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    11.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：AT421152T

    公开(公告)日：2009-01-15

    申请号：AT03760747

    申请日：2003-06-19

    Applicant: XENOCS

    Inventor： HOGHOJ PETER ,  DARIEL AURELIEN ,  RODRIGUES SERGIO

    IPC: G01N23/20 ,  G21K1/06 ,  G21K3/00

    Abstract: Multilayer reflective optical unit has a lateral gradient, the reflective surface of which serves to reflect X-rays which are incident at an acute angle of incidence and produce a 2-dimensional optical effect. Said reflective surface has a single surface that is shaped along two curves in two different directions. The invention also relates to a corresponding method for manufacturing such an optical unit in which a substrate that is already curved is coated along a different direction and a device for processing X-rays for use in RX angle dispersive reflectometry that serves to condition a beam incident on a sample such that it contains rays with different incidence angles.

    ENSEMBLE OPTIQUE DE COQUES REFLECTIVES ET PROCEDE ASSOCIE
    12.
    发明专利
    ENSEMBLE OPTIQUE DE COQUES REFLECTIVES ET PROCEDE ASSOCIE 未知

    公开(公告)号：FR2901628A1

    公开(公告)日：2007-11-30

    申请号：FR0604666

    申请日：2006-05-24

    Applicant: XENOCS SOC PAR ACTIONS SIMPLIF

    Inventor： HOGHOJ PETER ,  RODRIGUES SERGIO

    IPC: G21K1/06 ,  G02B5/08

    Abstract: L'invention concerne un ensemble optique comprenant un empilement d'une pluralité de coques réflectives (10;20), chaque coque réflective comprenant un substrat (11) ayant une face arrière (111) comprenant une pluralité de nervures (111) formant entretoise et une face avant (112), et un revêtement réflecteur (12) pour rayons X déposé sur la face avant (112) du substrat (11), caractérisé en ce que chaque coque réflective (10) comprend en outre une couche d'adhésion (13) déposée sur le revêtement réflecteur (12), la couche d'adhésion (13) étant une couche mince formée dans un matériau inorganique permettant une adhésion moléculaire avec la face arrière du substrat (21) de la coque réflective adjacente (20).L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel ensemble optique.

    Controlled alteration of reflective properties of a multilayer used, e.g., as a mask for extreme ultraviolet lithography involves exposing desired regions to particle beam to shift reflectivity peak
    13.
    发明专利
    Controlled alteration of reflective properties of a multilayer used, e.g., as a mask for extreme ultraviolet lithography involves exposing desired regions to particle beam to shift reflectivity peak 未知

    公开(公告)号：FR2825473A1

    公开(公告)日：2002-12-06

    申请号：FR0107228

    申请日：2001-06-01

    Applicant: XENOCS

    Inventor： HOGHOJ PETER

    IPC: G02B5/08 ,  G02B5/26 ,  G02B5/28 ,  G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  G02B1/10 ,  G03F7/26

    Abstract: Alteration of the reflective properties of desired regions of a multilayer structure (30) intended for exposure to and desired modification of radiation of a given wavelength involves exposure to a beam (20) of energetic particles. Control of exposure is performed in such a way that the reflectivity peak of each region is shifted in a desired manner within the wavelength spectrum. The multilayer structure (30) represents a reflective mask for lithography, and is intended for exposure to extreme ultraviolet (EUV) radiation. Preferably, the multilayer structure (30) comprises a diffractive pattern. Control of exposure of the structure (30) to the energy beam (20) is performed by adjusting the time of exposure of each individual region of the structure (30) to the beam (20), or by temporary and controlled modification of the energy beam (20). Alteration of the reflective properties of the region is achieved by modification of the period of the region, and constitutes treatment of the desired region to render it non-reflective or reflective. Independent claims are given for: (a) a reflective mask for lithography produced by the above process; (b) a mirror produced by the above process; and (c) use of the above process to adjust the optical properties of a multilayer structure comprising a mirror for EUV lithography. Preferred Use: The process is used for adjusting the optical properties of a multilayer structure.

