公开(公告)号：EP2063632A1

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：EP07301561.2

申请日：2007-11-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Barbier, Frédéric ,  Deschamps, Benoît

IPC: H04N5/335

CPC classification number: H04N5/335 ,  H04N5/2355

Abstract: The invention concerns a method of reading voltages from an image sensor comprising an array of pixels, each pixel comprising at least one photodiode connectable to a storage node, the method comprising: controlling each pixel in a row of pixels to transfer charge accumulated in the photodiode above a first threshold to the storage node at the start and end of a first integration period (T TC ) and reading a first voltage at the storage node of each pixel in the row at the end of the first integration period; controlling of the pixels in the row to transfer charge accumulated in the photodiode above a second threshold to the storage node at the start and end of a second integration period (T C ) longer than the first integration period, and reading a second voltage value at the storage node of each pixel in the row at the end of the second integration period; controlling each pixel in a row of pixels to transfer charge accumulated in the photodiode to the storage node at the end of a third integration period (T L ) longer than the first and second integration periods; comparing for each pixel in the row, the first voltage values with a reference voltage; and based on the comparison, for each pixel in the row, performing one of: determining a pixel output value based on the first and/or second voltage values; and reading a third voltage value at the end of the third integration period, and determining a pixel output value based on the second and/or third voltage values.

Abstract translation: 本发明涉及一种从包括像素阵列的图像传感器读取电压的方法，每个像素包括可连接到存储节点的至少一个光电二极管，该方法包括：控制一行像素中的每个像素，以传输累积在光电二极管中的电荷 高于第一积分周期（T TC）开始和结束时的存储节点的第一阈值，并且在第一积分周期结束时读取行中每个像素的存储节点处的第一电压; 在长于第一积分周期的第二积分周期（TC）的开始和结束时，控制行中的像素以将累积在光电二极管中的电荷转移到第二阈值到存储节点，并且读取第二电压值 在第二积分期间结束的行中的每个像素的存储节点; 控制一行像素中的每个像素，以在比第一和第二积分周期长的第三积分周期（T L）结束时将累积在光电二极管中的电荷传输到存储节点; 比较行中每个像素，第一个电压值与参考电压; 并且基于所述比较，对于所述行中的每个像素执行以下之一：基于所述第一和/或第二电压值确定像素输出值; 以及在第三积分周期结束时读取第三电压值，以及基于第二和/或第三电压值确定像素输出值。

公开(公告)号：EP1832353A3

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：EP07103722.0

申请日：2007-03-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Martin, Christophe

IPC: B08B7/00 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F1/82 ,  B08B7/0071

Abstract: L'invention concerne un procédé et un équipement de nettoyage de masques (10) utilisés pour des étapes de photolithographie, comportant au moins une étape (23, 24) de traitement thermique sous pompage à une pression inférieure à la pression atmosphérique et à une température supérieure à la température ambiante.

公开(公告)号：EP1980968A1

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：EP08103508.1

申请日：2008-04-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Liardet, Pierre-Yvan ,  Teglia, Yannick

IPC: G06F21/00

CPC classification number: G06F21/54

Abstract: L'invention concerne un procédé de contrôle de l'exécution d'au moins un programme (Pg) dans un circuit électronique et un processeur d'exécution d'un programme, dans lequel au moins une zone (AREA) de mémoire volatile (14) du circuit est, préalablement à l'exécution du programme à contrôler, remplie avec des premières instructions (BOP) conduisant à un traitement d'exception ; le programme contient des instructions de remplacement de tout ou partie des premières instructions par des deuxièmes instructions valides; et ladite zone est appelée (JUMP AREA) pour exécution de tout ou partie des instructions qu'elle contient en fin d'exécution du programme d'instructions.

