公开(公告)号：CN101777490A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN201010000251.1

申请日：2010-01-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宥朋 ,  游伟明 ,  邓端永 ,  林俊男 ,  董胜健 ,  苏斌嘉

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01L21/26513

Abstract: 本发明提供一种在晶圆上形成掺杂层的方法，包括：提供一晶圆；供应一掺杂物气体于离子源的电弧室中；供应一稀释物以稀释掺杂物气体，上述稀释物包含约48％至约50％的氙分子和约50％至约52％的氢分子；从使用上述离子源的稀释的掺杂物气体产生一离子束；并且将此离子束射向晶圆，以在晶圆上形成一掺杂层。

公开(公告)号：CN101147227B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680009501.X

申请日：2006-03-22

Applicant: 应用材料有限公司

Inventor： R·D·戈德堡 ,  C·J·S·伯吉斯 ,  A·S·第维尼 ,  D·G·阿默 ,  D·柯克伍德

IPC: H01J37/08

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/082

Abstract: 本发明涉及适合于离子注入机(10)的离子源(14)，其包括阴极(20)和反阴极(44)。典型的，离子源保持在真空下并使用弧室(16)中产生的等离子体制造离子。从弧室提取等离子体离子，之后将其注入到半导体晶片(12)中。根据本发明的离子源进一步包括发射电子到弧室中的阴极(40)；安置在弧室使得由此阴极发射的电子是入射在其上的电极(44)；用于给该电极加偏压的一个或一个以上的电压电位源(76)；和电压电位调节器(82)，其可操作用于在正向偏压电极从而作为阳极的电压电位源和负向偏压电极从而作为反阴极的电压电位源之间转换。

公开(公告)号：CN101560643A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910134888.7

申请日：2009-04-15

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 中河原均 ,  佐佐木雅夫 ,  森胁崇行 ,  斋藤友康

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C14/28 ,  C03C17/002 ,  C23C14/081 ,  H01J37/08 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3233 ,  H01J37/3266 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/103 ,  H01J2237/15 ,  H01J2237/3146

Abstract: 本发明涉及一种等离子体产生设备、沉积设备和沉积方法，其从等离子体枪(20)发射等离子体束(25)并且之后通过布置成将等离子体束(25)夹在中间的一对相对的第一磁体(27、29)而使发射的等离子体束(25)变形。该等离子体产生设备包括布置在等离子体枪(20)和第一磁体(27、29)之间的至少一个第二磁体(11)，第二磁体包括等离子体束(25)通过的孔(12)以及从孔沿着与等离子体束(25)垂直的方向向外延伸的磁体部分，并且形成具有从孔(12)到达外部或者从外部到达孔(12)的磁力线的磁场。至少一个第二磁体(11)使发射的等离子体束集中。

公开(公告)号：CN100533642C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200480037422.0

申请日：2004-10-15

Applicant: 塞恩技术有限公司

Inventor： 韦恩·圣蒂

IPC: H01J27/02 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J27/146 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/31732

Abstract: 本发明公开一种用于从等离子产生离子束的离子源(100)。在阳极(112)的中心处通过可电离气体的高能电子和分子之间的碰撞产生等离子。电子源自阴极丝，并且通过施加的电势被加速到阳极(112)。阳极的突起(123)和具有与阳极的轴线对齐的轴线的磁场共同作用将电子的流动聚集于阳极(112)的中心。可电离的气体在聚集电子流的位置处或者通过阳极(112)侧壁中的通道(125)或者通过延伸进入电离区域的气体输送管子经由离子源的开口端被引入到离子源(100)的电离区域(113)。产生在电离区域中的离子从离子源被排出作为集中在磁场轴线上的离子束。阳极(112)包括容纳冷却流体的腔(127)。

公开(公告)号：CN101427350A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200780006744.2

申请日：2007-01-19

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·汉特曼 ,  乔纳森·英格兰 ,  拉力·史奈登 ,  拉塞尔·罗 ,  安东尼·雷诺 ,  艾力克斯恩德·培尔 ,  坷若许·沙丹特曼德

