公开(公告)号：EP1521231A2

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：EP04256108.4

申请日：2004-10-01

Applicant: NGK INSULATORS, LTD.

Inventor： Takeuchi, Yukihisa ,  Nanataki, Tsutomu ,  Ohwada, Iwao

IPC: G09G3/22

CPC classification number: H01J1/312 ,  B82Y10/00 ,  G09G3/22 ,  G09G2310/06 ,  H01J31/127 ,  H01J63/02 ,  H01J2201/3125

Abstract: An electron emitter (10A) includes a lower electrode (16) formed on a glass substrate (11), an emitter section (12) made of dielectric film formed on the lower electrode (16), and an upper electrode (14) formed on the emitter section (12). A drive voltage (Va) for electron emission is applied between the upper electrode (14) and the lower electrode (16). At least the upper electrode (14) has a plurality of through regions (20) through which the emitter section (12) is exposed. The upper electrode (14) has a surface which faces the emitter section (12) in peripheral portions of the through regions (20) and which is spaced from the emitter section (12).

Abstract translation: 电子发射器（10A）包括形成在玻璃基板（11）上的下电极（16），形成在下电极（16）上的由电介质膜构成的发射极部分（12）和形成在下电极 发射极部分（12）。 用于电子发射的驱动电压（Va）施加在上电极（14）和下电极（16）之间。 至少上部电极（14）具有多个通过区域（20），发射极部分（12）通过该区域露出。 上电极（14）具有在通孔区域（20）的周边部分面向发射极部分（12）并与发射极部分（12）间隔开的表面。

公开(公告)号：EP1521230A2

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：EP04256008.6

申请日：2004-09-29

Applicant: NGK INSULATORS, LTD.

Inventor： Takeuchi, yukihisa, NGK Insulators Ltd. ,  Nanataki, Tsutomu, NGK Insulators Ltd. ,  Ohwada, Iwao, NGK Insulators Ltd.

IPC: G09G3/22

CPC classification number: H01J21/04 ,  B82Y10/00 ,  G09G3/22 ,  G11C7/1051 ,  G11C11/30 ,  H01J1/312 ,  H01J19/24 ,  H01J2201/3125

Abstract: A microdevice (10) has an electron emitter (14) including a memory (18) for accumulating electric charges corresponding to an input voltage (Vi), for emitting electrons corresponding to the electric charges accumulated in said memory (18); and an amplifier (16) connected to a power supply (22) and including a collector electrode (20) for capturing the electrons emitted from the electron emitter (14). The atmosphere between at least the electron emitter (14) and the collector electrode (20) is a vacuum. When the electrons emitted from the electron emitter (14) are captured by the collector electrode (20) of the amplifier (16), a collector current (Ic) flows between the collector electrode (20) and the electron emitter (14) to amplify the input voltage (Vi).

Abstract translation: 微器件（10）具有在电子发射器（14）包括用于积累电荷以对应于输入电压（VI），用于发射电子的对应于（18）在所述存储器中累积的电荷的存储器（18）; 和到放大器（16）连接到电源（22）和包括一个集电极电极（20），用于捕获来自电子发射器（14）发射的电子。 至少电子发射器（14）和集电极电极（20）之间的气氛为真空。 当从电子发射器（14）发射的电子由放大器（16）的集电极电极（20）捕获的，集电极电流（Ic）的集电极电极（20）和所述电子发射器（14）以扩增之间流动 输入电压（VI）。

公开(公告)号：EP1220279A2

公开(公告)日：2002-07-03

申请号：EP01130625.5

申请日：2001-12-27

Applicant: Pioneer Corporation

Inventor： Chuman, Takashi, Pioneer Corporation ,  Yoshikawa,Takamasa, Pioneer Corporation ,  Hata, Takuya, Pioneer Corporation ,  Sakemura,Kazuto, Pioneer Corporation ,  Yamada, Takashi, Pioneer Corporation ,  Negishi, Nobuyasu, Pioneer Corporation ,  Iwasaki, Shingo, Pioneer Corporation ,  Satoh, Hideo, Pioneer Corporation ,  Yoshizawa, Atsushi, Pioneer Corporation ,  Ogasawara, Kiyohide, Pioneer Corporation

IPC: H01J31/12 ,  H01J1/30

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/3125

Abstract: A display device includes a backside and a front-side substrates facing each other with a vacuum space therebetween; and a plurality of electron emission sites provided on the backside substrate. Each electron emission sites includes a bottom electrode formed on a surface of the backside substrate proximate to the vacuum space, an insulator layer formed over the bottom electrode, and a top electrode formed on the insulator layer and arranged individually apart from each other and facing the vacuum space. The display device also includes a plurality of bus electrodes for electrically connecting the neighboring top electrodes; and insulating protective films each provided between the bus electrode and the insulator layer and between the bus electrode and the backside substrate.