Abstract translation: 该方法包括在执行要控制的程序之前，填充易失性存储器的区域，即具有导致异常处理的差操作码（BOP）指令的电路的RAM（14））。 该程序包含有关通过有效的正常操作码（NOP）指令替换全部或部分指令的说明。 提供跳转区域用于执行包含在指令的程序执行结束处的全部或部分指令。

公开(公告)号：EP1617586B1

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：EP05106111.7

申请日：2005-07-05

Applicant: PROTON WORLD INTERNATIONAL N.V. ,  ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Daemen, Joan ,  Guillemin, Pierre ,  Anguille, Claude ,  Baedouillet, Michel ,  Liardet, Pierre-Yvan ,  Teglia, Yannick

IPC: H04L9/18

CPC classification number: G06F12/1408 ,  H04L9/065 ,  H04L2209/12

公开(公告)号：EP1944615A1

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：EP08100219.8

申请日：2008-01-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Roquelaure, Philippe

IPC: G01R31/3185

CPC classification number: G01R31/318527 ,  G01R31/31719 ,  H03K21/40

Abstract: L'invention concerne un procédé et un circuit de détection d'un dysfonctionnement d'au moins un premier compteur (10) commandé par un premier signal (CLK), dans lequel un deuxième compteur (20), commandé par un deuxième signal identique au premier signal ou à son inverse et comptant dans le sens inverse par rapport au premier compteur, est initialisé avec une valeur (N) complémentaire à une valeur d'initialisation (0) du premier compteur ; les valeurs courantes respectives des premier et deuxième compteurs sont sommées (23) ; et la somme courante (S23) est comparée (25) à au moins une valeur représentant la plus grande (N) des valeurs d'initialisation (0, N) ou cette plus grande valeur majorée (N+1) d'une unité.

Abstract translation: 该方法包括设置与另一计数器（10）的空值（0）互补的最大值（N）的计数器（20），其中计数器（20）由与另一信号相同的信号控制或反相 并且相对于计数器（10）在相反方向上计数。 使用加法器（23）加上各个计数器的当前值。 使用比较器（25）将电流和与表示最大值或最大值加1的值进行比较。 独立权利要求还包括以下内容：（1）一种用于保护电子电路的时钟信号的方法（2）一种用于保护计数器免受违反其价值的方法。

公开(公告)号：EP1752857B1

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：EP06118769.6

申请日：2006-08-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Cauchy Xavier

IPC: G06F1/02 ,  H03K4/02

CPC classification number: H03K4/026 ,  G06F1/02

公开(公告)号：EP1884911A1

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：EP06300858.5

申请日：2006-08-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Chaussy, Danika ,  Mas, Céline

IPC: G09G3/32

CPC classification number: G09G3/3283 ,  G09G3/3216 ,  G09G3/3266 ,  G09G2310/0248 ,  G09G2330/028

Abstract: The invention concerns circuitry (300) for controlling a display matrix formed of light-emitting diodes arranged in rows and columns, diodes in each row being connected to common row lines, and diodes in each column being connected to common column lines, each of said column lines being selectively connected to a current source for providing a current to each of said column lines when said column line is selected, a column voltage being present at a column node of each column line while said column line is selected, each of said row lines being selectively connected to a rowoff voltage for turning off the diodes in that row, the circuitry comprising generating means for generating said rowoff voltage comprising: capture circuitry (302, 304, 306) arranged to capture a maximum value of the column voltages present at the column nodes of a plurality of selected column lines; storage circuitry (308, 310, 312) arranged to store said maximum column voltage; and output circuitry (316, 318) arranged to provide said rowoff voltage based on said maximum column voltage.

