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公开(公告)号:CN100437876C
公开(公告)日:2008-11-26
申请号:CN03114067.X
申请日:2003-03-27
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/304
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明揭示一种碳纳米管场发射元件,其包括一阴极,一碳纳米管阵列,该碳纳米管阵列通过化学气相沉积法制得,其包括一生长顶端及一生长根部,其特征在于该碳纳米管阵列生长顶端与该导电阴极电连结,该生长根部完全裸露,作为场发射元件的电子发射端。本发明通过反向制程的方式利用平整的碳纳米管阵列生长根部作为场发射元件的电子发射端,极大的改善了利用碳纳米管阵列端部作为电子发射端因其端部不平整而导致电子发射的不均匀性,提高了场发射元件电子发射的性能。
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公开(公告)号:CN101302007A
公开(公告)日:2008-11-12
申请号:CN200810095291.1
申请日:2008-05-09
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J2201/30469 , H01J2329/00 , Y10S977/742 , Y10T428/27
Abstract: 本发明提供混杂复合材料、电子发射体、制备方法及电子发射器件。具体地说,提供包括碳纳米管和得自碳化物的碳的混杂复合材料、包括该复合混杂材料的电子发射体、制备该电子发射体的方法及包括该电子发射体的电子发射器件,该得自碳化物的碳通过将碳化物化合物和含卤族元素的气体进行热化学反应使得构成该碳化物化合物的除碳外的所有元素被提出而制备。由于碳纳米管和得自碳化物的碳混杂并复合,可防止当使用大量碳纳米管时可发生的屏蔽效应,且包括该混杂复合材料的电子发射体具有优异的电子发射能力、优异的均匀性和长寿命。
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公开(公告)号:CN100423161C
公开(公告)日:2008-10-01
申请号:CN03136801.8
申请日:2003-04-22
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明公开一种用于场发射显示装置的电子发射源组合物,该组合物包括1~20%重量的碳纳米管;玻璃粉;有机粘合剂树脂,其包括乙基纤维素和丙烯酸酯树脂和/或丙烯酸树脂;及有机溶剂。其中玻璃粉的含量按100重量份的碳纳米管计为1~500重量份。
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公开(公告)号:CN100423160C
公开(公告)日:2008-10-01
申请号:CN02141076.3
申请日:2002-03-27
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , B01J23/44 , B01J23/63 , B01J23/89 , B01J23/8913 , B01J23/892 , B01J35/0013 , B01J37/347 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , D01F9/127 , D01F9/1273 , H01J2201/30469 , Y10S977/724 , Y10S977/749
Abstract: 一种用于促进碳纤维生长的催化剂,该碳纤维能在低温下令人满意地生长而不需要复杂的过程,而且适用于例如电子发射装置。用于碳纤维生长的催化剂包含Pd和选自Fe,Co,Ni,Y,Rh,Pt,La,Ce,Pr,Nd,Gd,Tb,Dy,Ho,Er和Lu中的至少一种元素,其中所包含的被选择的至少一种元素与Pd的比率为20-80atm%(原子百分比)。
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公开(公告)号:CN101176181A
公开(公告)日:2008-05-07
申请号:CN200480038817.2
申请日:2004-12-21
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/04 , C01B2202/36 , H01J1/304 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明公开了外径小于10纳米并且管壁数量小于10的碳纳米管材料。本发明还公开了包括衬底、任选的促进附着层和电场发射材料层的电场发射元件。电场发射材料包括每根碳管的同心石墨片层(graphene)壁的数量从2至10、外径从2至8纳米、并且纳米管长度大于0.1微米的碳纳米管。一种制备碳纳米管的方法,包括步骤(a)生产负载在MgO粉末上的含Fe和Mo的催化剂;(b)使用氢气和含碳气体的混合物作为前体;以及(c)加热该催化剂到950℃以上以产生碳纳米管。另一种制造电场发射阴极的方法,包括步骤(a)合成包含每根碳管的同心石墨片层壁的数量从2至10、外径从2至8纳米并且纳米管长度大于0.1微米的碳纳米管的电场发射材料;(b)在适当的溶剂中分散该电场发射材料;(c)将该电场发射材料沉积到衬底上;以及(d)将该衬底退火。
