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公开(公告)号：CN105392093A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510875602.6
申请日：2015-12-03
Applicant: 瑞声声学科技(深圳)有限公司
CPC classification number: H04R31/003 , B81B3/001 , B81B2201/0257 , B81C1/00182 , H04R7/16 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R2201/003 , H04R2207/021 , H04R31/00
Abstract: 本发明提供了一种麦克风芯片的制造方法，其包括：S1：提供第一衬底，两侧分别沉积绝缘氧化层；S2：在绝缘氧化层上分别沉积器件层；S3：在器件层上分别沉积四乙氧基硅烷基氧化物层；S4：刻蚀四乙氧基硅烷基氧化物层以暴露器件层，并移除第二表面上的四乙氧基硅烷基氧化物层；S5：图案化第一衬底的各沉积层；S6：提供第二衬底，第二衬底包括基底、氧化物层和单晶硅层；S7：在基底及其单晶硅层上分别沉积氧化物层；S8：刻蚀并图案化该氧化物层；S9：释放背板；S10：通过第一衬底的四乙氧基硅烷基氧化物层与第二衬底的氧化物层的室温熔接实现了第一衬底与第二衬底的结合；S11：刻蚀第二衬底以形成背腔；S12：刻蚀第一衬底以释放振膜，得到麦克风芯片。
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公开(公告)号：CN105366628A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510476094.4
申请日：2015-08-06
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2201/0257 , B81B2207/097 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49109 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种低轮廓换能器模块。公开了换能器结构。换能器结构可包括衬底，其具有位于衬底的第一侧面上的MEMS结构以及耦合到衬底的第一侧面并覆盖MEMS结构的盖。衬底可包括在衬底的第一侧面上从盖横向移位并电耦合到MEMS结构的电接触部。
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公开(公告)号：CN103288040B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310064505.X
申请日：2013-02-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0086 , B81B2201/0257 , H04R1/04 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/006
Abstract: 本发明公开了可调谐MEMS装置和可调谐MEMS装置的制造方法。根据本发明的实施方式，半导体装置包括基板、可移动电极和对电极。可移动电极或对电极包括第一区域和第二区域，其中该第一区域与第二区域隔离开，其中该第一区域被配置为被调谐，其中第二区域被配置为提供感测信号或控制系统，以及其中该可移动电极和该对电极机械地连接至该基板。
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公开(公告)号：CN105307092A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510891760.0
申请日：2015-12-04
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
CPC classification number: H04R19/04 , B81B7/0029 , B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81B2201/0292 , B81C1/00158 , H04R19/005 , H04R31/00 , H04R2201/003
Abstract: 本发明公开了一种MEMS麦克风、环境传感器的集成结构及制造方法，在基材上设置有构成电容器结构的振膜、背极，在所述基材的上端还设有至少一个凹槽；还包括位于基材上方的敏感电极，所述敏感电极包括通过第一牺牲层固定在基材端面上的固定部，以及伸入至凹槽内的弯曲部，所述弯曲部与凹槽的侧壁构成了电容器结构。本发明的集成结构，将麦克风的电容器结构、环境传感器的电容器结构集成在基材上，从而提高了麦克风和环境传感器的集成度，可以大大降低整个封装结构的尺寸。同时，麦克风的振膜、环境传感器的敏感电极可以采用相同的材料和制作工艺，使得可以在共用的基材上同时制作出MEMS麦克风和环境传感器，提高了生产的效率。
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公开(公告)号：CN105280561A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510276881.4
申请日：2015-05-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/043 , B81B7/02
CPC classification number: B81B7/007 , B81B2201/0257 , B81C1/0023 , G01L9/0042 , H01L41/0825 , H01L41/0926 , H01L41/0973 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48257 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H04R19/005 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及基于引线框架的MEMS传感器结构。公开一种传感器结构。该传感器结构可以包含：用于支撑MEMS传感器的引线框架；在引线框架的表面中的凹部；以及耦合到引线框架的表面并且布置在凹部之上以形成腔的MEMS传感器。替选地，引线框架可以具有穿过它形成的穿孔并且MEMS传感器可以被耦合到引线框架的表面并且布置在穿孔的开口之上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105263851A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480030777.0