Abstract translation: 显示装置包括背面和彼此面对的前侧基板，其间具有真空空间; 以及设置在背面基板上的多个电子发射部位。 每个电子发射部位包括形成在靠近真空空间的背面基板的表面上的底部电极，形成在底部电极上的绝缘体层，以及形成在绝缘体层上的顶部电极，并且彼此分开并且面对 真空空间。 显示装置还包括用于电连接相邻顶部电极的多个总线电极; 以及绝缘保护膜，每个保护膜设置在总线电极和绝缘体层之间以及总线电极和背面基板之间。

公开(公告)号：EP1026721A1

公开(公告)日：2000-08-09

申请号：EP99940499.9

申请日：1999-08-26

Applicant: Matsushita Electric Works, Ltd.

Inventor： HATAI, Takashi ,  KOMODA, Takuya ,  HONDA, Yoshiaki, 42-6, Koaza Sunano ,  AIZAWA, Koichi ,  WATABE, Yoshifumi ,  ICHIHARA, Tsutomu ,  KONDO, Yukihiro ,  OKA, Naomasa ,  KOSHIDA, Nobuyoshi

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/3125

Abstract: An array of field emission electron sources and a method of preparing the array which discharges electrons from desired regions of a surface electrode of field emission electron sources. The field emission electron source 10 comprises an electrically conductive substrate of p-type silicon substrate 1; n-type regions 8 of stripes of diffusion layers on one of principal surfaces of the p-type silicon substrate, strong electric field drift layers 6 formed on the n-type regions 8 which is made of oxidized porous poly-silicon for drifting electrons injected from the n-type region 8; poly-silicon layers 3 between the strong field drift layers 6; surface electrodes 7 of the stripes of thin conductive film formed in a manner to cross over the stripes of the strong field drift layer 6 and the poly-silicon layers 3. By selecting a pair of the n-type regions 8 and the surface electrodes 7 and thereby making electron emitted from the crossing points due to combination of the surface electrode 7 to be electrically applied and the n-type region 8 to be electrically applied, electrons can be discharged from desired regions of the surface electrodes 7.

Abstract translation: 场发射电子源的阵列以及从场发射电子源的表面电极的期望区域排出电子的阵列的制备方法。 场发射电子源10包括p型硅衬底1的导电衬底; 在p型硅衬底的一个主表面上的扩散层条纹的n型区域8，形成在由氧化多孔多晶硅制成的n型区域8上的强电场漂移层6，用于漂移注入的电子 从n型区8; 强场漂移层6之间的多晶硅层3; 薄导电薄膜条的表面电极7以与强场漂移层6和多晶硅层3的条纹交叉的方式形成。通过选择一对n型区域8和表面电极7 从而由于要施加的表面电极7的组合和被施加的n型区域8而使得从交叉点发射的电子可以从表面电极7的期望的区域排出。

公开(公告)号：KR100491305B1

公开(公告)日：2005-05-24

申请号：KR1020020057864

申请日：2002-09-24

Applicant: 파나소닉 전공 주식회사

Inventor： 코모다다쿠야 ,  다케가와요시유키 ,  아이자와고이치 ,  하타이다카시 ,  이치하라츠토무 ,  혼다요시아키 ,  와타베요시후미 ,  바바토루

IPC: H01J1/304

CPC classification number: H01J1/312 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/022 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/3125

Abstract: 글라스 기판, 세라믹 기판 등의 절연성 기판으로 이루어진 기판(1)의 한 쪽 주표면에 층형상의 도전성 탄화물층으로 이루어진 하부전극(2)이 형성되어 있다. 하부전극(2) 위에, 도프되지 않은 다결정 실리콘층(3)이 형성되어 있다. 다결정 실리콘층(3) 위에, 산화된 다공질다결정 실리콘층으로 이루어진 전자통과층(6)이 형성되어 있다. 전자통과층(6)은 다결정 실리콘과 이 다결정 실리콘의 입계(粒界) 부근에 존재하는 다수의 나노 결정 실리콘이 혼재하는 복합 나노 결정층으로 이루어진다. 하부전극(2)과 표면전극(7) 사이에, 표면전극(7)이 고전위가 되도록 전압이 인가될 때, 전자 e-가 전자통과층(6)내를 하부전극(2)에서 표면전극(7)을 향해 통과하고, 표면전극(7)을 통해 외부로 방출된다.

