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公开(公告)号：KR1020000032764A
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019980049319
申请日：1998-11-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/2581 , H04B10/25
CPC classification number: H04J14/0201 , G02B6/29317
Abstract: PURPOSE: An optical add/drop multiplexer using circular-type optical resonator filters is provided to simplify a connection of an optical wave guide and an optical fiber by selectively adding or dropping a specific wavelength in a wavelength division multiplexing(WDM) communication method. CONSTITUTION: 3-dB optical combiners(12,14) are connected to input and output terminals. Circular-type optical resonator filters(13) is connected between 3-dB optical combiners(12,14). A fused coupler is used as 3-dB optical combiners(12,14). The 3-dB optical combiner(12) bisects an optical intensity of an inputted signal light and inputs the bisected signal to the circular-type optical resonator filters(13). The circular-type optical resonator filters(13) selects a signal light with a specific wavelength to reflect the selected signal light and passes a signal light with other wavelength.
Abstract translation: 目的：提供使用圆形光谐振器滤波器的光分插复用器，通过选择性地在波分复用（WDM）通信方法中添加或删除特定波长来简化光波导和光纤的连接。 构成：3-dB光学组合器（12,14）连接到输入和输出端子。 圆形光谐振器滤波器（13）连接在3-dB光组合器（12,14）之间。 融合耦合器用作3-dB光学组合器（12,14）。 3dB光合成器（12）将输入信号光的光强度平分，并将平分信号输入到圆形光谐振滤波器（13）。 圆形光谐振器滤波器（13）选择具有特定波长的信号光以反射所选择的信号光并传递具有其它波长的信号光。
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公开(公告)号：KR100258098B1
公开(公告)日：2000-06-01
申请号：KR1019970065705
申请日：1997-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/868 , H01L31/10
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: An electro-optical oscillator using two negative resistance diodes inversely parallel connected is provided to apply in exchange of electro-optical signals and wired/wireless signal processing by modulating the oscillation signal of the electric circuit itself and the optical input induced by it. CONSTITUTION: A first PIN(positive intrinsic negative) diode(100) and a second PIN diode(200) are inversely parallel connected on a semi-insulating compound semiconductor plate(10). Each of the first PIN diode(100) and the second PIN diode(200) has type n semiconductor electrode(31), optical active intermediate layer for electro-optical absorption(42,43) and a type p semiconductor(51). The first PIN diode(100) and the second PIN diode(200) have negative resistance optical current and voltage characteristics when a laser is illuminated. The first PIN diode(100) and the second PIN diode(200) are inversely parallel connected to external source.
Abstract translation: 目的：使用两个逆并联连接的负电阻二极管的电光振荡器，以通过调制电路本身的振荡信号和由其引起的光输入来交换电光信号和有线/无线信号处理。 构成：在半绝缘化合物半导体板（10）上反向并联连接第一PIN（正本征负二极管）（100）和第二PIN二极管（200）。 第一PIN二极管（100）和第二PIN二极管（200）中的每一个具有n型半导体电极（31），用于电光吸收的光学活性中间层（42,43）和p型半导体（51）。 当激光被照亮时，第一PIN二极管（100）和第二PIN二极管（200）具有负电阻光电流和电压特性。 第一PIN二极管（100）和第二PIN二极管（200）反向并联连接到外部源。
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公开(公告)号：KR100251534B1
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019970065336
申请日：1997-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: A method for generating a multi-peak using a flank photo resonant transmission device is provided to deform a part of a structure of a dual barrier and generate a multi-peak characteristic by irradiating energy more than a band gap of an interval layer to a frank of a resonant transmission device having the structure of the dual barrier. CONSTITUTION: A beam having higher energy than a band gap of an interval layer is irradiated to a resonant transmission device(21) of a dual barrier structure(22) including interval layers formed on both ends. A multi-peak characteristic is generated by a difference between a resonant transmission condition of a beam absorption region and a resonant transmission condition of a non-beam absorption region. The resonant transmission device(21) has a diameter corresponding to two times to ten times of a reducing length of the absorbed beam.
