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171.雙單晶背面板麥克風系統及其製造方法 DUAL SINGLE-CRYSTAL BACKPLATE MICROPHONE SYSTEM AND METHOD OF FABRICATING SAME 审中-公开
Simplified title: 双单晶背皮肤麦克风系统及其制造方法 DUAL SINGLE-CRYSTAL BACKPLATE MICROPHONE SYSTEM AND METHOD OF FABRICATING SAME公开(公告)号:TW201138485A
公开(公告)日:2011-11-01
申请号:TW099128851
申请日:2010-08-27
Applicant: 亞德諾公司
IPC: H04R
CPC classification number: H04R19/04 , B81B2201/0257 , B81C1/00182 , B81C2201/0194 , H04R19/005 , H04R2201/003 , Y10T29/43 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/4908
Abstract: 一種雙背面板微機電麥克風系統包括設置於兩個單晶矽背面板之間的彈性薄膜。這種微機電麥克風系統的形成是藉由在個別晶圓上製造各自的背面板,並接著將一背面板從其晶圓轉移至另一晶圓以形成具有薄膜的兩個獨立電容。
Abstract in simplified Chinese: 一种双背皮肤微机电麦克风系统包括设置于两个单晶硅背皮肤之间的弹性薄膜。这种微机电麦克风系统的形成是借由在个别晶圆上制造各自的背皮肤,并接着将一背皮肤从其晶圆转移至另一晶圆以形成具有薄膜的两个独立电容。
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公开(公告)号:TWI530450B
公开(公告)日:2016-04-21
申请号:TW097123628
申请日:2008-06-25
Inventor: 達威布朗 , DAVID, P. BROWN , 安珠歐梨楷寧 , ANDREI OLLIKAINEN , 埃斯哥科比寧 , ESKO, I. KAUPPINEN , 亞巴納士布林 , ALBERT, G. NASIBULIN , 珠茜海科寧 , JUSSI, HEIKKONEN
CPC classification number: B81C1/00357 , B81C1/00373 , B81C1/00476 , B81C1/00492 , B81C2201/0187 , B81C2201/0188 , B81C2201/0194 , C01B32/15 , C01B32/168 , C01P2004/13 , C01P2004/16 , C04B14/026 , C04B30/02 , C04B2111/00844 , C04B2111/00853 , Y10T428/24802
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公开(公告)号:TWI462151B
公开(公告)日:2014-11-21
申请号:TW100143260
申请日:2011-11-25
Applicant: 田中貴金屬工業股份有限公司 , TANAKA KIKINZOKU KOGYO K. K.
Inventor: 小柏俊典 , OGASHIWA, TOSHINORI , 栗田昌昭 , KURITA, MASAAKI , 西森尚 , NISHIMORI, TAKASHI , 兼平幸男 , KANEHIRA, YUKIO
IPC: H01L21/08 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/4885 , B22F7/08 , B23K1/0016 , B23K35/0244 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/322 , B23K2201/40 , B81C1/00095 , B81C1/00373 , B81C2201/0188 , B81C2201/0194 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/03003 , H01L2224/031 , H01L2224/0312 , H01L2224/03334 , H01L2224/0401 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/0567 , H01L2224/05671 , H01L2224/05673 , H01L2224/05676 , H01L2224/05678 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2224/11003 , H01L2224/111 , H01L2224/1112 , H01L2224/11334 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13181 , H01L2224/13184 , H01L2224/94 , H01L2924/01006 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/11
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公开(公告)号:TW201409548A
公开(公告)日:2014-03-01
申请号:TW102118262
申请日:2013-05-23
Applicant: 勒克斯維科技股份有限公司 , LUXVUE TECHNOLOGY CORPORATION
Inventor: 果達丹瑞思 , GOLDA, DARIUSZ , 比柏安德瑞斯 , BIBL, ANDREAS
CPC classification number: B81C99/0025 , B81C2201/0194 , H01L21/67144 , H01L24/75 , H01L2224/7598