Abstract translation: 本发明涉及用于控制由行和列排列的发光二极管形成的显示矩阵的电路（300），每行中的二极管连接到公共行线，并且每列中的二极管连接到公共列线，每个所述 列线选择性地连接到电流源，用于当选择所述列线时向每个所述列线提供电流，列电压存在于每列列线的列节点处，同时选择所述列线，所述行中的每一行 线路选择性地连接到用于关闭该行中的二极管的滚动电压的电路，该电路包括用于产生所述滚动电压的产生装置，包括：捕获电路（302,304,306），其被布置成捕获存在于 多个所选列线的列节点; 布置成存储所述最大列电压的存储电路（308,310,312）; 以及布置成基于所述最大列电压提供所述滚动电压的输出电路（316,318）。

公开(公告)号：EP1873836A1

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：EP07109668.9

申请日：2007-06-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Roy, François

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14627 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/0232

Abstract: L'invention concerne un capteur d'images comprenant un substrat (14) d'un matériau semiconducteur comprenant des première et seconde faces opposées (44) ; au moins une photodiode (D 2 ) formée dans le substrat du côté de la première face et destinée à être éclairée par la seconde face ; un empilement de couches isolantes (34, 36, 38) recouvrant la première face ; et des régions conductrices (40, 41) formées au niveau de l'empilement. Le capteur comprend en outre une couche (60) isolante et transparente recouvrant au moins en partie la seconde face ; une couche (62) conductrice et transparente recouvrant au moins en partie la couche isolante et transparente ; et un moyen de polarisation de la couche conductrice.

Abstract translation: 传感器具有形成在半导体衬底（14）的表面中并由衬底的后表面（44）照射的光电二极管。 一叠绝缘层（34,36,38）覆盖前一表面，并且在堆叠上形成导电区域。 透明绝缘层（60）覆盖后者表面并被透明导电层（62）覆盖。 偏振单元使导电层极化，其中导电层由诸如锡和氧化铟的金属氧化物的基底形成，并且具有小于500或200纳米的厚度。 对于图像传感器的制造方法也包括独立权利要求。

公开(公告)号：EP1865397A1

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：EP06300559.9

申请日：2006-06-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Maige, Philippe ,  Guedon, Yannick

IPC: G05F1/575 ,  G05F1/565

CPC classification number: G05F1/575

Abstract: The invention concerns a low drop-out DC voltage regulator (100) for regulating a voltage from a DC supply (V IN ) comprising: a pass device (102) controllable to maintain a required voltage at an output (106) of the regulator and arranged to provide a first current (I PASS ) from the DC supply, at least part of said first current being provided to a load connected to the output of the regulator; and current regulating means (120) connected to said pass device and to the output of the regulator, said current regulating means arranged to conduct a second current (I A ) controllable such that the first current through said pass device remains constant irrespective of variations in a load current to said load.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于调节来自直流电源（V IN）的电压的低压差直流电压调节器（100），包括：通过装置（102），其可控制以在所述调节器的输出端（106）处保持所需电压;以及 布置成从DC电源提供第一电流（I PASS），所述第一电流的至少一部分被提供给连接到调节器的输出的负载; 和电流调节装置（120），其连接到所述通过装置和调节器的输出端，所述电流调节装置被布置成传导可控的第二电流（IA），使得通过所述通过装置的第一电流保持恒定，而与 负载电流到所述负载。

公开(公告)号：EP1832353A2

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：EP07103722.0

申请日：2007-03-07

Applicant: ST MICROELECTRONICS S.A.

Inventor： Martin, Christophe

IPC: B08B7/00 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F1/82 ,  B08B7/0071

Abstract: L'invention concerne un procédé et un équipement de nettoyage de masques (10) utilisés pour des étapes de photolithographie, comportant au moins une étape (23, 24) de traitement thermique sous pompage à une pression inférieure à la pression atmosphérique et à une température supérieure à la température ambiante.

Abstract translation: 该方法包括在低于大气压和高于环境温度（Tamb）的温度下进行光刻掩模（10）的热处理，以获得积聚在掩模表面上的盐的蒸发。 热处理在电子工业的洁净室中进行，并且通过被清洁表面上的聚焦辐射获得。 光刻掩模清洁装置还包括独立权利要求。