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    반투명 CIGS 태양전지 및 이의 제조방법 및 이를 구비하는 건물일체형 태양광 발전 모듈
    145.
    发明授权
    반투명 CIGS 태양전지 및 이의 제조방법 및 이를 구비하는 건물일체형 태양광 발전 모듈 有权
    半透明CIGS太阳能电池，其制造方法以及建筑一体化光伏组件

    公开(公告)号：KR101848853B1

    公开(公告)日：2018-04-13

    申请号：KR1020160056666

    申请日：2016-05-09

    Applicant: 한국에너지기술연구원

    Inventor： 윤재호 ,  조준식 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  유진수 ,  안승규 ,  박주형 ,  어영주 ,  조아라 ,  김기환 ,  울라무함마드사이프

    IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H02S20/26

    CPC classification number: Y02A30/62 ,  Y02B10/10 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    Abstract: 본발명은반투명특성을가지면서도효율이우수한 CIGS 태양전지및 이의제조방법에관한기술을제공하며, 본발명의일실시예에따른반투명 CIGS 태양전지는투명전도성기판, 투명전도성기판상에형성되고밴드갭이광흡수층보다높은 AgGaS중간층, 중간층상에 400nm 이하의두께로형성되고밴드갭이 1.5 eV 이상인 CIGS계광흡수층을포함하며, 광흡수층상에순차적으로버퍼층, 투명전도층, 전면전극이적층된구조를갖으며, 후면전극으로투명반도체산화물을사용하고밴드갭이 1.5 eV 이상으로높은 CIGS 광흡수층을사용함에따라가시광선영역의일부광을투과시켜반투명특성을가지면서도투명전도성기판과광흡수층의사이에밴드갭이큰 중간층을포함함에따라태양전지의투명성과효율을동시에향상시키는효과를갖는다.

    Abstract translation: 本发明提供的制造方法的说明，同时具有透光特性效率优异CIGS太阳能电池，并且形成透明导电性基材，在透明导电基板上带根据本发明的一个实施例其半透明CIGS太阳能电池 高AgGaS中间层，比间隙李中间层，KWANG吸收层包含CIGS gyegwang吸收或多个形成为厚度小于1.5电子伏特的400nm的带隙，在所述光吸收层的缓冲层，透明导电层的序列，前电极是叠层结构 之中是储量，透明使用半导体氧化物，并根据该使用高CIGS光吸收通过传输一些光在可见光区，同时具有半透明属性的透明导电基板和所述光吸收层层中的带隙小于1.5电子伏特的背面电极 包含具有大带隙的中间层具有同时提高太阳能电池的透明度和效率的效果。

    패시베이션층을 포함한 칼코게나이드계 태양전지 및 그 제조방법
    146.
    发明授权
    패시베이션층을 포함한 칼코게나이드계 태양전지 및 그 제조방법 有权
    硫化镍太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号：KR101825032B1

    公开(公告)日：2018-02-05

    申请号：KR1020160141248

    申请日：2016-10-27

    Applicant: 한국에너지기술연구원

    Inventor： 어영주 ,  조준식 ,  윤재호 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  유진수 ,  안승규 ,  박주형 ,  조아라 ,  김기환

    IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/1868

    Abstract: 본발명에의한패시베이션층을포함한칼코게나이드계태양전지는, 기판; 상기기판위에형성된후면전극; 상기후면전극위에형성된패시베이션층; 상기패시베이션층위에형성된칼코게나이드계반도체재질의광흡수층; 상기광흡수층위에형성된버퍼층및 투명전도층; 및상기버퍼층및 투명전도층위에형성된전면전극을포함하며, 상기패시베이션층은상기후면전극과상기광흡수층사이의계면에서부분적으로형성된것을특징으로한다. 본발명은, 후면전극과광흡수층사이의계면에서패시베이션층이부분적으로형성됨으로써, 전자및 정공쌍 재결합을억제시켜표면재결합속도를감소시키고, 전하캐리어수명(charge carrier lifetime)을증가시켜광 변환효율을증가시키며, 개방전압을증가시킬수 있다.

    Abstract translation: 包括根据本发明的钝化层的基于硫属化物的太阳能电池包括：衬底; 形成在基板上的后电极; 形成在后电极上的钝化层; 在钝化层上形成硫属化物半导体材料的光吸收层; 形成在光吸收层上的缓冲层和透明导电层; 以及形成在缓冲层和透明导电层上的前电极，其中钝化层部分形成在后电极和光吸收层之间的界面处。 钝化层部分地形成在背电极和光吸收层之间的界面处以抑制电子和空穴的复合并降低表面复合速度并增加电荷载流子寿命， 并且可以增加开路电压。

    ＳｎＳ 박막 형성방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법
    147.
    发明授权
    ＳｎＳ 박막 형성방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법 有权

    公开(公告)号：KR101757169B1

    公开(公告)日：2017-07-13

    申请号：KR1020150189900

    申请日：2015-12-30

    Applicant: 한국에너지기술연구원

    Inventor： 곽지혜 ,  안세진 ,  윤재호 ,  조아라 ,  어영주 ,  안승규 ,  김기환 ,  조준식 ,  박주형 ,  유진수 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  손지혜

    IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  C23C14/14

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본발명은고품질의 SnS 박막을상용화에적합한공정으로형성하는방법에관한것으로, Sn과 S를포함하는전구체막을형성하는전구체막형성단계; 상기전구체막을가열하여 Sn과 S를반응시켜 SnS를형성하면서이외의 2차상은기화시키는단일상형성단계;를포함하여구성되고, 상기단일상형성단계가, SnS는기화하지않고 SnS와 SnS등의 2차상은기화하는압력및 온도조건에서수행되어단일상의 SnS 박막을형성하는것을특징으로한다. 본발명은, Sn과 S을포함하는전구체막을형성한뒤에단일상형성단계를수행하여고품질의 SnS 박막을형성하는방법을제공함으로써, 고품질의 SnS 박막을상용화가가능한저비용의공정으로형성할수 있는뛰어난효과를나타낸다. 또한, 독성이없고재료비가저렴한고품질의 SnS 박막을낮은공정비용으로형성함으로써, SnS 박막을광흡수층으로구비한 SnS 태양전지를낮은비용으로제조할수 있는효과가있다.

