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公开(公告)号：CN112992904A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011460967.X
申请日：2020-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 一种三维半导体器件，包括：第一沟道图案，其位于衬底上并与衬底间隔开，第一沟道图案具有第一端和第二端以及在第一端与第二端之间连接的第一侧壁和第二侧壁，第一端和第二端在与衬底的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开，第一侧壁和第二侧壁在与衬底的顶表面平行的第二方向上彼此间隔开，第二方向与第一方向相交；位线，其与第一沟道图案的第一端接触，位线在与衬底的顶表面垂直的第三方向上延伸；以及第一栅电极，其与第一沟道图案的第一侧壁相邻。
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公开(公告)号：CN112397517A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010824227.3
申请日：2020-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 一种半导体存储器件包括：具有单元区域和接触区域的衬底，接触区域具有外围电路区域；在单元区域上的第一堆叠和第二堆叠；以及在外围电路区域上的第一外围晶体管。第一堆叠和第二堆叠中的每个包括：半导体图案，在垂直方向上堆叠在单元区域上；位线，在垂直方向上堆叠在单元区域上并分别连接到半导体图案的第一端，每条位线在相对于衬底的上表面的水平方向上从单元区域延伸到接触区域；以及字线，与半导体图案相邻地设置并在垂直方向上从衬底的单元区域延伸。第一外围晶体管设置在第一堆叠的位线和第二堆叠的位线之间。
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公开(公告)号：CN112331663A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202010756097.4
申请日：2020-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11521 , H01L27/11578 , H01L27/11568
Abstract: 一种半导体存储器器件包括：堆叠，包括垂直地堆叠在衬底上的多个单元层，每个单元层包括在第一方向上延伸的位线和在与第一方向交叉的第二方向上从位线延伸的半导体图案；栅电极，沿着垂直地堆叠的半导体图案中的每个；垂直绝缘层，在栅电极上；停止物层；以及数据存储元件，分别电连接到半导体图案中的每个。数据存储元件中的每个包括：第一电极，电连接到半导体图案中的相应半导体图案；在第一电极上的第二电极；以及电介质层，在第一电极与第二电极之间。停止物层在垂直绝缘层与第二电极之间。
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公开(公告)号：CN106961655B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201710012710.X
申请日：2017-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及传感器网络、机器类型通信(MTC)、机器对机器(M2M)通信以及物联网(IoT)技术。本公开可应用于基于上述技术的智能服务，诸如智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车、连接汽车、医疗保健、数字教育、智能零售、安全性和安全服务。通过服务器检测伪造通告器的方法包括基于从基准设备接收到的通告分组的时间戳检测基准设备的随机延迟时间或累积间隔，以及基于从接收设备接收到的通告分组的时间戳检测不同于基准设备的接收设备的随机延迟时间或累积间隔。
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公开(公告)号：CN110660822A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910567221.X
申请日：2019-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种可变电阻存储器装置，所述可变电阻存储器装置包括：第一导线，在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸；存储器单元，在第一导线的侧面上沿第一方向彼此隔开并连接到第一导线；以及第二导线，分别连接到存储器单元。每条第二导线在第二方向上与第一导线隔开。第二方向与基底的顶表面平行并且与第一方向交叉。第二导线在与基底的顶表面垂直的第三方向上延伸，并且在第一方向上彼此隔开。每个存储器单元包括可变电阻元件和选择元件，可变电阻元件和选择元件布置在同一水平处并且在第二方向上水平地布置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110491855A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201811583019.8
申请日：2018-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L29/423 , H01L27/108
Abstract: 一种集成电路装置包括：衬底，其具有包括第一有源区的单元阵列区域和包括第二有源区的外围电路区域；直接接触件，其连接至单元阵列区域中的第一有源区；位线结构，其连接至单元阵列区域中的直接接触件；以及外围电路区域中的第二有源区上的外围电路栅极结构，其中，外围电路栅极结构包括各自掺杂有彼此掺杂浓度不同的载流子杂质的两个掺杂的半导体层。
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公开(公告)号：CN110325409A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880013809.4
申请日：2018-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及将5G通信系统与物联网(IoT)技术融合的通信技术及其系统，以支持与4G系统相比更高的数据传输速率。本公开可以应用于基于5G通信和基于物联网(IoT)相关技术的智能服务(例如，智能家居、智能建筑、智慧城市、智能汽车或联网汽车、医疗保健、数字教育、零售、安保和安全相关服务等)。本公开涉及用于传感器网络、机器到机器(M2M)、机器类型通信(MTC)和物联网(IoT)的技术。基于上述技术，本公开可以用于智能服务(智能家居、智能建筑、智慧城市、智能汽车或联网汽车、医疗保健、数字教育、零售、安保和安全相关服务等)。根据本发明的一个实施例的装置的密钥认证方法可以包括以下步骤：使用多个通信模块从终端接收信号；基于经由该多个通信模块接收的每个信号，确定该终端是否存在于距该装置的预定距离内；以及基于该终端是否存在于距该装置的预定距离内，改变安装有该装置的车辆的控制模式。
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公开(公告)号：CN110034094A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811360494.9
申请日：2018-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528
Abstract: 一种半导体装置，包括多个导电结构，所述多个导电结构被布置在衬底上，并且在实质上垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开，其中多个导电结构中的每一个在第一方向上延伸。多个接触结构按照交替布置的方式被布置在导电结构之间，并且在第一方向上彼此间隔开。多个绝缘结构被布置在导电结构和接触结构之间的空间中。多个空气间隔件分别被布置在交替布置的多个导电结构和多个接触结构之间，并且在第一方向上彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN109979941A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811542208.0
申请日：2018-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 提供了半导体存储装置。半导体存储装置包括：基底；以及堆叠件，包含位于基底上的多个层。所述多个层中的每一个层包括：半导体图案；以及第一导电线，连接到半导体图案中的至少一个半导体图案。第二导电线和第三导电线穿透堆叠件。半导体图案包括在所述多个层中的第一层中彼此相邻并且彼此间隔开的第一半导体图案和第二半导体图案。第三导电线位于第一半导体图案与第二半导体图案之间，并且共同地连接到第一半导体图案和第二半导体图案。
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公开(公告)号：CN108432273A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680075603.5
申请日：2016-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04W8/005 , G06Q30/0241 , G06Q30/0261 , G06Q30/0267 , G06Q30/0269 , H04W4/021 , H04W4/20 , H04W4/80
Abstract: 本公开涉及传感器网络、机器类型通信(MTC)、机对机(M2M)通信和物联网(IoT)技术。本公开可应用于基于以上技术的智能服务，诸如智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车、联网汽车、医疗保健、数字教育、智能零售、安保和安全服务。本公开提供了一种用于操作电子装置的方法。该方法包括：发送包括一个或更多个对象的列表的信号；接收包括至少一个对象的信标识别信息的信号，所述至少一个对象包括在所述一个或更多个对象的列表中；存储所述信标识别信息；以及当接收到与所存储的信标识别信息匹配的至少一个信标信号时，向服务器请求关于所述至少一个对象的信息。
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