公开(公告)号：CN101304942A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200680041572.8

申请日：2006-08-24

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 格特·兰格雷斯 ,  约翰尼斯·威廉姆斯·维坎普 ,  雅各布斯·伯纳德斯·佳伯斯

IPC: B81C5/00

CPC classification number: F04B43/043 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502738 ,  B01L2200/10 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0627 ,  B01L2300/0819 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2300/123 ,  B01L2300/1827 ,  B01L2400/0638 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00119 ,  B81C1/00182 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/019 ,  F16K99/0001 ,  F16K99/0007 ,  F16K99/0015 ,  F16K99/0034 ,  F16K99/0051 ,  F16K2099/008 ,  F16K2099/0084 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00 ,  Y10T428/24851

Abstract: 本发明涉及一种制造MEMS电容器麦克风的方法，还涉及这种MEMS电容器麦克风。使用该方法，通过将具有传导层(11a、11b)的预处理的箔片(10)堆叠在至少一个面上，来制造MEMS电容器麦克风。在堆叠之后，使用压力和热力来密封该箔片(10)。最后将MEMS电容器麦克风与叠层(S)相分离。箔片的预处理(优选地通过激光束来完成)包括所选择的下列步骤：(A)保持箔片不变，(B)局部地除去传导层，(C)除去传导层并部分地除去箔片(10)，以及(D)除去传导层以及箔片(10)，从而在箔片中产生孔。与所述堆叠相结合可能创建腔和膜。这开发了制造MEMS电容器麦克风的可能性。

公开(公告)号：CN101276807A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200710185779.9

申请日：2007-12-27

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 野间崇

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/16 ,  H01L23/10 ,  H01L31/12 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: H01L31/167 ,  B81C1/0023 ,  B81C2201/019 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/167 ,  H01L31/1804 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  Y02E10/547 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种可靠性高，能实现更小型装置的半导体装置及其制造方法。在半导体衬底1的表面上形成例如发光元件作为器件元件。具体地说，半导体衬底1的表面上形成N型半导体层2、P型半导体层3、以及焊盘电极4、5。半导体衬底11的表面上形成例如接收上述发光元件发出的光的器件元件10(例如光电二极管元件)和焊盘电极13作为器件元件。半导体衬底1和半导体衬底11通过粘接层15进行胶合并一体化。沿着半导体衬底11的侧面，形成与焊盘电极13电连接的布线层18，和与焊盘电极4、5电连接的布线层19。

公开(公告)号：CN101263077A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200680033035.9

申请日：2006-08-24

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： G·兰格赖斯 ,  J·W·威坎普 ,  J·B·吉斯伯斯

IPC: B81C1/00

CPC classification number: F04B43/043 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502738 ,  B01L2200/10 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0627 ,  B01L2300/0819 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2300/123 ,  B01L2300/1827 ,  B01L2400/0638 ,  B81C1/00119 ,  B81C1/00182 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/019 ,  F16K99/0001 ,  F16K99/0007 ,  F16K99/0015 ,  F16K99/0034 ,  F16K99/0051 ,  F16K2099/008 ,  F16K2099/0084 ,  Y10T428/24851

Abstract: 本发明涉及一种制造微系统的方法并且还涉及该微系统。利用该方法，可以通过层叠在至少一侧上具有导电层(11a，11b)的预处理的箔(10)制造微系统。在层叠之后，使用压力和热来密封这些箔(10)。最后，微系统从叠层(S)分开。箔的预处理(优选通过激光束完成)包括选自以下的步骤：(A)保持箔完整，(B)部分去除导电层，(C)去除导电层和部分蒸发所述箔(10)，以及(D)去除导电层以及箔(10)，由此在箔(10)上形成孔。结合所述层叠，可以形成空腔，自由悬挂的悬臂以及膜。这使得能够制造不同的微系统，例如MEMS器件和微流系统。

公开(公告)号：CN101258102A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200680032943.6

