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    半导体制造和具有半导体结构的半导体器件
    3.
    发明公开
    半导体制造和具有半导体结构的半导体器件 失效

    公开(公告)号：CN102408092A

    公开(公告)日：2012-04-11

    申请号：CN201110275216.5

    申请日：2011-09-16

    Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

    Inventor： B.宾德 ,  F.霍夫曼 ,  T.考奇 ,  U.鲁多尔夫

    IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

    CPC classification number: B81C1/00626 ,  B81B3/0021 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0116

    Abstract: 描述并描绘了涉及半导体制造和具有半导体结构的半导体器件的实施例。本发明涉及一种方法，其包括：去除半导体衬底的至少第一部和第二部中的半导体材料，从而使得在所述半导体衬底中在所去除的第一部和第二部之间形成半导体结构；对所述半导体衬底应用迁移过程，从而使得所述半导体结构的第一部分在迁移过程之后保留而所述半导体结构的第二部分的半导体材料迁移到其他位置，其中通过所述半导体结构的第二部分的材料迁移，形成在该结构的保留下来的第一部分上方延伸且没有半导体材料的连续空间、以及在所述连续空间上方从第一部延伸到第二部的连续半导体材料层。

    Semiconductor substrate comprising at least a buried insulating cavity
    4.
    发明公开
    Semiconductor substrate comprising at least a buried insulating cavity 审中-公开
    Halbleitersubstrat mit mindestens einem vergrabenen Hohlraum

    公开(公告)号：EP2280412A2

    公开(公告)日：2011-02-02

    申请号：EP10184095.7

    申请日：2002-11-29

    Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

    Inventor： Renna, Crocifisso Marco Antonio ,  La Magna, Luigi ,  Lorenti, Simona ,  Coffa, Salvatore

    IPC: H01L21/764 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/762 ,  H01L29/06 ,  B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00047 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0116 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0649 ,  H04R19/005

    Abstract: A semiconductor substrate comprising at least a buried insulating cavity (10b, 10d) and comprising:
    - a semiconductor substrate (7) having a first type of concentration and having a plurality of trenches (8, 10),
    - a surface layer (7a, 9a) on said semiconductor substrate (7) in order to close superficially said plurality of trenches (8, 10) forming said at least a buried insulating cavity (10b, 10d);
    - a first semiconductor material layer (9) on said surface layer (7a, 9a) having the same first type of concentration as said semiconductor substrate (7), said first semiconductor material layer (9) comprising at least a trench (11) which is in communication with said at least a buried insulating cavity (10b, 10d).

    Abstract translation: 1.一种半导体衬底，包括至少一个掩埋绝缘腔（10b，10d），并且包括：具有第一类型的半导体衬底（7）并具有多个沟槽（8,10）， - 表面层（7a， 以形成所述至少一个掩埋绝缘腔（10b，10d）的所述多个沟槽（8,10）的表面封闭; - 在所述表面层（7a，9a）上具有与所述半导体衬底（7）相同的第一类型的第一半导体材料层（9），所述第一半导体材料层（9）至少包括沟槽（11），所述沟槽 与所述至少一个掩埋绝缘腔（10b，10d）连通。

    PROCESS FOR MANUFACTURING A MEMS PRESSURE SENSOR, AND CORRESPONDING MEMS PRESSURE SENSOR
    5.
    发明公开
    PROCESS FOR MANUFACTURING A MEMS PRESSURE SENSOR, AND CORRESPONDING MEMS PRESSURE SENSOR 审中-公开
    制造MEMS压力传感器的工艺以及相应的MEMS压力传感器

    公开(公告)号：EP3225586A1

    公开(公告)日：2017-10-04

    申请号：EP16194692.6

    申请日：2016-10-19

    Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

    Inventor： BALDO, Lorenzo ,  ZERBINI, Sarah ,  DUQI, Enri

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: G01L9/0052 ,  B81B3/0021 ,  B81B7/0006 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0116

    Abstract: A process for manufacturing a MEMS pressure sensor (42) having a micromechanical structure (35) envisages: providing a wafer (1) having a substrate of semiconductor material and a top surface (2a); forming a buried cavity (10) entirely contained within the substrate (2) and separated from the top surface (2a) by a membrane (12) suspended above the buried cavity (10); forming a fluidic-communication access (22; 37) for fluidic communication of the membrane (12) with an external environment, set at a pressure the value of which has to be determined; forming, suspended above the membrane (12), a plate region (30) made of conductive material, separated from the membrane (12) by an empty space (24); and forming electrical-contact elements (30a, 30b) for electrical connection of the membrane (12) and of the plate region (30), which are designed to form the plates of a sensing capacitor (C), the value of capacitance of which is indicative of the value of pressure to be detected. A corresponding MEMS pressure sensor (42) having the micromechanical structure (35) is moreover described.

    Abstract translation: 一种用于制造具有微机械结构（35）的MEMS压力传感器（42）的方法设想：提供具有半导体材料衬底和顶表面（2a）的晶片（1）; 形成完全包含在所述衬底（2）内并且通过悬挂在所述掩埋腔（10）上方的膜（12）与所述顶表面（2a）分离的掩埋腔（10）; 形成用于所述膜（12）与外部环境的流体连通的流体连通入口（22; 37），所述外部环境设定为必须确定其值的压力; 形成悬置在所述膜（12）上方的由导电材料制成的板区域（30），所述板区域通过空的空间（24）与所述膜（12）分开; 和形成用于电连接膜（12）和板区域（30）的电接触元件（30a，30b），所述电接触元件被设计为形成感测电容器（C）的板，其电容值 表示要检测的压力的值。 此外还描述了具有微机械结构（35）的相应的MEMS压力传感器（42）。

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