公开(公告)号：CN104364627A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201280072041.0

申请日：2012-12-17

Applicant: 迪特尔·内格勒-普赖斯曼 ,  J·V·斯里达兰

Inventor： 迪特尔·内格勒-普赖斯曼 ,  J·V·斯里达兰

IPC: G01L7/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G01L1/148 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00626 ,  G01L9/0048 ,  G01L9/0073 ,  G01L19/0618 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/006

Abstract: 本发明公开一种电容式压力传感器及其制造方法。该电容式压力传感器包括：固定板，被配置为作为背板；活动板，被配置为隔膜用于检测压力，其中空腔形成在所述固定板和所述活动板之间；绝缘层，位于所述固定板和所述活动板与它们的电触点之间，用于最小化漏泄电流；多个阻尼孔用于当压力施加在所述隔膜上时使得所述固定板的轮廓与偏转的所述隔膜一致；排放孔，延伸到所述空腔并具有有阻力的空气路径，用于与所述隔膜的平衡；和延伸的背室，用于增加所述电容式压力传感器的灵敏度。该电容式压力传感器还被配置为用于最小化寄生电容。

公开(公告)号：CN104280182A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410305822.0

申请日：2014-06-30

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 矢泽久幸 ,  菊入胜也 ,  高桥亨

IPC: G01L9/04

CPC classification number: G01L9/0054 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0264

Abstract: 本发明的目的在于提供一种探测精度优异的、利用压阻效应来探测物理量的物理量传感器。为此，本发明的物理量传感器(1)利用压阻效应来探测物理量，所述物理量传感器(1)的特征在于，具有：第1导电型的阱层(4)，其形成在第1绝缘层(10)上；多个第2导电型的压阻层(2)，其形成在第1导电型的阱层(4)的表面侧；和第2导电型的分离层(5)，其在多个第2导电型的压阻层(2)之间，从第1导电型的阱层(4)的表面贯通至第1绝缘层(10)的表面。

公开(公告)号：CN104203806A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380019462.1

申请日：2013-03-05

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M.达利 ,  R.舍本 ,  C.舍林

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H04R17/005 ,  B81B3/007 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158

Abstract: 本发明涉及一种微机电的膜片装置，所述微机电的膜片装置具有：基片，所述基片在表面上具有多个空隙；能够导电的第一电极层，所述第一电极层布置在所述基片的表面上并且所示第一电极层具有多个与所述空隙相一致的第一凹部；以及能够沿着与所述基片的有效的表面垂直的方向偏移的并且能够导电的膜片层，所述膜片层布置在所述第一电极层的上方并且以第一间距值与所述第一电极层隔开。

公开(公告)号：CN104122015A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410171190.3

申请日：2014-04-25

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 中根健智 ,  羽迫义浩 ,  岛津侑宜

IPC: G01L1/18 ,  G01L9/06

CPC classification number: H01L23/10 ,  B81B7/0025 ,  B81B2201/0264 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0052 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/564 ,  H01L29/84 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种无论玻璃基板的厚度如何都能够抑制输出变动量的物理量检测元件等。本物理量检测元件具有：玻璃基板；具备物理量检测部的基板；通过在上述玻璃基板的一方的面接合上述基板而形成的密封的空间；以及形成于上述玻璃基板的另一方的面且防止上述玻璃基板的另一方的面与大气中水分的接触的功能膜。

公开(公告)号：CN104101367A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410213258.X

申请日：2014-04-08

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： C·斯图尔特 ,  S·E·贝克 ,  R·A·戴维斯 ,  G·莫拉莱斯

IPC: G01D5/12 ,  G01D5/16

CPC classification number: B81B3/0081 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/033 ,  G01L7/082 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0048 ,  G01L9/0054

Abstract: 一种传感器组件，包括具有在其中形成腔的第一晶片以及相对于第一晶片结合从而在腔上方形成隔膜的第二晶片。在隔膜中或者环绕隔膜的第二晶片中形成沟槽，并且可以用隔离材料来填充该沟槽从而帮助热和/或电隔离隔膜。该隔膜可以支撑一个或多个感测元件。根据需要，传感器组件可以使用流量传感器、压力传感器、温度传感器、和/或任何其它适当传感器。