Abstract: 描述了一種微元件轉印頭陣列以及從SOI基板形成微元件轉印頭陣列的方法。在一實施例中,該微元件轉印頭陣列包括基底基板以及位於該基底基板上方的圖案化矽層。該圖案化矽層可以包括矽內連線及矽電極陣列,該矽電極陣列與該矽內連線電連接。每個矽電極包括突出於該矽內連線上方的檯面結構。介電層覆蓋每個檯面結構之頂部表面。
Abstract in simplified Chinese: 描述了一种微组件转印头数组以及从SOI基板形成微组件转印头数组的方法。在一实施例中,该微组件转印头数组包括基底基板以及位于该基底基板上方的图案化硅层。该图案化硅层可以包括硅内连接及硅电极数组,该硅电极数组与该硅内连接电连接。每个硅电极包括突出于该硅内连接上方的台面结构。介电层覆盖每个台面结构之顶部表面。
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公开(公告)号:TWI419202B
公开(公告)日:2013-12-11
申请号:TW100144941
申请日:2011-12-06
Applicant: 國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
Inventor: 林清富 , LIN, CHING FUH , 林子敬 , LIN, TZU CHING , 許書嘉 , SYU, SHU JIA
IPC: H01L21/08
CPC classification number: B81C99/008 , B81B2207/056 , B81C1/0038 , B81C2201/0194
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公开(公告)号:TW201730095A
公开(公告)日:2017-09-01
申请号:TW105134136
申请日:2016-10-21
Applicant: 艾克斯瑟樂普林特有限公司 , X-CELEPRINT LIMITED
Inventor: 鮑爾 克里斯多夫 , BOWER, CHRISTOPHER , 梅特 馬修 , MEITL, MATTHEW
IPC: B81C99/00
CPC classification number: B81C99/008 , B81C2201/0194 , B81C2203/054
Abstract: 所揭示技術一般而言係關於用於控制微型裝置之釋放之方法及系統。在將微型裝置轉印至一目的地基板之前,形成其上具有微型裝置之一同質基板。該等微型裝置可分佈於該同質基板上方且藉由一錨結構在空間上彼此分離。該等錨實體連接/固定至該同質基板。繫鏈將每一微型裝置實體固定至一或多個錨,藉此將該微型裝置懸置於該同質基板上面。在特定實施例中,使用單繫鏈設計來控制諸如Si (1 0 0)之一基板上之可釋放結構中之內建應力的鬆弛。單繫鏈設計除其他益處外亦提供以下額外益處:在微裝配程序中,在自同質基板取回時較容易斷開。在特定實施例中,狹窄繫鏈設計用於避免對底切蝕刻前端之釘紮。
Abstract in simplified Chinese: 所揭示技术一般而言系关于用于控制微型设备之释放之方法及系统。在将微型设备转印至一目的地基板之前,形成其上具有微型设备之一同质基板。该等微型设备可分布于该同质基板上方且借由一锚结构在空间上彼此分离。该等锚实体连接/固定至该同质基板。系链将每一微型设备实体固定至一或多个锚,借此将该微型设备悬置于该同质基板上面。在特定实施例中,使用单系链设计来控制诸如Si (1 0 0)之一基板上之可释放结构中之内置应力的松弛。单系链设计除其他益处外亦提供以下额外益处:在微装配进程中,在自同质基板取回时较容易断开。在特定实施例中,狭窄系链设计用于避免对底切蚀刻前端之钉扎。
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公开(公告)号:TW201534561A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:TW103110590
申请日:2014-03-21
Applicant: 鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
Inventor: 何宇俊 , HE, YU-JUN , 李東琦 , LI, DONG-QI , 李天一 , LI, TIAN-YI , 魏洋 , WEI, YANG , 姜開利 , JIANG, KAI-LI , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC: B82Y40/00
CPC classification number: B32B37/025 , B32B37/12 , B32B37/30 , B32B38/08 , B32B38/10 , B32B2305/22 , B32B2309/16 , B32B2309/66 , B32B2311/04 , B32B2311/18 , B32B2311/24 , B32B2333/12 , B81B2207/056 , B81C1/00031 , B81C2201/0191 , B81C2201/0194 , B82B3/0014 , B82B3/0076
Abstract: 一種奈米結構的轉移方法,包括以下步驟:提供一生長基底,該生長基底表面具有複數個奈米結構;提供一黏膠層,使所述複數個奈米結構與所述生長基底分離,並設置在一目標基底上,並使所述複數個奈米結構與所述目標基底的表面接觸;在所述黏膠層遠離目標基底的表面設置一金屬層,形成一奈米複合結構;提供一有機溶劑和外力,將所述奈米複合結構放入該有機溶劑中,利用所述外力去除所述黏膠層和金屬層。
Abstract in simplified Chinese: 一种奈米结构的转移方法,包括以下步骤:提供一生长基底,该生长基底表面具有复数个奈米结构;提供一黏胶层,使所述复数个奈米结构与所述生长基底分离,并设置在一目标基底上,并使所述复数个奈米结构与所述目标基底的表面接触;在所述黏胶层远离目标基底的表面设置一金属层,形成一奈米复合结构;提供一有机溶剂和外力,将所述奈米复合结构放入该有机溶剂中,利用所述外力去除所述黏胶层和金属层。
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公开(公告)号:TWI440366B
公开(公告)日:2014-06-01
申请号:TW099128851
申请日:2010-08-27
Applicant: 應美盛股份有限公司 , INVENSENSE INC.