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J27/02 ,  C23C14/48

CPC classification number: H01J37/08 ,  C23C14/48 ,  H01J27/02 ,  H01J37/3171

Abstract: 本发明提供离子布植方法以及该方法使用的离子源。该方法包含：自包含多种元素的源进料气体产生离子。举例而言，源进料气体可包含硼以及至少两种其它元素(例如，XaBbYc)。使用此等源进料气体较某些公知过程而言可产生若干优点，包含能够在形成具有超浅接合深度的布植区域时使用较高布植能量以及离子束电流。又，在某些实施例中，源进料气体的成分可经选择以在相对高温(例如，大于350℃)下为热稳定的，此允许在使用期间产生此等温度的许多公知离子源中(例如，间接加热阴极(IHC)，Bernas)使用此等气体。

公开(公告)号：CN101291742A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200680038622.7

申请日：2006-08-30

Applicant: 先进科技材料公司

Inventor： 卡尔·M·奥兰德 ,  乔斯·I·阿尔诺 ,  罗伯特·凯姆

IPC: B05D3/06 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24 ,  C23C14/46 ,  C23C14/48 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425

CPC classification number: H01L21/265 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/082 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658

Abstract: 本发明涉及使用比三氟化硼更容易解离的含氟硼掺杂物质注入含硼离子的方法。本发明涉及制造半导体器件的方法，其包括使用比三氟化硼更容易解离的含氟硼掺杂物质注入含硼离子。本发明也揭示供应氢化硼前驱体的系统，形成氢化硼前驱体的方法和供应氢化硼前驱体的方法。在本发明的一个实施例中，产生所述氢化硼前驱体来用于团簇硼注入，以制造半导体产品，例如集成电路。

公开(公告)号：CN101236892A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810008875.0

申请日：2008-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李道行 ,  黄盛煜 ,  申哲浩

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32 ,  H01J37/08 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/24542

Abstract: 本发明公开了一种离子束设备。该离子束设备包括在等离子体腔的一端安装有栅格组件的等离子体腔和设置在等离子体腔和栅格组件之间的等离子壳层控制器。该栅格组件包括第一离子提取孔。该等离子壳层控制器包括小于第一离子提取孔的第二离子提取孔。当等离子壳层控制器在这种结构中使用时，等离子体的表面在邻近于该控制器处呈现更平坦的结构，使得以垂直于等离子体表面的方向从等离子体提取的离子干净地穿过栅格组件的孔而不与栅格组件孔的侧壁碰撞。本发明还提供了半导体制造设备和用于形成离子束的方法。

公开(公告)号：CN1302511C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200310116534.2

申请日：2003-11-14

Applicant: 日新意旺机械股份公司

Inventor： 岩泽康司

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  G01R27/00

CPC classification number: H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J37/242

Abstract: 一种离子源装置，包括：具有用于发射热电子的灯丝的离子源；用于测量流过该灯丝的电流的电流测量装置；用于测量灯丝上的电压的电压测量装置；用于通过使用由所述电流和电压测量装置测量的电流和电压来计算灯丝电阻值的电阻运算装置；和用于计算直到灯丝应用极限为止时的时间或者直到灯丝应用极限为止时剩余的时间的预知运算装置。

公开(公告)号：CN1271665C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN01122156.9

申请日：2001-05-10

Applicant: 日新离子设备株式会社

Inventor： 山下贵敏

IPC: H01J27/02 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  C23C14/48

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/04 ,  H01J2237/31701

Abstract: 离子源2具有加热固体材料6以产生蒸汽8的加热炉4，使该蒸汽8离子化产生等离子体的等离子体产生腔16，和连接加热炉4和等离子体产生腔16的蒸汽导管10。在该离子源2中，用氟化铟6a作为固体材料6，导出含铟离子的离子束30，同时将加热炉的温度维持在450℃到1170℃之间，低于等离子体产生腔16的温度。

公开(公告)号：CN1723527A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200480001844.2

申请日：2004-01-07

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： V·本威尼斯特

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/317 ,  H01J27/18

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J2237/31701

Abstract: 提供了一种用于离子注入机的改进的电极组件。该组件包括：(i)位于第一平面内并具有第一孔的第一大致平面的电极；(ii)位于大致平行于第一平面的第二平面内并具有与第一孔对准的第二孔的第二大致平面的电极；以及(iii)将第一大致平面的电极连接到第二平面的电极上的一对连杆。连杆允许第二大致平面的电极相对于第一大致平面的电极以大致平行且可滑动的方式运动。连杆以彼此非平行的关系设置，使得在经历热膨胀时第一和第二电极可在这些非平行连杆上彼此间相对地滑动，以便增大或减少其间的距离，并同时维持平行的关系。