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    DIODE ZENER A TENSION DE CLAQUAGE AJUSTABLE
    144.
    发明专利
    DIODE ZENER A TENSION DE CLAQUAGE AJUSTABLE 未知

    公开(公告)号：FR3033938A1

    公开(公告)日：2016-09-23

    申请号：FR1552290

    申请日：2015-03-19

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： SIMOLA ROBERTO ,  FORNARA PASCAL

    IPC: H01L29/866

    Abstract: L'invention concerne une diode Zener comprenant : une jonction de diode Zener formée dans un substrat semi-conducteur (SUB) parallèlement à la surface du substrat entre une région de cathode (CD1) et une région d'anode (AD1), des régions conductrices (BDC, EDC, ED1, NW) configurées pour générer un premier champ électrique perpendiculaire à la jonction de diode Zener, lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates, et des régions conductrices (GT1, GTC) configurées pour générer un second champ électrique dans le plan de la jonction de diode Zener, lorsqu'elles sont soumises à des tensions adéquates.

    PROCEDE D'AUTHENTIFICATION D'UN OBJET PAR UN DISPOSITIF CAPABLES DE COMMUNIQUER MUTUELLEMENT SANS CONTACT, SYSTEME ET OBJET CORRESPONDANTS
    145.
    发明专利
    PROCEDE D'AUTHENTIFICATION D'UN OBJET PAR UN DISPOSITIF CAPABLES DE COMMUNIQUER MUTUELLEMENT SANS CONTACT, SYSTEME ET OBJET CORRESPONDANTS 未知

    公开(公告)号：FR3032293A1

    公开(公告)日：2016-08-05

    申请号：FR1550827

    申请日：2015-02-03

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： WUIDART SYLVIE

    IPC: G06F21/44 ,  G06F21/60

    Abstract: L'objet stocke une signature (SGN) qui lui est associée. Le procédé comprend une élaboration (S23) dans ledit objet d'au moins une information de personnalisation (SGNM) de l'objet au moins à partir de ladite signature stockée (SGN) et d'au moins une indication (RD) associée audit objet et communiquée sans contact (S22) par le dispositif audit objet lors de l'authentification, une communication sans contact (S24) audit dispositif de ladite au moins une information de personnalisation (SGNM), au moins une détermination (S25) par le dispositif de ladite signature (SG) à partir de ladite au moins une information de personnalisation (SGNM) et de ladite au moins une indication (RD), et au moins une vérification (S26) de ladite signature (SGN) par le dispositif.

    DISPOSITIF ELECTRONIQUE COMPRENANT UN MODULE DE REVEIL D'UN APPAREIL ELECTRONIQUE DISTINCT D'UN COEUR DE TRAITEMENT
    146.
    发明专利
    DISPOSITIF ELECTRONIQUE COMPRENANT UN MODULE DE REVEIL D'UN APPAREIL ELECTRONIQUE DISTINCT D'UN COEUR DE TRAITEMENT 未知

    公开(公告)号：FR3030177A1

    公开(公告)日：2016-06-17

    申请号：FR1462541

    申请日：2014-12-16

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： COTTINET JONATHAN ,  BINI JEAN-CLAUDE

    IPC: H04W52/02 ,  G06F1/32 ,  G10L15/22

    Abstract: Dispositif électronique (4) comprenant un module annexe (6) couplé à un cœur (5) possédant un état de veille comportant un premier circuit d'alimentation (7), une première horloge (8) et des moyens (9) de reconnaissance de commandes vocales multiples cadencées par la première horloge (8). Le module annexe (6) comporte un second circuit d'alimentation (10) indépendant du premier (7), une seconde horloge (11) indépendante de la première horloge (8) et ayant une fréquence inférieure à la première horloge (8), un bloc numérique (12) cadencé par la seconde horloge (11) comportant au moins un premier moyen de capture (13) d'un signal sonore et configuré pour délivrer un signal sonore traité, et une unité de traitement (17) configurée pour, en présence d'un paramètre du signal sonore traité supérieur à un seuil, analyser le contenu du signal sonore traité et délivrer, lorsque le contenu du signal sonore comprend un motif de référence, un signal d'activation au cœur (5) apte à le sortir de son état de veille.

    DISPOSITIF DE MEMOIRE NON VOLATILE COMPACT
    148.
    发明专利
    DISPOSITIF DE MEMOIRE NON VOLATILE COMPACT 未知

    公开(公告)号：FR3029000A1

    公开(公告)日：2016-05-27

    申请号：FR1461339

    申请日：2014-11-24

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： TAILLIET FRANCOIS ,  BATTISTA MARC

    IPC: G11C8/14 ,  G11C5/02

    Abstract: Le dispositif de mémoire non volatile, comprend un plan mémoire matriciel comportant des colonnes de mots-mémoire formés respectivement sur chaque rangée du plan-mémoire par des groupes de cellules-mémoires et des éléments de commande respectivement associés aux mots-mémoires de chaque rangée. Certains au moins des éléments de commande (CGSi,0-CGSi,3) associés aux mots-mémoires (MWi,0-MWi,3) de la rangée correspondante forment au moins un bloc de commande (BLC) de B éléments de commande disposés les uns à côté des autres, adjacent à un bloc mémoire (BLM) contenant les B mots mémoires disposés les uns à côté des autres et associés à ces B éléments de commande, une première liaison électriquement conductrice (ML0) connectant l'un des B éléments de commande à toutes les électrodes de commande des transistors d'état du groupe de cellules-mémoires correspondant et B-1 deuxième(s) liaison(s) électriquement conductrice(s) (ML1-ML3) connectant respectivement l e(s) B-1 élément(s) de commande à toutes les électrodes de commande des transistors d'état du(des) B-1 groupe(s) de cellules-mémoires correspondant(s) en s'étendant au moins partiellement au-dessus d'au moins un autre groupe de cellules-mémoires.

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