    ENSEMBLE OPTIQUE ET PROCEDE ASSOCIE
    17.
    发明申请
    ENSEMBLE OPTIQUE ET PROCEDE ASSOCIE 审中-公开
    光学单元及相关方法

    公开(公告)号：WO2004001770A1

    公开(公告)日：2003-12-31

    申请号：PCT/FR2003/001896

    申请日：2003-06-19

    Applicant: XENOCS ,  HOGHOJ, Peter ,  DARIEL, Aurélien ,  RODRIGUES, Sergio

    Inventor： HOGHOJ, Peter ,  DARIEL, Aurélien ,  RODRIGUES, Sergio

    IPC: G21K1/06

    CPC classification number: B82Y10/00 ,  G21K1/06 ,  G21K2201/061 ,  G21K2201/062 ,  G21K2201/064

    Abstract: La présente invention concerne un ensemble optique réflectif multicouche (10) à gradient latéral dont la surface réfléchissante est destinée à réfléchir des rayons X incidents sous faible angle d'incidence en produisant un effet optique bidimensionnel, caractérisé par le fait que ladite surface réfléchissante est constituée d'une surface unique, ladite surface réfléchissante étant conformée selon deux courbures correspondant à deux directions différentes. La présente invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel ensemble optique, caractérisé en ce que le procédé comprend le revêtement d'un substrat présentant déjà une courbure, et la courbure de ce substrat selon une deuxième direction différente. L'invention concerne enfin un dispositif de génération et de conditionnement de rayons X pour des applications de réflectométrie RX dispersive en angle comprenant un ensemble optique tel que mentionné ci-dessus couplé à une source rayons X de telle sorte que les rayons X émis par la source sont conditionnés en deux dimensions afin d'adapter le faisceau émis par la source à destination d'un échantillon, les rayons X ayant des angles d'incidences différents sur l'échantillon considéré.

    Abstract translation: 本发明涉及具有横向梯度的多层反射光学单元（10），其反射表面用于反射以锐角入射的X射线并产生二维光学效应，其特征在于所述 反射表面由单个表面组成，并且所述反射表面在两个不同方向上成形为两条曲线。 本发明还涉及一种用于生产这种光学单元的方法，其特征在于该方法包括在第二不同方向涂覆已经具有曲线的基板和基板的弯曲。 还公开了一种用于生成和处理用于RX角色散反射测量的X射线的装置，包括如上所述的光学单元，其耦合到X射线源，使得由源发射的X射线在二维处理 为了使源发射的光束适应于样品，X射线具有在考虑的样品上不同的入射角。

    METHOD FOR CONTROLLED MODIFICATION OF THE REFLECTIVE QUALITIES OF A MULTI-LAYER
    18.
    发明申请
    METHOD FOR CONTROLLED MODIFICATION OF THE REFLECTIVE QUALITIES OF A MULTI-LAYER 审中-公开
    多层反射质量的控制方法

    公开(公告)号：WO02097485A3

    公开(公告)日：2003-03-20

    申请号：PCT/FR0201830

    申请日：2002-05-31

    Applicant: XENOCS ,  HOGHOJ PETER

    Inventor： HOGHOJ PETER

    IPC: G02B5/08 ,  G02B5/10 ,  G02B5/18 ,  G02B5/26 ,  G02B5/28 ,  G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  G21K1/06 ,  C23C14/22 ,  G03F1/14

    CPC classification number: G02B5/0883 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/1838 ,  G02B5/26 ,  G02B5/283 ,  G03F1/24 ,  G03F1/26 ,  G03F7/70058 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/06

    Abstract: One of the aspects of the invention relates to a method for altering the reflective qualities of desired regions of a multi-layered structure (30) which is exposed to radiation of a given wavelength value and for modifying said radiation in a desired manner by means of reflection, said alteration method involving the exposure of desired regions of the multi-layered structure to a beam (20) of energy, characterized in that the inventive method includes control of the exposure of the desired regions of the multi-layered structure to the beam of particles, whereby the reflectivity peak of each region of the structure can be shifted in a desired manner within the wavelength spectrum. A second aspect of the invention relates to a reflective lithographic mask and a mirror for X-rays carried out according to said method, in addition to the use of said method for rectifying the optical properties of a multi-layered structure.

    Abstract translation: 本发明的一个方面涉及一种用于改变暴露于给定波长值的辐射的多层结构（30）的期望区域的反射性质的方法，并且以期望的方式通过以下方式改变所述辐射： 反射，所述改变方法包括将多层结构的期望区域暴露于能量束（20），其特征在于，本发明的方法包括控制多层结构的期望区域对梁的曝光 的颗粒，由此可以在波长谱内以期望的方式移动结构的每个区域的反射率峰值。 本发明的第二方面涉及除了使用用于整流多层结构的光学特性的方法之外，根据所述方法执行的用于X射线的反射光刻掩模和反射镜。

    PROCEDE DE MODIFICATION CONTROLEE DE PROPRIETES REFLECTIVES D'UN MULTICOUCHE
    19.
    发明申请
    PROCEDE DE MODIFICATION CONTROLEE DE PROPRIETES REFLECTIVES D'UN MULTICOUCHE 审中-公开
    多层反射质量的控制方法

