公开(公告)号：FR2954508A1

公开(公告)日：2011-06-24

申请号：FR0959246

申请日：2009-12-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： CHARLEY SYLVAIN ,  DUPONT FRANCOIS ,  BONNET BENOIT

IPC: G01R27/16 ,  H01P5/18

Abstract: L'invention concerne un procédé et un circuit d'évaluation d'une impédance de charge en sortie d'un coupleur directif (4) dont une première ligne (41) est destinée à véhiculer un signal utile entre une première borne (42) et une deuxième borne (44) destinée à être connectée à une antenne (2), et dont une seconde ligne (43) couplée à la première comporte une troisième borne (46) côté première borne et une quatrième borne (48) côté deuxième borne, dans lequel le signal présent sur la quatrième borne est soumis à un détecteur homodyne (60) dont le signal d'oscillateur local est prélevé sur la troisième borne.

公开(公告)号：FR2954018A1

公开(公告)日：2011-06-17

申请号：FR0959067

申请日：2009-12-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： PERON BENOIT ,  JOUVE DAVID

IPC: H02M1/10

Abstract: L'invention concerne un circuit de fourniture d'au moins deux tensions d'alimentation (V1, V2) à partir d'une tension continue (VR) fournie par un premier convertisseur à découpage (2) entre une première (30) et une deuxième borne (36), dans lequel : un deuxième convertisseur à découpage (5) réversible de type abaisseur est alimenté par ladite tension continue ; un pont diviseur capacitif (C54, C57) relie lesdites première et deuxième bornes, le point milieu du pont diviseur capacitif correspondant à la sortie du deuxième convertisseur et définissant une troisième borne (32) de fourniture d'un potentiel intermédiaire (HAVDD) ; et lesdites deux tensions d'alimentation sont prélevées respectivement entre les première et troisième et entre les troisième et deuxième bornes.

公开(公告)号：FR2926679B1

公开(公告)日：2011-06-03

申请号：FR0850288

申请日：2008-01-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BEDU YANN ,  TOUZET DOMINIQUE ,  FARRONI JEAN PAUL

IPC: H01M2/02

公开(公告)号：FR2952626A1

公开(公告)日：2011-05-20

申请号：FR0958179

申请日：2009-11-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS ,  VERMON SA

Inventor： JEANNE EDGARD ,  FERIN GUILLAUME

IPC: B81B3/00 ,  B06B1/00 ,  H01L21/02

Abstract: L'invention concerne un microtransducteur capacitif à membrane vibrante dans lequel la membrane comprend, au-dessus d'une cavité (24), une partie centrale (22) en un premier matériau entourée d'une couronne intermédiaire (23) en un deuxième matériau entourée d'une couronne périphérique (21) en un troisième matériau, le deuxième matériau étant moins rigide que les premier et troisième matériaux.

公开(公告)号：FR2952477A1

公开(公告)日：2011-05-13

申请号：FR0957867

申请日：2009-11-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： BOUILLON PIERRE ,  GUY-BOUYSSOU DELPHINE

IPC: H01M10/38

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'une batterie de type lithium-ion intégrée, comprenant les étapes successives suivantes : former, sur un substrat (30), un empilement d'une couche de cathode (34) en un matériau susceptible d'accueillir en son sein des ions lithium, d'une couche d'électrolyte (42) et d'une couche d'anode (44) de la batterie ; former un court-circuit entre les couches d'anode et de cathode ; procéder à une évaporation thermique de lithium ; et ouvrir le court-circuit entre les couches d'anode et de cathode.

公开(公告)号：FR2945154A1

公开(公告)日：2010-11-05

申请号：FR0952872

申请日：2009-04-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： CONCORD JOEL

IPC: H01P1/20 ,  H01R13/66

Abstract: L'invention concerne un filtre (2) de mode commun comportant : en série entre une première borne d'entrée (22) et une première borne de sortie (26), un premier (L42) et un deuxième (L46) éléments inductifs couplés positivement ; en série entre une seconde borne d'entrée (24) et une seconde borne de sortie (28), un troisième (L44) et un quatrième (L48) éléments inductifs couplés positivement ; et en série entre chaque point milieu (21, 23) desdites associations en série d'éléments inductifs et la masse, un élément capacitif (C41, C43 ; D41, D43) et un cinquième élément inductif (L49).

公开(公告)号：FR2925766B1

公开(公告)日：2010-06-04

申请号：FR0760348

申请日：2007-12-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： ROY MATHIEU ,  LAURENT JEAN-YVES

IPC: H01M2/02 ,  H04M1/02

公开(公告)号：FR3086798B1

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：FR1858933

申请日：2018-09-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： LANOIS FREDERIC

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/04 ,  H01L21/762 ,  H01L21/77

公开(公告)号：FR3113775B1

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：FR2008948

申请日：2020-09-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： ORY OLIVIER ,  LEBRERE CHRISTOPHE

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/58

Abstract: Puce électronique La présente description concerne une puce électronique (11) comprenant au moins trois piliers (29) métalliques se prolongeant depuis une face de la puce, la hauteur (H) de chaque pilier étant supérieure à 20 µm, les piliers étant destinés à surélever la puce lors d'une fixation de la puce, par ladite face, au moyen d'un matériau de fixation (15) sur la paroi (13) d'un support. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3103315B1

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：FR1912895

申请日：2019-11-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： FALLOURD LUDOVIC

IPC: H01L21/70 ,  C23C16/44

Abstract: Procédé de fabrication de puces électroniques La présente description concerne un procédé de fabrication de puces électroniques, comprenant les étapes suivantes : former, du coté d'une première face d'un substrat semiconducteur (11) dans et sur lequel ont été préalablement formés une pluralité de circuits intégrés, des tranchées (27) délimitant latéralement une pluralité de puces comprenant chacune un unique circuit intégré ; et déposer une couche électriquement isolante (29) sur les parois latérales des tranchées (27) par un procédé de dépôt ALD, de façon à isoler les flancs de chaque puce. Figure pour l'abrégé : Fig. 8