    ＡＣＩＧＳ 박막의 저온 형성방법과 이를 이용한 태양전지의 제조방법
    149.
    发明公开
    ＡＣＩＧＳ 박막의 저온 형성방법과 이를 이용한 태양전지의 제조방법 有权
    ACIGS薄膜的低温形成方法和使用它的太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号：KR1020170050635A

    公开(公告)日：2017-05-11

    申请号：KR1020150152424

    申请日：2015-10-30

    Applicant: 한국에너지기술연구원

    Inventor： 김기환 ,  윤재호 ,  조준식 ,  곽지혜 ,  어영주 ,  조아라 ,  윤경훈 ,  신기식 ,  안세진 ,  박주형 ,  안승규 ,  유진수

    IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0392

    CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/032 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

    Abstract: 본발명은상대적으로낮은온도에서간단한공정으로고효율의 CIGS계박막을형성하는방법에관한것으로서, Ag 박막을형성하는단계; 및 Ag 박막의표면에 Cu, In, Ga 및 Se를동시진공증발법으로증착하는 ACIGS 형성단계로구성되며, 상기 ACIGS 형성단계에서, Cu, In, Ga 및 Se를증착하는과정에서 Ag 박막을구성한 Ag가모두확산되어상기동시진공증발된 Cu, In, Ga 및 Se와함께 ACIGS를형성하는것을특징으로한다. 본발명은, Ag 박막을먼저형성한뒤에 CIGS 원소를동시진공증발증착함으로써, 상대적으로낮은 400℃이하의온도에서 1단계의동시진공증발공정만으로발전효율이향상된 ACIGS 박막을형성할수 있는효과가있다. 또한, 본발명의태양전지는특유의제조방법에의해서결정성이향상된 ACIGS 박막을광흡수층을구비함으로써, 표면보이드가감소하고결정립의배향성이향상되어발전효율이향상된태양전지를제공할수 있는효과가있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种通过在较低温度下的简单工艺形成高效CIGS薄膜的方法，该方法包括以下步骤：形成Ag薄膜; 和由铜，In，Ga和硒的Ag薄膜作为ACIGS形成沉积同时真空蒸镀法的步骤，在ACIGS形成工序的表面上的，配置在该过程中的Ag膜淀积的Cu，In，Ga和硒 Ag被蒸发并且ACIGS与Cu，In，Ga和Se同时蒸发形成。 本发明，是通过沉积CIGS元件handwie形成Ag薄膜的同时真空蒸发，首先，在不低于相对低的400℃这样高的温度下的发电效率仅由第1步的同时真空蒸发工艺可形成一种改进的ACIGS膜的效果。 另外，通过提供一个光吸收层，以ACIGS薄膜，由太阳能电池的制造方法提高了结晶度是本发明特有的，空隙的表面被还原成，提高了晶粒的取向，它可以提供发电效率的效果得到提高的太阳能电池 有。

    태양전지용 SnS 박막 형성 방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법
    150.
    发明授权
    태양전지용 SnS 박막 형성 방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법 有权
    形成太阳能电池用SnS薄膜的方法及使用其的太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号：KR101723096B1

    公开(公告)日：2017-04-05

    申请号：KR1020150159160

    申请日：2015-11-12

    Applicant: 한국에너지기술연구원

    Inventor： 조아라 ,  조준식 ,  윤재호 ,  안세진 ,  곽지혜 ,  유진수 ,  안승규 ,  박주형 ,  어영주 ,  김기환

    IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0224

    CPC classification number: H01L31/0324 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02623 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864

    Abstract: 본발명은태양전지의광흡수층에적합한칼코겐화합물박막을형성하는방법에관한것으로, Sn 전구체물질과 S 전구체물질을포함하는전구체액을제조하는단계; 상기전구체액을도포하여전구체막을형성하는단계; 및상기전구체막을열처리하는단계;를포함하여구성되며, 상기 Sn 전구체물질과상기 S 전구체물질이액체상태의물질인것을특징으로한다. 본발명은, 액체상태의전구체물질을사용하여황화열처리공정없이칼코겐화합물박막을형성하는방법을제공함으로써, 고품질의 SnS 박막을비용이낮고대량생산에적합한공정으로형성할수 있는뛰어난효과를나타낸다. 또한, 대량생산에적합한공정으로광흡수층을형성함으로써, 칼코겐화합물박막태양전지를낮은비용으로제조할수 있는효과가있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种形成适用于太阳能电池的光吸收层的硫族化合物薄膜的方法，包括以下步骤：制备含有Sn前体材料和S前体材料的前体流体; 施加前体流体以形成前体膜; 并且热处理前体膜，其中Sn前体材料和S前体材料是液体材料。 本发明中，通过使用前体材料在液体状态，以形成硫属化物薄膜，而不硫化物热处理过程中提供的方法中，显示出优异的效果，即可以形成用于大量生产高品质的SnS薄膜低成本一个合适的工艺。 此外，通过在适于批量生产的工艺中形成光吸收层，可以低成本地制造硫属化合物化合物薄膜太阳能电池。

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