申请日：2014-06-02
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： J·W·津恩
CPC classification number: B81B3/0051 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , H04R7/26 , H04R19/016 , H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: 本发明提供了一种MEMS的被限位的膜。所述MEMS的被限位的膜包括第一层和第二结构。所述第一层具有外部段和内膜。所述外部段和内膜通过间隙彼此分开并具有内膜突起和外部段突起，内膜突起和外部段突起通过所述间隙形成的。第二结构耦接至所述外部段并具有叠置在对应的内膜突起上方的第二突起。
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公开(公告)号：CN103175552B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210065463.7
申请日：2012-03-13
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H04R19/04 , B06B1/0292 , B81B3/0072 , B81B2201/0257 , G01D5/2417 , H04R19/00 , H04R2201/003 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明公开一种电容传感器、其制造方法以及具此种电容传感器的多功能元件。其中的电容传感器包括一基材、第一电极与第二电极与至少一支承梁结构。上述基材具有一开口，而第二电极是相对基材配置，其中第二电极具有相对上述开口的一中央部位及其周围的一周边部位，且中央部位与周边部位是不连续结构。至于第一电极是悬置于基材的开口与第二电极之间，且第一电极与上述第二电极之间具有一间隙。支承梁结构则连结基材并支撑第二电极的中央部位及第一电极。
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公开(公告)号：CN102948170B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180007585.4
申请日：2011-01-14
Applicant: 缅因大学
Inventor： 盖伊·勒玛匡德 , 瓦莱丽·勒玛匡德 , 以利亚·玛丽·勒弗夫尔 , 玛丽安·亚历山大·劳伦斯·瓦伊达斯克 , 约翰·穆兰 , 法比恩·让·弗朗索斯·帕瑞恩
CPC classification number: B81B3/007 , B81B2201/0257 , H04R7/04 , H04R7/18 , H04R9/047 , H04R9/06 , H04R9/10 , H04R23/00 , H04R31/006 , H04R2201/003
Abstract: 具有MEMS技术的电动式扬声器结构，包括：定子-成形构件(2)、膜片-成形构件(3)、以及用于连接所有这些构件的弹性形变构件(4)，其特征在于定子-成形构件(2)、膜片-成形构件(3)、以及连接构件(4)通过加工硅芯片由单一部件构成。
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公开(公告)号：CN102947216B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180016329.1
申请日：2011-03-15
Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司 , 硅微结构有限公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264
Abstract: 微机电装置具有：适于制造微电子组件的衬底（1），尤其是半导体衬底。微机械组件集成到衬底（1）中，所述微机械组件具有能够可逆地弯曲的弯曲元件（4），该弯曲元件具有与衬底（1）连接的第一端部（34），并且从该第一端部（34）出发通过自由空间（3）延伸。弯曲元件（4）具有至少一个接片（8），该接片带有两个侧边缘，所述侧边缘的走向（35）通过与侧边缘邻接的、引入弯曲元件（4）中的凹处（6）来限定。为了形成在接片（8）内的均匀区域，从弯曲元件（4）的第一端部（34）出发来观察，接片（8）的侧边缘的相互距离减小，其中在所述均匀区域中在将弯曲元件（4）弯曲时出现的机械应力基本上大小相同。此外，该装置具有对于机械应力敏感的至少一个微电子组件（36），所述微电子组件在接片（8）的均匀区域内集成在其中。
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公开(公告)号：CN103096235B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310020998.7
申请日：2007-03-20
Applicant: 思睿逻辑国际半导体有限公司
IPC: H04R31/00
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C99/004 , B81C2201/0109 , H04R7/10 , H04R7/18 , H04R19/005 , H04R2307/207 , Y10S977/733
Abstract: 一种制备微机电系统麦克风的方法，该方法包括下列步骤：沉积第一和第二电极；沉积膜，该膜机械耦合到所述第一电极；以及沉积背板，所述背板机械耦合到所述第二电极；其中所述沉积第二电极的步骤包括在所述第二电极中形成预定图案的步骤，并且其中所述预定图案包括一个或多个开口，所述开口对应于在所述背板中形成的一个或多个开口，并且在所述第二电极中的至少一个所述开口大于所述背板中的对应开口。
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