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    包括不同受控壓力下的多個空腔之ＣＭＯＳ－ＭＥＭＳ集成裝置及製造方法
    172.
    发明专利
    包括不同受控壓力下的多個空腔之ＣＭＯＳ－ＭＥＭＳ集成裝置及製造方法 审中-公开
    包括不同受控压力下的多个空腔之ＣＭＯＳ－ＭＥＭＳ集成设备及制造方法

    公开(公告)号：TW201613820A

    公开(公告)日：2016-04-16

    申请号：TW104132144

    申请日：2015-09-30

    Applicant: 伊凡聖斯股份有限公司 ,  INVENSENSE, INC.

    Inventor： 李大成 ,  LEE, DAESUNG ,  辛 宗祐 ,  SHIN, JONGWOO ,  辛 正一 ,  SHIN, JONG II ,  史密斯 彼得 ,  SMEYS, PETER ,  林 馬汀 ,  LIM, MARTIN

    IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/0023 ,  B81B7/0038 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2207/017 ,  B81C1/00285 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0785

    Abstract: 一種集成MEMS裝置，包括兩個基底，其中該第一基底和該第二基底被耦合在一起並且在其間具有兩個閉合空間。該第一基底和該第二基底之其一者包括一除氣來源層和一除氣阻擋層以便調節這兩個閉合空間內的壓力。該方法包括在基底上沈積並且構圖一除氣來源層和一第一除氣阻擋層，從而產生兩個截面。在這兩個截面中之其一者中，該除氣來源層的頂表面沒有被該除氣阻擋層所覆蓋，並且，在這兩個截面中之另一者中，該除氣來源層被封裝在該除氣阻擋層中。該方法還包括保形地沈積一第二除氣阻擋層並且蝕刻該第二除氣阻擋層，以便在該除氣來源層的側壁上留下該第二除氣阻擋層的間隙。

    Abstract in simplified Chinese: 一种集成MEMS设备，包括两个基底，其中该第一基底和该第二基底被耦合在一起并且在其间具有两个闭合空间。该第一基底和该第二基底之其一者包括一除气来源层和一除气阻挡层以便调节这两个闭合空间内的压力。该方法包括在基底上沉积并且构图一除气来源层和一第一除气阻挡层，从而产生两个截面。在这两个截面中之其一者中，该除气来源层的顶表面没有被该除气阻挡层所覆盖，并且，在这两个截面中之另一者中，该除气来源层被封装在该除气阻挡层中。该方法还包括保形地沉积一第二除气阻挡层并且蚀刻该第二除气阻挡层，以便在该除气来源层的侧壁上留下该第二除气阻挡层的间隙。

    薄矽微機械結構
    175.
    发明专利
    薄矽微機械結構 有权
    薄硅微机械结构

    公开(公告)号：TW524770B

    公开(公告)日：2003-03-21

    申请号：TW090131853

    申请日：2001-12-21

    Applicant: 哈尼威爾國際公司

    Inventor： 克利歐帕卓 卡布勒 ,  傑弗瑞 亞倫 瑞德雷

    IPC: B81B

    CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2201/0228 ,  B81C2201/019

    Abstract: 所揭示者係為用以於玻璃晶圓或基板(22)上製造薄矽層(20)懸吊於凹槽(30)上之方法。該懸吊之矽晶圓(20)可為薄的且平坦的，且其製造所使用之方法不需要對該矽進行高度摻雜或濕式化學蝕刻。對於使用根據本發明之方法之製品，所適合之裝置包括音叉、突起(comb)、樑、慣性裝置、以及陀螺儀。本發明之一實施例包括提供一薄矽晶圓(20)，以及一玻璃晶圓或基板(22)。凹處(30)係成形於該玻璃晶圓(22)之一表面(24)，且電極(38)形成於該凹處(30)中。該矽晶圓(20)然後結合至該玻璃晶圓(22)，覆蓋該凹處(30)。矽晶圓(20)然後被蝕刻，以增加該預期之懸吊或矽晶圓結構。於本發明之另一實施例中，該矽晶圓(120)具有一圖案之金屬層(129)。該矽晶圓(120)係結合至該玻璃晶圓(22)，而該圖案之金屬層(129)係定位與該玻璃晶圓(22)中之該凹處(30)相鄰。該矽晶圓(120)係選擇性的蝕刻，降至該金屬層(129)，其作用如同一蝕刻停止劑。該金屬層(129)可於該矽-金屬層之介面處，提供較銳利的特徵定義，且亦可作用以於該矽蝕刻加工過程中，密封該玻璃晶圓(22)之該凹處空腔(30)中之氣體。該金屬層(129)然後大體上可被去除。

