公开(公告)号：TWI606006B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：TW105102472

申请日：2016-01-27

Applicant: 伊凡聖斯股份有限公司 ,  INVENSENSE, INC.

Inventor： 史麥斯 披特 ,  SMEYS, PETER ,  信二世 中 ,  SHIN, JONG II ,  信 裘沃 ,  SHIN, JONGWOO

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/094 ,  B81C1/00293 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/016 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0792

公开(公告)号：TW201637990A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW105102472

申请日：2016-01-27

Applicant: 伊凡聖斯股份有限公司 ,  INVENSENSE, INC.

Inventor： 史麥斯 披特 ,  SMEYS, PETER ,  信二世 中 ,  SHIN, JONG II ,  信 裘沃 ,  SHIN, JONGWOO

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/094 ,  B81C1/00293 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/016 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0792

Abstract: 本發明揭露一種MEMS裝置。該MEMS裝置包括第一基板。在該第一基板內形成至少一個結構。該第一基板於其上包括至少一個第一導電墊。該MEMS裝置也包括第二基板。該第二基板包括鈍化層。該鈍化層包括複數層。該複數層中的頂部層包含逸氣阻障層。至少一個第二導電墊和至少一個電極係耦接到該頂部層。至少一個第一導電墊係耦接到該至少一個第二導電墊。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种MEMS设备。该MEMS设备包括第一基板。在该第一基板内形成至少一个结构。该第一基板于其上包括至少一个第一导电垫。该MEMS设备也包括第二基板。该第二基板包括钝化层。该钝化层包括复数层。该复数层中的顶部层包含逸气阻障层。至少一个第二导电垫和至少一个电极系耦接到该顶部层。至少一个第一导电垫系耦接到该至少一个第二导电垫。

公开(公告)号：TW201708095A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105116418

申请日：2016-05-26

Applicant: 伊凡聖斯股份有限公司 ,  INVENSENSE, INC.

Inventor： 信 裘沃 ,  SHIN, JONGWOO ,  裘翰瑞 蓋里 豪瑞 ,  JOHARI-GALLE HOURI ,  林 馬汀 ,  LIM, MARTIN ,  席格 喬瑟夫 ,  SEEGER, JOSEPH

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0089 ,  B81B7/0038 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00206 ,  B81C2201/016 ,  B81C2203/035

Abstract: 本發明揭露一種微電-機系統裝置及用於微電-機系統裝置之方法。在第一目的中，該微電-機系統裝置包括第一基板及連結至該第一基板之第二基板而形成密封外殼。可移動的結構是位在該密封外殼內。逸氣層是形成於該第一或第二基板上並且在該密封外殼內。第一傳導層是配置在該可移動的結構及該逸氣層之間，其中該第一傳導層允許逸氣成份穿越通過該第一傳導層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种微电-机系统设备及用于微电-机系统设备之方法。在第一目的中，该微电-机系统设备包括第一基板及链接至该第一基板之第二基板而形成密封外壳。可移动的结构是位在该密封外壳内。逸气层是形成于该第一或第二基板上并且在该密封外壳内。第一传导层是配置在该可移动的结构及该逸气层之间，其中该第一传导层允许逸气成份穿越通过该第一传导层。

公开(公告)号：TW480621B

公开(公告)日：2002-03-21

申请号：TW090104928

申请日：2001-03-02

Applicant: 明碁電通股份有限公司

Inventor： 徐聰平 ,  李英堯 ,  胡宏盛 ,  周忠誠 ,  陳葦霖

IPC: H01L

CPC classification number: B81C1/00626 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/016

Abstract: 本發明係提供一種階段式蝕刻方法，其係提供一基材，並於該基材相對的頂、底表面分別形成一圖案化的第一保護層以及一第二保護層，隨後對該基材進行一第一蝕刻製程，以同時蝕刻部分之該基材並完全去除該第一保護層，最後再進行一第二蝕刻製程以繼續蝕刻該基材，直至一預定厚度，以控制該基材被蝕刻後之厚度及晶片尺寸大小。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种阶段式蚀刻方法，其系提供一基材，并于该基材相对的顶、底表面分别形成一图案化的第一保护层以及一第二保护层，随后对该基材进行一第一蚀刻制程，以同时蚀刻部分之该基材并完全去除该第一保护层，最后再进行一第二蚀刻制程以继续蚀刻该基材，直至一预定厚度，以控制该基材被蚀刻后之厚度及芯片尺寸大小。

公开(公告)号：TW201447015A

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：TW103108627

申请日：2014-03-12

Applicant: 羅伯特博斯奇股份有限公司 ,  ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： 菲 安道 拉斯 ,  FEYH, ANDO LARS ,  波爾克 法比昂 ,  PURKL, FABIAN ,  葛拉漢 安卓 ,  GRAHAM, ANDREW ,  亞馬 蓋瑞 ,  YAMA, GARY

