公开(公告)号：JP3533180B2

公开(公告)日：2004-05-31

申请号：JP2000567924

申请日：1999-08-27

Applicant: インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト

Inventor： ヴェルナー ヴォルフガング ,  オッパーマン クラウス−ギュンター ,  ヒーロルト クリストファー ,  コルプ シュテファン ,  マイアー−シュナイダー ディーター ,  シャイター トーマス ,  ティンメ ハンス−イェルク ,  カペルス ヘルゲン ,  アイグナー ロベルト

IPC: G01P15/125 ,  B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  G01L9/00 ,  G01L9/12 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00896 ,  B81C2201/053 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP2476644B1

公开(公告)日：2018-12-12

申请号：EP11184861.0

申请日：2011-10-12

Applicant: NXP USA, Inc.

Inventor： Karlin, Lisa H ,  Kierst, David W. ,  Liu, Lianjun ,  Liu, Wie ,  Montez, Ruben B. ,  Steimle, Robert F.

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B2207/07 ,  B81C2201/053

Abstract: A method of forming a MEMS device (10) includes forming a sacrificial layer (34) over a substrate (12). The method further includes forming a metal layer (42) over the sacrificial layer (34) and forming a protection layer (44) overlying the metal layer (42). The method further includes etching the protection layer (44) and the metal layer (42) to form a structure (56) having a remaining portion of the protection layer formed over a remaining portion of the metal layer. The method further includes etching the sacrificial layer (34) to form a movable portion of the MEMS device, wherein the remaining portion of the protection layer protects the remaining portion of the metal layer during the etching of the sacrificial layer (34) to form the movable portion of the MEMS device (10).

公开(公告)号：EP2995586B1

公开(公告)日：2018-01-10

申请号：EP15183869

申请日：2015-09-04

Applicant: INVENSENSE INC

Inventor： DANEMAN MICHAEL J ,  ASSADERAGHI FARIBORZ

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B7/0025 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00539 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/0735

Abstract: Systems and methods that protect CMOS layers from exposure to a release chemical are provided. The release chemical is utilized to release a micro-electromechanical (MEMS) device integrated with the CMOS wafer. Sidewalls of passivation openings created in a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) wafer expose a dielectric layer of the CMOS wafer that can be damaged on contact with the release chemical. In one aspect, to protect the CMOS wafer and prevent exposure of the dielectric layer, the sidewalls of the passivation openings can be covered with a metal barrier layer that is resistant to the release chemical. Additionally or optionally, an insulating barrier layer can be deposited on the surface of the CMOS wafer to protect a passivation layer from exposure to the release chemical.

公开(公告)号：EP3190082A1

公开(公告)日：2017-07-12

申请号：EP16207261.5

申请日：2016-12-29

Applicant: Semiconductor Manufacturing International Corporation (Shanghai) ,  Semiconductor Manufacturing International Corporation (Beijing)

Inventor： WANG, Wei ,  ZHENG, Chao

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B7/0025 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/053

Abstract: An electromechanical device may include a first substrate, a second substrate, a connector, and a protector. The connector may be formed of a first dielectric material and may be positioned between the first substrate and the second substrate. A first side of the connector may directly contact the first substrate. The protector may be formed of a second dielectric material and may directly contact a second side of the connector.

Abstract translation: 机电装置可以包括第一基板，第二基板，连接器和保护器。 连接器可以由第一介电材料形成并且可以位于第一基板和第二基板之间。 连接器的第一侧可以直接接触第一基板。 保护器可以由第二电介质材料形成并且可以直接接触连接器的第二侧。

公开(公告)号：EP3052429A1

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：EP14777233.9

申请日：2014-09-15

Applicant: Cavendish Kinetics, Inc.

Inventor： RENAULT, Mickael

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/053

Abstract: The present invention generally relates to a method for forming a MEMS device and a MEMS device formed by the method. When forming the MEMS device, sacrificial material is deposited around the switching element within the cavity body. The sacrificial material is eventually removed to free the switching element in the cavity. The switching element has a thin dielectric layer thereover to prevent etchant interaction with the conductive material of the switching element. During fabrication, the dielectric layer is deposited over the sacrificial material. To ensure good adhesion between the dielectric layer and the sacrificial material, a silicon rich silicon oxide layer is deposited onto the sacrificial material before depositing the dielectric layer thereon.