公开(公告)号：KR1020040010026A

公开(公告)日：2004-01-31

申请号：KR1020020070978

申请日：2002-11-15

Applicant: 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼

Inventor： 사가와마사카즈 ,  스즈키무츠미 ,  쿠스노키토시아키

IPC: H01J1/30

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G09G3/22 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J9/241 ,  H01J2201/3125

Abstract: PURPOSE: A display using hot electron type electron sources is provided to suppress a voltage drop amount produced in a scan line below an allowable range and to obtain a high quality image without poor brightness uniformity when a screen size is increased. CONSTITUTION: A display includes a first substrate, frame members and spacer members, a second substrate having phosphor layers, and a display device in which a space surrounded by the first substrate, the frame members and the second substrate is maintained in a vacuum atmosphere. The first substrate as a hot electron type electron source having a bottom electrode(11), an electron accelerator of an insulator thin film and a top electrode(13) sequentially stacked onto a substrate(10), further includes a plurality of first electrodes applying a driving voltage to the bottom electrode of the electron source device in a row or column direction of a plurality of electron source devices emitting an electron from the surface of the top electrode when applying a positive voltage to the top electrode arrayed in a matrix form and a plurality of second electrodes applying a driving voltage to the top electrode of the electron source device in the row or column direction of the plurality of electron source devices and having a sheet resistance lower than that of the first electrodes. The first electrodes are a data line and the second electrodes are a scan line to display image information by a line sequential scanning scheme.

Abstract translation: 目的：提供使用热电子型电子源的显示器，以将扫描线中产生的电压降量抑制在允许范围以下，并且当屏幕尺寸增加时获得高亮度均匀性的高质量图像。 构成：显示器包括第一基板，框架构件和隔离构件，具有荧光体层的第二基板以及由第一基板，框架构件和第二基板包围的空间保持在真空气氛中的显示装置。 具有底部电极（11），绝缘体薄膜的电子加速器和依次层叠在基板（10）上的顶部电极（13））的热电子型电子源的第一基板还包括多个第一电极 当向以矩阵形式排列的顶电极施加正电压时，从上电极的表面发射电子的多个电子源装置的行或列方向的电子源装置的底电极的驱动电压和 多个第二电极，在所述多个电子源装置的列或列方向上向所述电子源装置的顶部电极施加驱动电压，并且具有低于所述第一电极的薄层电阻的薄层电阻。 第一电极是数据线，第二电极是通过行顺序扫描方式显示图像信息的扫描线。

公开(公告)号：KR1020030026878A

公开(公告)日：2003-04-03

申请号：KR1020020057864

申请日：2002-09-24

Applicant: 파나소닉 전공 주식회사

Inventor： 코모다다쿠야 ,  다케가와요시유키 ,  아이자와고이치 ,  하타이다카시 ,  이치하라츠토무 ,  혼다요시아키 ,  와타베요시후미 ,  바바토루

IPC: H01J1/304

CPC classification number: H01J1/312 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/022 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/3125

Abstract: PURPOSE: A field emission-type electron source is provided to suppress deterioration of electron emission characteristics and achieve enhanced thermal resistance. CONSTITUTION: A field emission-type electron source(10) comprises a lower electrode(2), an electron transit layer(6) formed on the lower electrode and composed of a composite nanocrystal layer including polycrystalline silicon and a number of nanocrystalline silicon residing adjacent to a grain boundary of the polycrystalline silicon, and a surface electrode(7) formed on the electron transit layer, in which the field emission-type electron source is adapted to allow an electron passing through the electron transit layer to be emitted through the surface electrode, wherein at least a portion of the surface electrode is made of layer-structured conductive carbide or layer-structured conductive nitride.

Abstract translation: 目的：提供场致发射型电子源，以抑制电子发射特性的劣化并实现增强的热阻。 构成：场致发射型电子源（10）包括下电极（2），形成在下电极上的电子转移层（6），其由包含多晶硅的复合纳米晶体层和与之相邻的多个纳米晶硅构成 到多晶硅的晶界，以及形成在电子转移层上的表面电极（7），其中场发射型电子源适于允许通过电子转移层的电子通过表面发射 电极，其中所述表面电极的至少一部分由层状导电碳化物或层状导电氮化物制成。

公开(公告)号：KR100549236B1

公开(公告)日：2006-02-03

申请号：KR1020027016571

申请日：2002-04-24

Applicant: 파나소닉 전공 주식회사

Inventor： 코모다다쿠야 ,  아이자와고이치 ,  혼다요시아키 ,  이치하라츠토무 ,  와타베요시후미 ,  하타이다카시 ,  바바토루 ,  다케가와요시유키