Inventor: 楊光隆 , YANG, KUANG L. , 陳立 , CHEN, LI , 陳都華 , CHEN, THOMAS D.
CPC classification number: H04R19/04 , B81B2201/0257 , B81C1/00182 , B81C2201/0194 , H04R19/005 , H04R2201/003 , Y10T29/43 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/4908
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179.金屬配線形成用複製基板及藉由上述複製用基板的金屬配線形成方法 TRANSFER SUBSTRATE FOR FORMING METALLIC WIRING AND METHOD FOR FORMING METALLIC WIRING WITH THE USE OF THE TRANSFER SUBSTRATE 审中-公开
Simplified title: 金属配线形成用复制基板及借由上述复制用基板的金属配线形成方法 TRANSFER SUBSTRATE FOR FORMING METALLIC WIRING AND METHOD FOR FORMING METALLIC WIRING WITH THE USE OF THE TRANSFER SUBSTRATE公开(公告)号:TW201246278A
公开(公告)日:2012-11-16
申请号:TW100143260
申请日:2011-11-25
Applicant: 田中貴金屬工業股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/4885 , B22F7/08 , B23K1/0016 , B23K35/0244 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/322 , B23K2201/40 , B81C1/00095 , B81C1/00373 , B81C2201/0188 , B81C2201/0194 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/03003 , H01L2224/031 , H01L2224/0312 , H01L2224/03334 , H01L2224/0401 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/0567 , H01L2224/05671 , H01L2224/05673 , H01L2224/05676 , H01L2224/05678 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2224/11003 , H01L2224/111 , H01L2224/1112 , H01L2224/11334 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13181 , H01L2224/13184 , H01L2224/94 , H01L2924/01006 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/11
Abstract: 〔課題〕提供藉由複製法將金屬配線形成於被複製物之複製用基板,而可使被複製物側的加熱溫度較低,及金屬配線之形成方法。〔解決手段〕一種複製用基板,其係由基板;形成於上述基板上之至少一個金屬配線材料;形成於上述基板與上述金屬配線材料之間的底層金屬膜所構成,將上述金屬配線材料複製到複製物者,上述金屬配線材料,係燒結純度99.9重量%以上,平均粒徑為0.01μm~1.0μm之金粉等而成之成形體,上述底層金屬膜,係由金等金屬或合金等所組成的複製用基板。該複製用基板,即使被複製物的加熱溫度為80~300℃,亦可將金屬配線材料複製於被複製物。
Abstract in simplified Chinese: 〔课题〕提供借由复制法将金属配线形成于被复制物之复制用基板,而可使被复制物侧的加热温度较低,及金属配线之形成方法。〔解决手段〕一种复制用基板,其系由基板;形成于上述基板上之至少一个金属配线材料;形成于上述基板与上述金属配线材料之间的底层金属膜所构成,将上述金属配线材料复制到复制物者,上述金属配线材料,系烧结纯度99.9重量%以上,平均粒径为0.01μm~1.0μm之金粉等而成之成形体,上述底层金属膜,系由金等金属或合金等所组成的复制用基板。该复制用基板,即使被复制物的加热温度为80~300℃,亦可将金属配线材料复制于被复制物。
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