申请日：2006-08-24

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： G·朗格赖斯 ,  J·W·维坎普 ,  J·B·吉斯伯斯

IPC: B81C1/00

CPC classification number: F04B43/043 ,  B01L3/5027 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/50273 ,  B01L3/502738 ,  B01L2200/10 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0645 ,  B01L2300/0874 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2300/1827 ,  B01L2400/0481 ,  B01L2400/0638 ,  B81C1/00119 ,  B81C1/00182 ,  B81C99/0095 ,  B81C2201/019 ,  F16K99/0001 ,  F16K99/0007 ,  F16K99/0015 ,  F16K99/0034 ,  F16K99/0051 ,  F16K2099/008 ,  F16K2099/0084

Abstract: 本发明涉及一种制造微型系统的方法以及这样的微型系统。利用所述方法，可以通过堆叠预处理过的箔(10)来制造微型系统，所述箔的至少一侧上具有传导层(11a、11b)。在堆叠之后，使用压力和热将箔(10)粘合。最后将所述微型系统与堆叠(S)分离。箔的所述预处理(优选地利用激光束实现)包括对下列步骤的选择：(A)保持箔完整，(B)局部地除去传导层，(C)除去传导层并部分地蒸发箔(10)，以及(D)将传导层和箔(10)都除去，从而在箔(10)中形成孔。与所述堆叠相结合，可以构建洞、自由悬挂翻板和薄膜。这获得了制造各种微型系统的可能，如MEMS设备和微流体系统。

公开(公告)号：CN101198904A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200680015806.1

申请日：2006-05-05

Applicant: 陶氏康宁公司

Inventor： 阿恩·希约 ,  拉尔夫·努左 ,  安尼·希姆

IPC: G03F7/00 ,  B41M3/00 ,  B41M1/34

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B41M1/34 ,  B41M3/003 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/0191 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种用于亚微米印花转移光刻术的方法。该方法包括：在第一含硅弹性体(200)的表面上形成第一图案；把所述第一图案的至少一部分粘结到基板(210)；以及蚀刻(220)所述第一含硅弹性体和所述基板中的至少一个的一部分。

公开(公告)号：CN101158447A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710127398.5

申请日：2003-12-04

Applicant: 斯宾克斯公司

Inventor： 皮耶罗·祖凯利 ,  巴尔特·范德维维尔

IPC: F17D3/01 ,  B81B7/00

CPC classification number: F16K99/0001 ,  B01F11/0002 ,  B01F13/0059 ,  B01F13/0809 ,  B01F15/0205 ,  B01L3/502715 ,  B01L3/50273 ,  B01L3/502738 ,  B01L2300/0654 ,  B01L2300/0803 ,  B01L2300/0806 ,  B01L2300/0861 ,  B01L2300/0864 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2400/0409 ,  B01L2400/0677 ,  B01L2400/0683 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/019 ,  F16K99/003 ,  F16K99/0034 ,  F16K99/004 ,  F16K2099/0073 ,  F16K2099/008 ,  F16K2099/0084 ,  G01N21/01 ,  G01N35/00069 ,  G01N2001/2886 ,  G01N2035/00247 ,  Y10T137/1624 ,  Y10T137/1632 ,  Y10T436/2575

Abstract: 本发明通常涉及以可程控方式控制中等尺度的微流控部件中流体流动的装置和方法。具体地，本发明涉及在任意的位置和时间使两个微流控部件实现流体连通的装置和方法，所述两个微流控装置均受外部限定。本发明的装置使用电磁辐射以使具有选定吸收性能的材料层穿孔。材料层的穿孔使得微流控部件间实现流体连通。本发明的其它方面包括进行流体的体积定量的装置和方法、在一套输入毛细管和一套输出毛细管间可程控地任意连接的装置、和将在向心装置中的流体从较大半径处输送至较小半径处的方法。此外，本发明还涉及确定旋转装置的参考坐标系中的拾取器的径向和极线位置的方法。

