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公开(公告)号:FR3123148A1
公开(公告)日:2022-11-25
申请号:FR2105176
申请日:2021-05-18
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: ORY OLIVIER , DE CRUZ MICHAEL
IPC: H01L21/70
Abstract: Fabrication de puces électroniques La présente description concerne une puce électronique (1) comportant un substrat semi-conducteur (11) portant au moins un contact métallique (31) s'étendant, dans l'épaisseur du substrat, le long d'au moins un flanc de la puce. Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号:FR3113775A1
公开(公告)日:2022-03-04
申请号:FR2008948
申请日:2020-09-03
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: ORY OLIVIER , LEBRERE CHRISTOPHE
Abstract: Puce électronique La présente description concerne une puce électronique (11) comprenant au moins trois piliers (29) métalliques se prolongeant depuis une face de la puce, la hauteur (H) de chaque pilier étant supérieure à 20 µm, les piliers étant destinés à surélever la puce lors d'une fixation de la puce, par ladite face, au moyen d'un matériau de fixation (15) sur la paroi (13) d'un support. Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号:FR3094837A1
公开(公告)日:2020-10-09
申请号:FR1903658
申请日:2019-04-05
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: LACONDE ERIC , ORY OLIVIER
IPC: H01L23/60
Abstract: Dispositif de protection contre des décharges électrostatiques La présente description concerne un dispositif (200) de protection contre des décharges électrostatiques, comportant : - un substrat semiconducteur (101) d'un premier type de conductivité revêtu d'une couche semiconductrice (103) du second type de conductivité ; - à l'interface entre le substrat (101) et la couche (103), une région enterrée (105) du second type de conductivité ; - des premier (107) et deuxième (109) caissons du premier type de conductivité formés dans la couche (103) du côté de sa face opposée au substrat (101) ; - une région (111) du deuxième type de conductivité formée dans le deuxième caisson (109) du côté de sa face opposée au substrat (101) ; et - une première région d'arrêt de canal (201) du deuxième type de conductivité formée dans la couche (103) du côté de sa face opposée au substrat (101) et séparant latéralement les premier (107) et deuxième (109) caissons. Figure pour l'abrégé : Fig. 2
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公开(公告)号:FR3093230B1
公开(公告)日:2023-01-06
申请号:FR1902000
申请日:2019-02-27
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: ORY OLIVIER
IPC: H01L23/28 , H01L23/485 , H01L23/60
Abstract: Boîtier de puce électronique La présente description concerne un dispositif (100) comprenant un substrat semiconducteur (102), une couche électriquement conductrice (104) recouvrant le substrat (102), et une enveloppe isolante (110), la couche conductrice étant en contact avec l'enveloppe isolante (110) du côté opposé au substrat. Figure pour l'abrégé : Fig. 3
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公开(公告)号:FR3085575B1
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:FR1857899
申请日:2018-09-03
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: ORY OLIVIER , JAILLET ROMAIN
Abstract: La présente description concerne un dispositif comprenant un support (104), une couche électriquement conductrice (106) recouvrant le support, un substrat semiconducteur (108) sur la couche conductrice, et une enveloppe isolante (110).
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公开(公告)号:FR3085575A1
公开(公告)日:2020-03-06
申请号:FR1857899
申请日:2018-09-03
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: ORY OLIVIER , JAILLET ROMAIN
Abstract: La présente description concerne un dispositif comprenant un support (104), une couche électriquement conductrice (106) recouvrant le support, un substrat semiconducteur (108) sur la couche conductrice, et une enveloppe isolante (110).
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公开(公告)号:FR2994335A1
公开(公告)日:2014-02-07
申请号:FR1257470
申请日:2012-08-01
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: ORY OLIVIER , LACONDE ERIC
Abstract: L'invention concerne un dispositif de protection d'un circuit intégré contre des surtensions, ce dispositif étant formé dans et sur un substrat semiconducteur (301) d'un premier type de conductivité et comportant : un condensateur (201) comprenant un caisson (305) du second type de conductivité pénétrant dans le substrat (301) et des tranchées (307) à parois isolées formées dans le caisson (305) et remplies d'un matériau conducteur (311) ; et une diode Zener (101) formée par la jonction entre le substrat (301) et le caisson (305).
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公开(公告)号:FR3113775B1
公开(公告)日:2022-09-30
申请号:FR2008948
申请日:2020-09-03
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: ORY OLIVIER , LEBRERE CHRISTOPHE
Abstract: Puce électronique La présente description concerne une puce électronique (11) comprenant au moins trois piliers (29) métalliques se prolongeant depuis une face de la puce, la hauteur (H) de chaque pilier étant supérieure à 20 µm, les piliers étant destinés à surélever la puce lors d'une fixation de la puce, par ladite face, au moyen d'un matériau de fixation (15) sur la paroi (13) d'un support. Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号:FR3099849B1
公开(公告)日:2021-08-27
申请号:FR1909122
申请日:2019-08-09
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: ORY OLIVIER
IPC: H01L23/60
Abstract: Dispositif de protection La présente description concerne un dispositif électronique (100) comprenant un substrat (300) comportant : un caisson (330) ; un mur (340) d’isolation périphérique, entourant le caisson (330) ; et au moins un transistor (500) bipolaire latéral, réalisé dans le caisson (330), dont une région (390) de base s’étend sous des régions (370, 372, 374, 380, 382) de collecteur et d’émetteur parallèles entre elles, le mur (340) étant élargi dans une première direction (X), parallèle aux régions (370, 372, 374, 380, 382) de collecteur et d’émetteur, de sorte que la région (390) de base pénètre à l’intérieur du mur (340). Figure pour l'abrégé : Fig. 2
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公开(公告)号:FR3099849A1
公开(公告)日:2021-02-12
申请号:FR1909122
申请日:2019-08-09
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: ORY OLIVIER
IPC: H01L23/60
Abstract: Dispositif de protection La présente description concerne un dispositif électronique (100) comprenant un substrat (300) comportant : un caisson (330) ; un mur (340) d’isolation périphérique, entourant le caisson (330) ; et au moins un transistor (500) bipolaire latéral, réalisé dans le caisson (330), dont une région (390) de base s’étend sous des régions (370, 372, 374, 380, 382) de collecteur et d’émetteur parallèles entre elles, le mur (340) étant élargi dans une première direction (X), parallèle aux régions (370, 372, 374, 380, 382) de collecteur et d’émetteur, de sorte que la région (390) de base pénètre à l’intérieur du mur (340). Figure pour l'abrégé : Fig. 2
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