公开(公告)号：CN104034324A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410083711.X

申请日：2014-03-07

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 马克·E·施拉曼 ,  方德宥 ,  基思·L·克拉韦尔 ,  迈克·A·马尔古莱斯 ,  佐原裕人

IPC: G01C19/5776 ,  G01D3/028

CPC classification number: G01P9/04 ,  B81B5/00 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/03 ,  G01C19/5776 ,  G01D3/028

Abstract: 本发明提供了减小多功能传感器器件中偏移变化的系统及方法。在这些实施例中，多功能感测器件（100）包括微机电（MEMS）陀螺仪（110）和至少第二传感器（112）。所述MEMS陀螺仪（110）被配置为生成第一时钟信号，以及所述第二传感器包括第二时钟信号。所述多功能感测器件还包括重置机构（114），所述重置机构（114）被配置为生成重置信号以设置在所述第二时钟信号与所述第一时钟信号的相对周期性相位对齐。始终设置其它传感器器件（112）的时钟与所述MEMS陀螺仪（110）的时钟的相对周期性相位对齐可以通过减小不同的输出偏移会在多个感测器件内发生的可能性来改进器件的性能。

公开(公告)号：CN103964368A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410034311.X

申请日：2014-01-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.德赫

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B3/001 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00166 ,  B81C1/00658 ,  H04R19/005

Abstract: 本发明涉及MEMS器件和制造MEMS器件的方法。公开了具有刚性背板的MEMS器件和制作具有刚性背板的MEMS器件的方法。在一个实施例中，器件包括衬底和由衬底支撑的背板。背板包括细长的突起。

公开(公告)号：CN102468153B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201110333940.9

申请日：2011-10-28

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 多屋淳志 ,  金森胜彦 ,  都外川真志

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  B23K26/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B23K26/361 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/50 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/0133 ,  C30B29/06 ,  C30B33/04 ,  C30B33/08 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L21/268 ,  H01L21/30608

Abstract: 在一种半导体器件的制造方法中，制备包括单晶硅的衬底(10)，在衬底(10)中形成连续延伸的重组层(11)，并通过蚀刻去除重组层(11)。形成重组层(11)包括在衬底(10)中移动激光束(L)的焦点的同时利用脉冲激光束(L)照射衬底(10)，从而使单晶硅的一部分多晶化。

公开(公告)号：CN103822735A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201210464578.3

申请日：2012-11-16

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 孙其梁

IPC: G01L1/00 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/033 ,  G01L9/0042

Abstract: 本发明公开了一种压力传感器用晶片结构及该晶片结构的加工方法，通过采用110晶向底硅作为晶片结构的底硅，采用湿法腐蚀方式腐蚀底硅背腔形成凹槽，使得硅片内均匀性较好，底硅表面的划伤较小，根据110晶向底硅的晶向特点，腐蚀形成的凹槽一般为直口，横截面为矩形结构，避免出现腐蚀倾斜角度，使得凹槽的开口处的尺寸与底部的尺寸大小一致，不会造成晶片的面积增加等问题，从而降低了生产成本。

公开(公告)号：CN103728064A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310607743.0

申请日：2013-10-16

Applicant: 大陆汽车系统公司

Inventor： 王仲平

IPC: G01L1/18 ,  G01L9/06

CPC classification number: B81B7/0048 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2203/032 ,  G01L9/0054 ,  G01L19/04

Abstract: 本发明涉及用于汽车应用的中压力传感器的裸片接合设计。通过将MEMS传感器附接到用低CTE填充剂填充的塑料，该填充剂降低塑料的热膨胀系数（CTE）以更接近硅的热膨胀系数，来减小在硅微机电压力转换器（MEMS传感器）上的热引发的应力。使用环氧树脂粘合剂/硅石填充剂混合物将MEMS传感器附接到壳体，当固化时，为匹配壳体的CTE该环氧树脂粘合剂/硅石填充剂混合物具有在大约十PPM/°C到大约三十PPM/°C之间的CTE。该粘合剂也具有在操作温度范围之上的玻璃转变温度（Tg）。该设计提供好的传感器密封和稳定的传感器输出。