公开(公告)号：EP2138455B1

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：EP09354023.5

申请日：2009-06-04

Applicant: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

Inventor： Charvet, Pierre-Louis

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/053

公开(公告)号：EP2386521A3

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：EP11161590.2

申请日：2011-04-08

Applicant: Omron Corporation

Inventor： Kasai, Takashi ,  Iida, Nobuyuki ,  Nakamura, Tomofumi

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0016 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2207/012 ,  B81C2201/053 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/16151 ,  H04R19/005 ,  H04R31/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: This invention aims to protect an outer peripheral part of an upper surface of a silicon substrate with a protective film using a back plate. A conductive diaphragm (33) is arranged on an upper side of a silicon substrate (32) including a back chamber (35), and the diaphragm (33) is supported with an anchor (37). An insulating plate portion (39) is fixed to an upper surface of the silicon substrate (32) so as to cover the diaphragm (33) with a gap. A conductive fixed electrode film (40) is arranged on a lower surface of the plate portion (39) to configure a back plate (34). The change in electrostatic capacitance between the fixed electrode film (40) and the diaphragm (33) is outputted to outside from a fixed side electrode pad (45) and a movable side electrode pad (46) as an electric signal. A protective film (53) is arranged in continuation to the plate portion (39) at an outer periphery of the plate portion (39), which protective film (53) covers the outer peripheral part of the upper surface of the silicon substrate (32) and the outer periphery of the protective film (53) coincides with the outer periphery of the upper surface of the silicon substrate (32).

Abstract translation: 本发明的目的是通过使用背板的保护膜来保护硅衬底的上表面的外周部分。 在包括后室（35）的硅基板（32）的上侧设置有导电膜（33），并且隔膜（33）由锚（37）支撑。 绝缘板部分（39）固定到硅衬底（32）的上表面，以间隙地覆盖隔膜（33）。 导电固定电极膜（40）布置在板部（39）的下表面上以构成背板（34）。 固定电极膜（40）和隔膜（33）之间的静电电容的变化从作为电信号的固定侧电极焊盘（45）和可动侧电极焊盘（46）输出到外部。 保护膜（53）在板部（39）的外周与板部（39）连续配置，该保护膜（53）覆盖硅基板​​（32）的上表面的外周部 ），保护膜（53）的外周与硅基板（32）的上表面的外周重合。

公开(公告)号：EP1842224A4

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：EP05854003

申请日：2005-12-14

Applicant: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC

Inventor： MCDONALD WILLIAM G ,  HOOPER STEPHEN R ,  SALIAN ARVIND S

IPC: H01L21/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00309 ,  B81C2201/053

公开(公告)号：EP2075222B1

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：EP08172514.5

申请日：2008-12-22

Applicant: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

Inventor： Robert, Philippe ,  Nguyen, Valérie

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00484 ,  B81C1/00682 ,  B81C2201/053

公开(公告)号：EP2138455A1

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：EP09354023.5

申请日：2009-06-04

Applicant: Commissariat à l'Energie Atomique

Inventor： Charvet, Pierre-Louis

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/053

Abstract: Des premier et second matériaux sacrificiels sont déposés sur un substrat (1). Des premier et second motifs (2a, 6a) sont formés respectivement dans les premier et second matériaux sacrificiels. Le premier motif (2a) en premier matériau sacrificiel est disposé sur le second motif (6a) en un second matériau sacrificiel. Le premier motif laisse libre une zone de largeur prédéfinie sur la périphérie d'une face supérieure du second motif (6a). La couche active (3) recouvre au moins l'ensemble des parois latérales des premier et second motifs (2a, 6a) et ladite zone prédéfinie du second motif (6a). La zone active (3) est structurée pour permettre l'accès au premier matériau sacrificiel. Les premier et second matériaux sacrificiel sont éliminés sélectivement formant d'une structure mobile comportant une zone libre solidaire du substrat (1) par une zone d'accroche

Abstract translation: 该方法包括沉积牺牲材料E.G. 钼，沉积另一牺牲材料之前E.G. 二氧化硅，和形成形成图案（2a）的后前材料的图案（6a）中，所以没有图案（图2a）被设置在图案（6a）中，其中，所述图案（2a）中自由地离开的预定区域 宽度与图案（6A）的上表面的周边上。 一组的图案和图案（6A）的预定义区域的壁是由在活性层（3）覆盖。 前者材料消除后者对材料后消除。