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公开(公告)号:CN101125944A
公开(公告)日:2008-02-20
申请号:CN200710129277.4
申请日:2007-04-26
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 金柱英
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J2201/30469 , H01J2209/0223
Abstract: 本发明涉及一种用于形成电子发射源的组合物,所述组合物包含碳基材料、载体以及包含下式(1)单元的聚合物:其中A1为单键,或为取代或未取代的C1-C20亚烷基;Z1和Z2各自独立为氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、羧基、-NR1R2基团、苯乙烯基树脂的一部分或线形酚醛树脂的一部分,R1和R2各自独立为氢、取代或未取代的C1-C20烷基或取代或未取代的C6-C30芳基。所述组合物具有改善的印刷适性、光敏性、显影性能和粘附性并可形成具有精细图案的电子发射源。本发明还涉及由所述组合物形成的电子发射源和包括所述电子发射源的电子发射装置。
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公开(公告)号:CN101101841A
公开(公告)日:2008-01-09
申请号:CN200610061558.6
申请日:2006-07-07
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 一种碳纳米管丝阴极体的制造方法,其包括以下步骤:提供一根碳纳米管丝;由该碳纳米管丝得到若干段碳纳米管丝;将一段碳纳米管丝粘在金属丝的一端;将该段碳纳米管丝置于火焰中燃烧,得到一个碳纳米管丝阴极体。利用此方法制造得到的碳纳米管丝阴极体的长度和端部形貌具有较好的一致性,其场发射性能也比较一致,能够批量制造性能一致的碳纳米管丝阴极体。
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公开(公告)号:CN101051586A
公开(公告)日:2007-10-10
申请号:CN200610060188.4
申请日:2006-04-05
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , H01J1/304 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射电子源的制造方法,其包括以下步骤:提供两个顶部相对的导电基体,使其相对的两顶部共同浸入同一含碳纳米管的溶液中;施加一交流电压于该两导电基体之间,以使至少一碳纳米管组装至该相对的两顶部之间;切断两导电基体之间的电流并移除上述两导电基体相对两顶部之间的溶液;分开上述两相对的导电基体,以使至少一碳纳米管附着于至少一导电基体的顶部,形成碳纳米管场发射电子源;修饰该碳纳米管用于发射电子一端的表面,以使该碳纳米管场发射电子源具有更大的场发射电流密度。
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公开(公告)号:CN101042982A
公开(公告)日:2007-09-26
申请号:CN200610060043.4
申请日:2006-03-24
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J63/06 , B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J7/183 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射平面显示光源,其包括阳极、与阳极对应设置的阴极、设置在阳极和阴极之间使二者相互隔开的多个支撑条和固定阳极、阴极和支撑条并在其内部形成一密封空间的边封体。阳极包括一个阳极基板、设置在阳极基板上的阳极导电层和设置在阳极导电层上的荧光层。阴极包括一个阴极基板、设置在阴极基板上的阴极导电层和设置在阴极导电层上且与阳极的荧光层相对应的电子发射层。其中,电子发射层包含吸气剂微粒、金属导电微粒、纳米材料和玻璃。本发明还涉及制造上述场发射平面显示光源的方法。
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公开(公告)号:CN101042977A
公开(公告)日:2007-09-26
申请号:CN200610060018.6
申请日:2006-03-22
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J37/073 , H01J37/26 , H01J2201/30411 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469 , H01J2237/06341 , H01J2237/28
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射电子源,其包括:一导电基体、一碳纳米管和一导电金属层,该导电基体具有一顶部,该碳纳米管一端与该导电基体顶部电性连接,另一端沿该导电基体顶部向外延伸,该导电金属层形成于该碳纳米管表面与该导电基体顶部表面。本发明还涉及上述碳纳米管场发射电子源的制造方法。
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