    Abstract in simplified Chinese: 所揭示者系为用以于玻璃晶圆或基板(22)上制造薄硅层(20)悬吊于凹槽(30)上之方法。该悬吊之硅晶圆(20)可为薄的且平坦的，且其制造所使用之方法不需要对该硅进行高度掺杂或湿式化学蚀刻。对于使用根据本发明之方法之制品，所适合之设备包括音叉、突起(comb)、梁、惯性设备、以及陀螺仪。本发明之一实施例包括提供一薄硅晶圆(20)，以及一玻璃晶圆或基板(22)。凹处(30)系成形于该玻璃晶圆(22)之一表面(24)，且电极(38)形成于该凹处(30)中。该硅晶圆(20)然后结合至该玻璃晶圆(22)，覆盖该凹处(30)。硅晶圆(20)然后被蚀刻，以增加该预期之悬吊或硅晶圆结构。于本发明之另一实施例中，该硅晶圆(120)具有一图案之金属层(129)。该硅晶圆(120)系结合至该玻璃晶圆(22)，而该图案之金属层(129)系定位与该玻璃晶圆(22)中之该凹处(30)相邻。该硅晶圆(120)系选择性的蚀刻，降至该金属层(129)，其作用如同一蚀刻停止剂。该金属层(129)可于该硅-金属层之界面处，提供较锐利的特征定义，且亦可作用以于该硅蚀刻加工过程中，密封该玻璃晶圆(22)之该凹处空腔(30)中之气体。该金属层(129)然后大体上可被去除。

    用以形成薄矽微機械結構之絕緣體外延矽/玻璃製程
    176.
    发明专利
    用以形成薄矽微機械結構之絕緣體外延矽/玻璃製程 有权
    用以形成薄硅微机械结构之绝缘体外延硅/玻璃制程

    公开(公告)号：TW521060B

    公开(公告)日：2003-02-21

    申请号：TW090131858

    申请日：2001-12-21

    Applicant: 哈尼威爾國際公司

    Inventor： 克利歐帕卓 卡布勒 ,  傑弗瑞 亞倫 瑞德雷

    IPC: B81B

    CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2201/0228 ,  B81C2201/019 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203

    Abstract: 用於在玻璃晶圓(22)製成懸置在凹入部(30)上面之薄矽層之方法。一種方法包括提供一薄絕緣體外延矽(SOI)晶圓(21)，及一玻璃晶圓(22)。SOI晶圓(21)可包括一配置在一第一未摻雜或實際未摻雜矽層(20)與一第二矽層(60)間之氧化矽層(50)。凹入部(30)可形成在玻璃晶圓表面(24)，並且電極(38)可形成在玻璃晶圓表面(24)。然後將SOI晶圓(21)之第一矽層(20)接合至具有凹入部(30)之玻璃晶圓表面(24)，並且隨後使用氧化矽層(50)作為蝕刻止擋物將第二矽層(60)去除。其次，將氧化矽層(50)去除。然後可蝕刻第一矽層(20)，以形成希望之結構。在另一例證性實施例，第一矽層(120)在其上有一有圖案金屬層(129)。將SOI晶圓(121)接合至玻璃晶圓(22)，而有圖案金屬層(129)在玻璃晶圓(22)位於靠近凹入部(30)。然後，使用氧化矽層(50)作為一蝕刻止擋物將第二矽層(60)去除，並且隨後將氧化矽層(50)去除。然後使用有圖案金屬層(129)作為蝕刻止擋物蝕刻第一矽層(120)。然後將有圖案金屬層(129)去除。

    Abstract in simplified Chinese: 用于在玻璃晶圆(22)制成悬置在凹入部(30)上面之薄硅层之方法。一种方法包括提供一薄绝缘体外延硅(SOI)晶圆(21)，及一玻璃晶圆(22)。SOI晶圆(21)可包括一配置在一第一未掺杂或实际未掺杂硅层(20)与一第二硅层(60)间之氧化硅层(50)。凹入部(30)可形成在玻璃晶圆表面(24)，并且电极(38)可形成在玻璃晶圆表面(24)。然后将SOI晶圆(21)之第一硅层(20)接合至具有凹入部(30)之玻璃晶圆表面(24)，并且随后使用氧化硅层(50)作为蚀刻止挡物将第二硅层(60)去除。其次，将氧化硅层(50)去除。然后可蚀刻第一硅层(20)，以形成希望之结构。在另一例证性实施例，第一硅层(120)在其上有一有图案金属层(129)。将SOI晶圆(121)接合至玻璃晶圆(22)，而有图案金属层(129)在玻璃晶圆(22)位于靠近凹入部(30)。然后，使用氧化硅层(50)作为一蚀刻止挡物将第二硅层(60)去除，并且随后将氧化硅层(50)去除。然后使用有图案金属层(129)作为蚀刻止挡物蚀刻第一硅层(120)。然后将有图案金属层(129)去除。

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