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/3125

Abstract: 전계방사형 전자원(10)에서, 강전계 드리프트층(6)과 금박막으로구성되는 표면전극(7)이 n형 실리콘기판(1)상에 형성된다. 오믹전극(2)이 n형 실리콘기판(1)의 배면상에 형성된다. 표면전극(7)이 오믹전극(2)에 대하여 양의 전위가 되도록 직류전압이 인가 된다. 이러한 방식으로 오믹전극(2)으로 부터 강전계 트리프트층(6)으로 주입된 전자가 n형 실리콘기판(1)을 통하여 강전계 드리프트층(6)으로 드리프트하고, 표면전극(7)을 경유하여 외측으로 방출된다. 강전계 드리프트층(6)은 강전계 드리프트층(6)을 구성하는 반도체층의 부분적으로 형성된 나노-미터 오더의 다수의 반도체 나노결정(63); 그리고 각 반도체 나노결정(63)의 표면상에 각각 형성되고 전자 터널링 현상이 일어나는 정도의 막두께를 각각 가지는 다수의 절연막(64)을 가진다.
전계방사형 전자원, 반도체 나노결정, 전자 터널링 현상

公开(公告)号：KR1020040000294A

公开(公告)日：2004-01-03

申请号：KR1020027016571

申请日：2002-04-24

Applicant: 파나소닉 전공 주식회사

Inventor： 코모다다쿠야 ,  아이자와고이치 ,  혼다요시아키 ,  이치하라츠토무 ,  와타베요시후미 ,  하타이다카시 ,  바바토루 ,  다케가와요시유키

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30446 ,  H01J2201/3125

Abstract: 전계방사형 전자원(10)에서, 강전계 드리프트층(6)과 금박막으로구성되는 표면전극(7)이 n형 실리콘기판(1)상에 형성된다. 오믹전극(2)이 n형 실리콘기판(1)의 배면상에 형성된다. 표면전극(7)이 오믹전극(2)에 대하여 양의 전위가 되도록 직류전압이 인가 된다. 이러한 방식으로 오믹전극(2)으로 부터 강전계 트리프트층(6)으로 주입된 전자가 n형 실리콘기판(6)을 통하여 강전계 드리프트층(6)으로 드리프트하고, 표면전극(7)을 경유하여 외측으로 방출된다. 강전계 드리프트층(6)은 강전계 드리프트층(6)을 구성하는 반도체층의 부분적으로 형성된 나노-미터 오더의 다수의 반도체 나노결정(63); 그리고 각 반도체 나노결정(63)의 표면상에 각각 형성되고 전자 터널링 현상이 일어나는 정도의 막두계를 각각 가지는 다수의 절연막(64)을 가진다.

公开(公告)号：KR1020000023410A

公开(公告)日：2000-04-25

申请号：KR1019990041011

申请日：1999-09-22

Applicant: 파나소닉 전공 주식회사

Inventor： 코모다타쿠야 ,  이치하라쯔토무 ,  아이자와코이치 ,  코시다노부요시

IPC: H01J1/30 ,  H01L33/36

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/3125 ,  Y10S977/939

Abstract: PURPOSE: An electron source is provided to restrain electric currents of a diode and to enhance an electron emitting efficiency by forming a layer having consecutively changing porous degrees. CONSTITUTION: A main surface of an n-type silicon substrate(101) is formed with a strong electric field drift part(106), and a surface electrode(107) is formed on the strong electric field drift part(106) with a gold thin film. An ohmic contact(107) is formed on the rear side of the n-type silicon substrate(101). The surface electrode(107) is disposed in a vacuum state, and the surface electrode(107) has a positive pole over the ohmic electrode(102) to apply a direct voltage. Electrons injected in the n-type silicon substrate(101) drifts the strong drift part(106) to be emitted through the surface electrode(107).

Abstract translation: 目的：提供电子源来抑制二极管的电流，并通过形成具有连续变化的多孔度的层来提高电子发射效率。 构成：n型硅基板（101）的主面形成有强电场漂移部（106），在强电场漂移部（106）上形成有金 薄膜。 在n型硅衬底（101）的后侧形成欧姆接触（107）。 表面电极（107）设置在真空状态，表面电极（107）在欧姆电极（102）上具有正极以施加直流电压。 注入在n型硅衬底（101）中的电子漂移通过表面电极（107）发射的强漂移部分（106）。