公开(公告)号：CN101115675A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200580047787.6

申请日：2005-12-06

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： 帕德罗格·欧马奥尼 ,  弗兰克·卡里斯 ,  特奥·克希斯 ,  克里斯蒂安·帕克特

IPC: B81B7/00

CPC classification number: G01P15/08 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/019 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0828 ,  H04M2250/12 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明的一个实施例包括多传感器组件(20)。该组件(20)具有：由一个晶片层(51)定义的机电运动传感器构件(57)；由两个或更多个其他晶片层(31、41)中第一晶片层承载的第一传感器(32)；以及由所述其他晶片层(31、41)中第二晶片层承载的第二传感器(42)。所述一个晶片层(51)位于其他晶片层(31、41)之间，从而相应地把所述传感器构件(57)封入所述组件(20)的空腔(56)中。

公开(公告)号：CN101096009A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200610142734.9

申请日：2003-02-25

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 河添宏 ,  中祖昭士 ,  有家茂晴

IPC: B01J19/00 ,  B01L3/00 ,  G01N37/00 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B01L3/502707 ,  B01J19/0093 ,  B01J2219/00783 ,  B01J2219/00788 ,  B01J2219/00822 ,  B01J2219/00833 ,  B01J2219/0086 ,  B01J2219/00869 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0838 ,  B01L2300/0874 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2400/0481 ,  B01L2400/0655 ,  B81B2201/051 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/032 ,  Y10T156/10

Abstract: 本发明涉及微型流体系统用支撑单元及其制造方法，所述微型流体系统用支撑单元具备：第一支撑体(2)；设在该第一支撑体(2)的表面的第一粘合剂层(1a)；由在第一粘合剂层(1a)的表面敷设成任意形状的多个中空细丝(501～508)所构成的第一中空细丝组群；由正交于该第一中空细丝组群的方向敷设的多个中空细丝(511～518)所构成的第二中空细丝组群；设在该第二中空细丝组群的表面的第二粘合剂层(1b)；以及设在第二粘合剂层(1b)的表面的第二支撑体(6)。第一及第二中空网丝组群构成流路层。

公开(公告)号：CN101047170A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710091312.8

申请日：2007-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野冢丰 ,  山田浩 ,  舟木英之 ,  板谷和彦

IPC: H01L25/00 ,  H01L27/02 ,  H01L21/50 ,  H01L21/98 ,  H01L21/82

CPC classification number: B81C1/0023 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0771 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 即使装置包含MEMS器件和半导体器件，也可以获得高度集成的薄装置。一种半导体装置包括：被接合芯片，其包括：第一芯片，包括形成于其中的MEMS器件；第二芯片，包括形成于其中的半导体器件；以及粘合层，将所述第一芯片的侧面接合到所述第二芯片的侧面，并具有低于所述第一和第二芯片的材料的杨式模量。

公开(公告)号：CN1860590A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200480018125.1

申请日：2004-05-19

Applicant: 齐普特洛尼克斯公司

Inventor： 童勤义

IPC: H01L21/30 ,  H01L29/04

CPC classification number: B32B7/04 ,  B32B2250/04 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/26 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08059 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/05442

Abstract: 一种粘结方法，包括使用具有氟化氧化物的粘结层。通过暴露于含氟溶液、蒸汽或者气体下或者通过植入，可将氟引入到粘结层内。也可使用其中在粘结层的形成过程中将氟引入其内的方法，从而形成粘结层。粘结层的表面用所需物种，优选NH2物种终止。这可通过将粘结层暴露于NH4OH溶液来实现。在室温下获得高的粘结强度。该方法也可包括一起粘结两层粘结层并在粘结层之间的界面附近处生成具有峰值的氟浓度。粘结层之一可包括在彼此上形成的两层氧化物层。在两层氧化物层之间的界面处，氟的浓度也可具有第二峰值。