Abstract translation: 目的：提供使用侧面光电共振传输装置产生多峰的方法，以使双重屏障的结构的一部分变形，并通过将间隔层的带隙照射的能量照射到多峰特性上而产生多峰特性 具有双重屏障结构的谐振传输装置的坦克。 构成：具有比间隔层的带隙高的能量的光束被照射到包括形成在两端的间隔层的双重屏障结构（22）的谐振传输装置（21）。 通过光束吸收区域的谐振传播条件与非光束吸收区域的谐振传输条件之间的差产生多峰特性。 谐振传输装置（21）具有对应于吸收光束的减小长度的两倍至十倍的直径。
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公开(公告)号：KR100198936B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960055818
申请日：1996-11-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/00
CPC classification number: H04Q11/0003 , H04Q11/0005 , H04Q2011/0035
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
자체광전효과소자를 이용한 다단구조의 광 패킷 스위칭장치.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
대칭형 자체광전효과소자 다수개를 이용하여 다단 구조로 형성함으로써, 입력된 광신호를 자기 복제 및 증폭한 후, 광 패킷의 헤더 부분에 대한 제어를 통해 자체 라우팅이 이루어지도록 하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
다수개의 대칭형 자체광전효과소자를 이용한 광 패킷 스위칭장치에 있어서,제1 및 제2 대칭형 자체광전효과소자를 상호 연결하여 전단부를 구성하고, 제3 및 제4 대칭형 자체광전효과소자를 상호 연결하여 후단부를 구성하며, 상기 전단부와 후단부를 포함하는 단위 스위칭모듈들을 상호 연결하여 1xN의 다단 구조로 형성하여 전단부는 자기복제 및 증폭을 수행하고, 후단부는 스위칭 동작을 수행하도록 함.
4. 발명의 중요한 용도
광 교환 분야에 이용됨.-
公开(公告)号：KR100170477B1
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：KR1019950052644
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B26/00
CPC classification number: B82Y20/00 , G02F1/017 , G02F2201/346
Abstract: 본 발명은 두 개의 다른 파장 소자를 집적시켜 논리, 스위칭, 파장 변환 등의 역할이 가능한 광 소자에 관한 것으로, 제1도전형으로 도우핑된 반도체 기판(1)위에 상기 기판(1)에 대해 투명한 파장에서 동작하는 광 소자로서 제1도전형전극(2)과 광학적 활성층의 다중양자 우물구조층(3) 및 제2도전형전극(4)이 순차적으로 순차적으로 형성되는 제1광소자 구조를 구비하고, 상기 제1광소자 구조위에 상기 제1광소자 구조에서 사용되는 제1파장과 또 자른 제2파장에서 동시에 고반사율을 갖는 거울 구조(5)를 구비하며, 상기 거울 구조(5)위에 상기 제2파장에서 동작하는 제2도전형전극(6)과 광학적 활성층의 다중양자 우물구조층(7) 및 제2도전형 반도체 전극층(8)이 순차적으로 형성되는 제2광소자 구조를 구비하고, 상기 제1도전형 기반(1)과 제2도전형전극(6)에 대� �� 오믹전극(9)과, 상기 제2도전형전극(4)과 제2도전형 반도체 전극층(8)에 대한 오믹전극(10)과, 상기 제2광소자 구조에 대한 무반사막(11)과, 상기 제1광소자 구조에 대한 무반사막(12)이 구비되고 상기 제2도전형전극(4)과 제2도전형전극(6)을 연결하는 금속으로 구성되는이중 파장 DBR을 이용한 수직 구조형의 광변조기에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100155312B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950025694
申请日：1995-08-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/00
Abstract: 이 발명은 화합물 반도체 다중양자우물(multiple quantum well) 구조에서의 전기광흡수효과(electro-absoption effect)를 이용한 수직구조형(vertical cavity stack layer) 무전압 광쌍안경 논리소자(Non-biased optical bistable device)에 관한 것으로서, 반절연 기판 및 거울층 위에 다중양자우물 구조로 된 중간활성층을 가지는 핀 다이오드를 적충시키고, 소자의 표면에 무반사막을 입힌 구조로 형성하여, 핀 다이오드의 수직 적층에 의해 중간활성층의 양자우물의 주기수를 여러층으로 분배하고, 중간활성층의 두께를 크게 줄어들게 하여 광스위치에 필요한 동작전압이 크게 감소시킬 수 있고, 여러층으로 분배된 양자우물수로 인하여 충분한 흡수층을 가지게 되어 공명기 두께 조절의 어려움을 없애고, 넓은 면적에 걸쳐 균일한 성능을 가지도록 하는 효과를 얻을 수 있다.