    公开(公告)号：WO2002097485A2

    公开(公告)日：2002-12-05

    申请号：PCT/FR2002/001830

    申请日：2002-05-31

    Applicant: XENOCS ,  HOGHOJ, Peter

    Inventor： HOGHOJ, Peter

    IPC: G02B5/26

    CPC classification number: G02B5/0883 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/1838 ,  G02B5/26 ,  G02B5/283 ,  G03F1/24 ,  G03F1/26 ,  G03F7/70058 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/06

    Abstract: L'invention concerne selon un premier aspect un procédé d'altération des propriétés réflectives de régions désirées d'une structure multicouche (30) destinée à être exposée à un rayonnement de longueur d'onde donnée et à modifier de manière désirée ledit rayonnement par réflexion, ledit procédé d'altération mettant en oeuvre l'exposition de la structure à un faisceau (20) énergétique, caractérisé en ce que le procédé comprend le contrôle de l'exposition des régions désirées de la structure multicouche audit faisceau de particules, de manière à déplacer de manière désirée dans le spectre de longueur d'onde la valeur du pic de réflectivité de chaque région de la structure. L'invention concerne selon un second aspect un masque réflectif de lithographie, un miroir pour rayons X, réalisés par un tel procédé, et l'utilisation de ce procédé pour rectifier les propriétés optiques d'une structure multicouche.

    Abstract translation: 本发明的一个方面涉及一种用于改变暴露于给定波长值的辐射的多层结构（30）的期望区域的反射性质的方法，并且以期望的方式通过以下方式改变所述辐射： 反射，所述改变方法包括将多层结构的期望区域暴露于能量束（20），其特征在于，本发明的方法包括控制多层结构的期望区域对梁的曝光 的颗粒，由此可以在波长谱内以期望的方式移动结构的每个区域的反射率峰值。 本发明的第二方面涉及除了使用用于整流多层结构的光学特性的方法之外，根据所述方法执行的用于X射线的反射光刻掩模和反射镜。

    X-RAY SCATTERING APPARATUS AND X-RAY SCATTERING METHOD
    20.
    发明申请
    X-RAY SCATTERING APPARATUS AND X-RAY SCATTERING METHOD 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022248471A1

    公开(公告)日：2022-12-01

    申请号：PCT/EP2022/064053

    申请日：2022-05-24

    Applicant: XENOCS SAS

    Inventor： HOGHOJ, Peter ,  JOENSEN, Karsten ,  PANINE, Pierre

    IPC: G01N23/20008 ,  G01N23/201 ,  G21K5/10

    Abstract: The invention refers to an X-ray scattering apparatus (10), comprising: - a sample vacuum chamber (26); - a sample holder (20) placed inside the sample vacuum chamber (26) for aligning and/or orienting a sample (18) to be analyzed by X-ray scattering; - an X-ray beam delivery system (11) comprising a 2D X-ray source and a 2D monochromator and being arranged upstream of the sample holder (20) for generating and directing an X-ray beam along a beam path in a propagation direction (Y) towards the sample holder (20); - an X-ray detector (22), placed inside a diffraction chamber connected to the sample vacuum chamber (26), wherein the X-ray detector (22) is arranged downstream of the sample holder (20) and is movable, in particular in a motorized way, along the propagation direction such as to detect the X-ray beam and X-rays scattered at different scattering angles from the sample (18); - wherein the X-ray beam delivery system (11) is configured to focus the X-ray beam onto a focal spot on or near the X-ray detector (22) when placed at its distal position having the largest distance from the sample holder (20) or to produce a parallel beam, - a Bonse Hart monochromator module (12) positioned upstream of the sample holder (20) and being equipped with a motorized monochromator holder; - a Bonse Hart analyzer module (14) positioned downstream of the sample holder (20) and being equipped with a motorized analyzer holder (14a); wherein both the motorized monochromator holder and the motorized analyzer holder (14a) are configured such as to simultaneously position their respective modules (12, 14) in an active position in the X-ray beam for USAXS measurements and in an inactive position out of the X-ray beam for SAXS measurements, characterized in that the X-ray scattering apparatus (10) furthermore comprises a storage chamber (32) integral with or connected to the sample vacuum chamber (26) and/or the diffraction chamber, and that the motorized analyzer holder (14a) is furthermore configured to position the Bonse Hart analyzer module (14) in a storage position in the storage chamber (32). The invention furthermore refers to an X-ray scattering method carried out using the X-ray scattering apparatus.

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