IPC: C23C16/40

CPC classification number: B81C1/00809 ,  B81C2201/016 ,  H01L21/02601 ,  H01L23/3192 ,  H01L45/146 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供一種製造鈍化層之方法及一種用於電子裝置之鈍化層。該鈍化層包括至少一個鈍化膜層及至少一個奈米粒子層。第一膜層由諸如氧化鋁(Al2O3)之絕緣基質形成，且諸如鉑奈米粒子層之第一層貴金屬奈米粒子層沈積於該第一膜層上。額外層由交替之膜層及奈米粒子層形成。該所得鈍化層提供薄及穩固之高膜品質鈍化層以保護電子裝置、組件及系統免受破壞性的環境條件。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种制造钝化层之方法及一种用于电子设备之钝化层。该钝化层包括至少一个钝化膜层及至少一个奈米粒子层。第一膜层由诸如氧化铝(Al2O3)之绝缘基质形成，且诸如铂奈米粒子层之第一层贵金属奈米粒子层沉积于该第一膜层上。额外层由交替之膜层及奈米粒子层形成。该所得钝化层提供薄及稳固之高膜品质钝化层以保护电子设备、组件及系统免受破坏性的环境条件。

公开(公告)号：TW201305600A

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：TW101122279

申请日：2012-06-21

Applicant: 日本顯示器東股份有限公司 ,  JAPAN DISPLAY EAST INC. ,  皮克斯特隆尼斯有限公司 ,  PIXTRONIX, INC.

Inventor： 海東拓生 ,  KAITOH, TAKUO ,  栗谷川武 ,  KURIYAGAWA, TAKESHI ,  阪田亮 ,  SAKATA, RYOU ,  刈入修 ,  KARIKOME, OSAMU ,  布羅斯尼漢 提摩西J ,  BROSNIHAN, TIMOTHY J.

IPC: G02B26/02 ,  G09G3/20

CPC classification number: G02B26/0841 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/045 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/016

Abstract: 本發明提供一種無需專用裝置，不會使製造產能下降，即可除去端子上之鈍化膜之顯示裝置。本發明之顯示裝置係包含：複數個像素，其係以矩陣狀配置於基板上，並具有開關元件及藉由開關元件驅動之MEMS快門；及複數個端子，其係配置於基板上，並與外部端子連接。MEMS快門係具有：具有開口部之快門、連接於快門之第1彈簧、連接於第1彈簧之第1錨定、第2彈簧、及連接於第2彈簧之第2錨定；且在快門、第1彈簧、第2彈簧、第1錨定及第2錨定之表面中，於相對於基板之表面為垂直方向之面上具有絕緣膜；而在複數個端子之表面，以及快門、第1彈簧、第2彈簧、第1錨定及第2錨定之表面中，於相對於基板之表面為平行方向並與面向基板側為相反側之面上無該絕緣膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种无需专用设备，不会使制造产能下降，即可除去端子上之钝化膜之显示设备。本发明之显示设备系包含：复数个像素，其系以矩阵状配置于基板上，并具有开关组件及借由开关组件驱动之MEMS快门；及复数个端子，其系配置于基板上，并与外部端子连接。MEMS快门系具有：具有开口部之快门、连接于快门之第1弹簧、连接于第1弹簧之第1锚定、第2弹簧、及连接于第2弹簧之第2锚定；且在快门、第1弹簧、第2弹簧、第1锚定及第2锚定之表面中，于相对于基板之表面为垂直方向之面上具有绝缘膜；而在复数个端子之表面，以及快门、第1弹簧、第2弹簧、第1锚定及第2锚定之表面中，于相对于基板之表面为平行方向并与面向基板侧为相反侧之面上无该绝缘膜。

公开(公告)号：TW201118036A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：TW099119612

申请日：2010-06-17

Applicant: 亞德諾公司

Inventor： 曹 克麗斯汀 ,  納南 湯瑪士

IPC: B81C ,  B81B

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81C1/0019 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/016 ,  B81C2201/053 ,  G01P15/0802 ,  H01L21/31116

Abstract: 一種藉由使用低壓化學氣相沈積(LPCVD)而沈積之薄的富矽氮化膜(例如具有在約100A至10000A之範圍內之厚度)係在各種MEMS晶圓製程與裝置中，用來作為在蒸汽氟化氫(HF)蝕刻期間之蝕刻停止。LPCVD富矽氮化膜可在許多既存的MEMS製程與裝置中置換一LPCVD化學計量的氮化物層，或與LPCVD化學計量的氮化物層結合使用。LPCVD富矽氮化膜係於高溫(例如約650-900℃)下沈積。這種LPCVD富矽氮化膜通常相較於化學計量的氮化矽具有對蒸汽HF與其他嚴苛的化學環境之更佳的蝕刻選擇性，因此，較薄層通常可在各種MEMS晶圓製程與裝置中被使用作為一埋入蝕刻停止層，且特別是用於蒸汽HF蝕刻製程，藉以節省製程之時間與金錢。

Abstract in simplified Chinese: 一种借由使用低压化学气相沉积(LPCVD)而沉积之薄的富硅氮化膜(例如具有在约100A至10000A之范围内之厚度)系在各种MEMS晶圆制程与设备中，用来作为在蒸汽氟化氢(HF)蚀刻期间之蚀刻停止。LPCVD富硅氮化膜可在许多既存的MEMS制程与设备中置换一LPCVD化学计量的氮化物层，或与LPCVD化学计量的氮化物层结合使用。LPCVD富硅氮化膜系于高温(例如约650-900℃)下沉积。这种LPCVD富硅氮化膜通常相较于化学计量的氮化硅具有对蒸汽HF与其他严苛的化学环境之更佳的蚀刻选择性，因此，较薄层通常可在各种MEMS晶圆制程与设备中被使用作为一埋入蚀刻停止层，且特别是用于蒸汽HF蚀刻制程，借以节省制程之时间与金钱。