种MEMS麦克风半导体器件，其通过在切割加工期间抑制切入水或切割灰尘来提高可靠性，并提供其制造方法。 解决方案：MEMS麦克风半导体器件包括：衬底; 安装在所述基板的第一主表面上的一个或多个半导体元件; 固定在用于覆盖所述一个或多个半导体元件的所述基板的所述第一主表面上的壳体; 形成在基板上或壳体上并形成声孔的通孔; 以及形成在基板的与第一主表面相对的第二主表面上的多个连接电极，其中对通孔施加抑制成形以抑制切割期间切割水的进入。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP4384844B2

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：JP2002317115

申请日：2002-10-31

Applicant: ゼロックス コーポレイションXerox Corporation

Inventor： エイ エクランド エリオット ,  エイ カビー ジョエル ,  エム ガルヴィン ピーター

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/053

公开(公告)号：JP2009532836A

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：JP2009503574

申请日：2007-04-03

Applicant: コミツサリア タ レネルジー アトミーク

Inventor： イヴリン・ゴバル ,  エレーネ・ル・ポシェ ,  バルバラ・シャルレ

IPC: H01J9/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00833 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/053 ,  H01J9/025

Abstract: 本発明は、関与部（５）を有しており、微細構造素子（１）の一つの面上で開口している少なくとも一つのキャビティ（４）の内部を保護するための方法に関している。 ここで、前記微細構造素子は、前記面上で保護物質の非コンフォーマル層（６）の堆積を備えており、前記非コンフォーマル層は前記関与部を覆うことなくキャビティをふさぐ。 本発明は、そのような微細構造素子を備えた素子を製造する方法にも関している。

公开(公告)号：JP2009160728A

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：JP2008325334

申请日：2008-12-22

Applicant: Commissariat A L'energie Atomique ,  コミッサリヤ ア レネルジ アトミック

Inventor： ROBERT PHILIPPE ,  NGUYEN VALERIE

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00484 ,  B81C1/00682 ,  B81C2201/053

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a machine component of a MEMS or NEMS structure made of a monocrystalline silicon substrate.
SOLUTION: This method includes steps of: forming fixed areas over the substrate in order to delimit the mechanical component; forming a lower protective layer made of material other than silicon and obtained by epitaxial growth from one face of the substrate on one face of the substrate; forming a silicon layer obtained by epitaxial growth from the lower protective layer on the lower protective layer; forming an upper protective layer on the silicon layer; etching the upper protective layer, the silicon layer, the lower protective layer according to a pattern for delimiting the mechanical component until the substrate is reached and an access route to the substrate is provided; forming a protective layer on the walls formed by etching the pattern of the mechanical component in the silicon layer grown in an epitaxial manner; and separating the mechanical component by performing isotropic etching in the substrate from the access route for the substrate to the substrate. The isotropic etching includes a step that does not invade the lower layer, the upper layer and the protective layer of the walls.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于制造由单晶硅衬底制成的MEMS或NEMS结构的机器部件的方法。 解决方案：该方法包括以下步骤：在衬底上形成固定区域以限定机械部件; 形成由硅以外的材料制成的下保护层，其通过在所述基板的一个面上从所述基板的一个表面外延生长获得; 形成从下保护层上的下保护层外延生长获得的硅层; 在硅层上形成上保护层; 根据用于限定机械部件的图案蚀刻上保护层，硅层，下保护层，直到到达基板，并提供到基板的通路; 在通过蚀刻以外延生长的硅层中的机械部件的图案形成的壁上形成保护层; 以及通过从基板到基板的进入路径在基板中进行各向同性蚀刻来分离机械部件。 各向同性蚀刻包括不侵入壁的下层，上层和保护层的步骤。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT