公开(公告)号：CN1205645C

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN01120205.X

申请日：2001-07-06

Applicant: 诺利塔克股份有限公司

Inventor： 上村佐四郎 ,  余谷纯子 ,  长廻武志

IPC: H01J31/12 ,  H01J1/304

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J9/185 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/952

Abstract: 一种平面显示器包括：基板，与基板面对并至少部分透射光的前玻璃件；面对基板的前玻璃件表面上的荧光物质膜；安装在基板上的场致发射型电子发射源；带电子通过孔的电子引出电极，并远离电子发射源设置与基板相对；电子发射源包括：有大量通孔的板状金属件，用作碳纳米管纤维的生长核心；由碳纳米管纤维形成的包敷膜覆盖金属件的全部表面和各通孔的内壁。能够得到均匀亮度的平面显示器，排除亮度不均匀，避免照明的波动。本发明公开的一种方法可用于安装场致发射型电子发射源。

公开(公告)号：CN1581416A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410056695.1

申请日：2004-08-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔濬熙 ,  安德烈·朱尔卡尼夫

IPC: H01J31/12 ,  H01J29/02 ,  H01J9/04 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J3/021 ,  H01J9/025 ,  H01J9/148 ,  H01J29/481 ,  H01J2201/30469

Abstract: 提供一种含有碳纳米管发射极的场发射显示器(FED)及其制造方法。围绕CNT发射极的栅极叠层包括覆盖邻近CNT发射极的发射极电极的掩模层，以及形成在掩模层上的栅极绝缘膜、栅电极、第一氧化硅膜(SiOX，X＜2)和聚焦栅电极。第一氧化硅膜的厚度为2μm或更大，并且优选3～15μm。用于形成第一氧化硅膜和/或栅极绝缘膜的硅烷和硝酸的流速分别保持在50～700scmm和700～4,500sccm。

公开(公告)号：CN1538485A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410032856.3

申请日：2004-04-13

Applicant: 诺利塔克股份有限公司

Inventor： 余谷纯子 ,  上村佐四郎 ,  仓知宏行

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J63/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01J9/025 ,  H01J31/123 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种电子发射源的制造方法。在利用电镀法、热CVD法或喷涂法形成被膜(7)后，对该被膜照射激光，通过照射该激光，切断构成被膜(7)的碳纳米管，使碳纳米管的密度最佳化。通过如此形成被膜(7)，能够从阴极结构体(5)得到稳定的发射。

公开(公告)号：CN1534709A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN03114068.8

申请日：2003-03-27

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 刘亮 ,  范守善

IPC: H01J9/02

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种场发射元件的制备方法，包括下列步骤：提供一基底，该基底具有一平整表面；在所述基底表面形成一催化剂层；通入碳源气体，加热至反应温度，碳源气体在催化剂作用下，生成碳纳米管阵列；在碳纳米管阵列顶端形成阴极电极；去除基底，露出碳纳米管阵列生长面。本发明方法形成的碳纳米管阵列发射端在同一平面，从而可实现电子均匀发射。

公开(公告)号：CN1534708A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN03114067.X

申请日：2003-03-27

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 刘亮 ,  范守善

IPC: H01J1/304

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明揭示一种碳纳米管场发射元件，其包括一阴极，一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列通过化学气相沉积法制得，其包括一生长顶端及一生长根部，其特征在于该碳纳米管阵列生长顶端与该导电阴极电连结，该生长根部完全裸露，作为场发射元件的电子发射端。本发明通过反向制程的方式利用平整的碳纳米管阵列生长根部作为场发射元件的电子发射端，极大的改善了利用碳纳米管阵列端部作为电子发射端因其端部不平整而导致电子发射的不均匀性，提高了场发射元件电子发射的性能。

公开(公告)号：CN1512536A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN200310116536.1

申请日：2003-11-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 柳美爱 ,  金薰英 ,  南仲佑

IPC: H01J31/12 ,  H01J29/04 ,  H01J29/46 ,  H01J1/304

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3048 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明公开场发射显示器，其包括以预定间隔彼此相对设置的第一和第二衬底；设置在第一和第二衬底其中之一上的电子发射源；用于诱导从电子发射源发射电子的电子发射诱导装置；设置在没有形成电子发射源的衬底上的辐射装置，该辐射装置通过来自电子发射源的电子发射实现图像。电子发射源包括碳纳米管层和基极层，该基极层连接碳纳米管层到衬底并且施加电子发射所需的电压到碳纳米管层上。此外，设置在基极层上的碳纳米管层处于与基极层基本不混合的状态。

公开(公告)号：CN1467777A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN02147460.5

申请日：2002-10-30

Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

Inventor： 陈杰良

IPC: H01J29/04 ,  H01J1/304 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J1/3044 ,  B82Y10/00 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00

Abstract: 一种场发射显示器件(1)依次包括一阴极板(20)、一电阻缓冲层(30)、多个电子发射体(40)及一阳极板(50)，该阳极板(50)与电子发射体(40)之间有一定空隙区域，电阻缓冲层与电子发射体均含有碳材料，且每一电子发射体均为纳米棒。组合电阻缓冲层与电子发射体的电阻系数呈现渐变分布，邻近阴极板的电阻系数最高，而邻近阳极板的电阻系数最小。当在阴极板与阳极板之间施加发射电压，电子发射体发射电子，发射的电子穿过空隙区域后由阳极板接收。由于电阻系数的渐变分布，因此只需要较低的发射电压。

公开(公告)号：CN1450580A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03116285.1

申请日：2003-04-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈国荣 ,  莫晓亮

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  C30B23/007 ,  C30B29/54 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2209/0223

Abstract: 本发明涉及一种可用于平面显示的场致发射纳米材料，具体为Ag和TCNQ按1∶1化学计量比生成的Ag(TCNQ)纳米线。该材料可采用真空条件下的饱和蒸气反应法制备获得，生成的Ag(TCNQ)纳米线(晶須)基本上垂直于基板。为了降低场发射阈值，可在晶須上用常规真空镀膜法，再覆盖一层纳米厚度的金属或氟化锂薄层。

公开(公告)号：CN1397974A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN02124955.5

申请日：2002-06-27

Applicant: 则武伊势电子株式会社 ,  诺利塔克股份有限公司

Inventor： 江崎智隆 ,  上村佐四郎 ,  余谷纯子 ,  山田弘 ,  长回武志 ,  仓知宏行 ,  龙田和典 ,  世古幸治 ,  前岨刚

IPC: H01J1/30

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J21/10 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本专利申请公布了能够使电子发射源区域周围的厚度变薄，并能够提高电流分配率的电子源电极，它的制造方法和用该电子源电极的电子管。这个电子管备有基板，在这个基板形成的电子发射源区域，和包围这个电子发射源区域周围的屏蔽区域，这个屏蔽区域是当用干式法生成电子发射源时由不生成该电子发射源的材料形成的。结果，即便使电子引出电极和电子源电极的间隙变窄，阳极电流对总电流的比率也很高，提高了电流分配率。

公开(公告)号：CN1361918A

公开(公告)日：2002-07-31

申请号：CN00810176.0

申请日：2000-06-13

Applicant: 光实验室股份公司

Inventor： 甘纳·弗斯伯格 ,  卡尔-哈肯·安德森

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J61/067 ,  H01J63/04 ,  H01J2201/30469

Abstract: 一种生产用于一个光源、且包括至少一个带有一个场致发射表面的场致发射本体的场致发射阴极的方法,其中该方法包括改性所述发射表面,以便提供在在每个所述表面中的至少一个电场发射不规则体。该方法的不同之外在于,把至少一个激光束引入以成形本体并且同时接触场致发射表面,及由此提供对于本体表面的改性处理。本发明也涉及一种如此生产的场致发射阴极和一种包括这样一个场致发射阴极的光源。