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公开(公告)号：KR100141343B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019940029926
申请日：1994-11-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/00
Abstract: 본 발명은 외부 전압 인가 없이도 광 쌍안정 특성이 가능한 ESQW S-SEED, ACQW S-SEED, SMQW S-SEED 등의 무전압 광 쌍안정 논리장치의 제작에 있어 기존의 구조를 이용할 경우 쌍안정 특성이 충분치 못한 점을 비대칭 페브리-패로(AFP) 공명 구조를 이용하여 극복함에 있어, 광 입력 저항 불일치된(impedance-mismatched) AFP 구조를 이용하여 무전압 광 쌍안정 특성을 향상시키는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 사용하는 광 입력 저항 일치된(impedance-matched) AFP 구조에서는 ON/OFF 강도비가 매우 큰 장점이 있으나, 광 시스템에서 더욱 중요한 반사율의 차이(△1R) 와 광 쌍안정 폭(△1)이 비교적 작다는 단점이 있었다.
이를 해결하는 방법으로 MQW로 이루어진 진성 영역의 두께를 MQW의 주기수를 적절히 줄여 감소시키면 광 시스템에서 필요로 하는 적절한 ON/OFF 강도비를 유지하면서도 △1R과 △1를 크게 증가시킬 수 있는 저항 불일치된 AFP 구조를 제시한다.
또한 본 발명의 구조에서는, 진성 영역의 두께가 저항 일치된 AFP 구조보다 더욱 감소되므로, PIN 다이오드를 이루는 물질에 의해 결정되는 주어진 내재 전압에 의한 내재 전계가 증가하여 광 쌍안정 특성을 더욱 크게 할 수 있는 구조이기도 하다.-
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公开(公告)号：KR1019970048860A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950054544
申请日：1995-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F3/00
Abstract: 본 발명은 투과광의 파장의 4분의 1의 두께를 가지는 적층거울을 이용한 광 강도 조절기에 관한 것으로서, 그 특징은 광 강도 조절기에 있어서, 빛을 이용한 정보 처리 장치에서 주어진 파장에 대해 투명하며 서로 다른 굴절율을 갖는 두 물질을 각각 그 물질 안에서 빛이 90도의 위상변화를 보이는 두께 즉, 빛이 사분의 일 파장 전진하는 거리만큼씩 교대로 쌓은 구조를 광창문의 앞에 배치하여 각 광창문마다 이 구조의 층의 수를 변화시켜 줌으로써 각 광창문에 입사되는 광 강도를 조절하는 것을 특징으로 하는 데에 있으므로, 본 발명은 첫째로 적층거울의 물리적 성질이 잘 알려져 있고 이를 쌓는 기술도 보편화되어 있으므로 정확하게 원하는 투과율(transmittance)을 얻을 수 있고, 둘째로 이 적층거울의 투과율과 반사율(reflectance)의 합이 늘 일정하므로 소자가 완성된 뒤에도 언제든지 반사율을 측정함으로써 비파괴적으로 투과율을 측정할 수 있으며, 셋째로 정보를 가진 빛의 일부가 반사되어 나오므로 이를 이용한 구도를 추가할 수 있고, 네째로 빛을 흡수하지 않으므로 흡수체를 쓴 경우에 비해 전체적인 열의 발생을 줄일 수 있다는 데에 그 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019960019818A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940030898
申请日：1994-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10
Abstract: 본 발명은 왜곡 성장층을 이용한 금속/반도체 접합 쇼트키 다이오드 광소자에 관한 것으로서 보다 상세하게는 화합물 반도체에서 전기광흡수효과를 갖는 다중양자우물(Multiple Quantum Well) 구조를 금속/반도체접합쇼트키다이오드의 중간층으로 사용하는 광소자에 관한 것이다. 특징적인 구성으로는 반 절연성 갈륨비소기판 위에 갈륨비소거울층과 알미늄비소거울층이 다수 주기적으로 성장되어 있고 그 위에 다시 n
+ 혹은 p
+ 반도체층이 성장되고 상기의 반도체층위에 전극 및 거울역할을 위한 쇼트키금속층을 성장시키기 위해 갈륨비소완충층을 성장시킨 금속/반도체접합 다이오드소자에 있어서, 상기 반도체층과 접합시 쇼트키 특성을 갖는 금속막사이의 중간층에 전기광흡수특성을 갖는 다중양자우물구조를 두어 금속층/다중양자층/반도체층으로 다이오드를 구성한 다이오드구조로 구성함에 있으며, 또한 상기 다이오드는 전극, 열전도 및 거울 역할을 하는 금속막과 다층 반도체막 거울 사이에 공명 및 비공명조건을 갖는 구조로 단 결정기판을 광학적 투명층으로 하기 위해 반도체 거울층 및 다이오드 구조층의 일부 혹 전부를 왜곡층으로 성장함에 있으며, 다이오드층이 성장된 기판의 반대면은 광학적 무반사막으로 처리하여 구성함에 있다.
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