半導体装置の製造方法
    12.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021064747A

    公开(公告)日:2021-04-22

    申请号:JP2019189976

    申请日:2019-10-17

    Abstract: 【課題】導電膜表面から不純物が外方拡散することを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】不純物を含むポリシリコン膜を形成した後、不純物が外方拡散する高温、減圧のような条件下の半導体装置の製造工程前に、ポリシリコン膜2の表面に外方拡散防止膜3を形成することでポリシリコン膜表面から不純物が外方拡散することを抑え、所望の不純物濃度のポリシリコン膜を残す。 【選択図】図3

    圧電素子の製造方法
    13.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021061345A

    公开(公告)日:2021-04-15

    申请号:JP2019185371

    申请日:2019-10-08

    Inventor: 口地 博行

    Abstract: 【課題】圧電素子をマイクロフォンとして使用するため、高感度の圧電素子を形成することができる圧電素子の製造方法を提供する。 【解決手段】圧電素子の製造方法は、振動板2上に、ポリイミド前駆体を含む膜を形成し、圧電膜からなる振動板を形成し、振動板上に形成したポリイミド前駆体を含む膜を適宜設定した条件で熱処理を行い、あるいはさらにポリイミド前駆体を含む膜を所定の厚さとして振動板2の反りを緩和する所望の圧縮応力を有するポリイミド膜9Aを形成する。 【選択図】図3

    アナログBIST回路
    14.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021060328A

    公开(公告)日:2021-04-15

    申请号:JP2019185661

    申请日:2019-10-09

    Abstract: 【課題】アナログBISTの実行時間を短縮する。 【解決手段】個々のアナログ回路10−1〜NをアナログBISTが実行可能な状態に設定するアナログBIST制御回路90と、個々のアナログ回路10−1〜Nに入力させるテストパターン信号を生成する第1及び第2のテストパターン生成回路30及び40と、アナログBISTが実行可能な状態に設定された個々のアナログ回路10−1〜Nにテストパターン信号が並行して入力することで得られた個々の出力電圧の信号をまとめてシリアルデータに変換するパラレル/シリアル変換器50と、パラレル/シリアル変換器50から出力するシリアルデータをCRC演算するCRC演算回路60と、期待値を内蔵した記憶装置70と、CRC演算回路60の出力データに対して記憶装置70から読み出した期待値でCRC演算して個々のアナログ回路のテスト結果をまとめて全体としての故障判定を行う判定回路80を備える。 【選択図】図2

    会話支援装置
    15.
    发明专利
    会話支援装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2021056824A

    公开(公告)日:2021-04-08

    申请号:JP2019179943

    申请日:2019-09-30

    Inventor: 坂田 大輔

    Abstract: 【課題】聴者を不快にさせることなく、スピーカ装置から出力される音声信号を聴者に聴き取りやすく調整することが容易な会話支援装置を提供する。 【解決手段】マイク装置1から入力される音声信号を信号処理し、処理後の音声信号をスピーカ装置2から出力する会話支援装置であって、スピーカ装置から出力される音声信号の出力レベルを表示する表示装置4を備えている。 【選択図】図1

    MEMS素子
    16.
    发明专利
    MEMS素子 审中-公开

    公开(公告)号:JP2021040255A

    公开(公告)日:2021-03-11

    申请号:JP2019160902

    申请日:2019-09-04

    Inventor: 荒木 新一

    Abstract: 【課題】MEMS素子のハンドル基板に力が加わった場合でも特性変動の少ないMEMS素子を提供する。 【解決手段】MEMS素子において、可動電極膜7は、支持部材8を介してバックプレート6に支持される。支持部材8は、可動電極膜7の落下を防止する第一のストッパー部と、可動電極膜7と固定電極5との接触を防ぐ第二のストッパー部を含む中継部と、中継部を連結し固定電極5の外周に沿ってバックプレート6に接合する連結部と、第一のストッパー部と第ニのストッパー部の間に備えた支持部とからなる。可動電極膜7に形成した孔内を支持部が貫通し、孔の内壁と支持部の間、可動電極膜7と第一のストッパー部の間および可動電極膜7と第二のストッパー部の間に隙間を設けることで可動電極膜7と支持部材8が接触により接続している。 【選択図】図1

    信号処理システム
    17.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021033335A

    公开(公告)日:2021-03-01

    申请号:JP2019148683

    申请日:2019-08-13

    Abstract: 【課題】受信機と複数のセンサとの接続が煩雑にならないようにする。 【解決手段】本発明の信号処理システムは、導電部を備え導電性を有する布と、前記導電部と接続されて前記布に取り付けられ、所定の発振周波数の搬送波を前記導電部に発信する発信機と、前記導電部と接続されて前記布に取り付けられ、検知対象の状態に応じて前記搬送波を変調する信号を出力する複数のセンサと、前記導電部と接続されて前記布に取り付けられ、変調された前記搬送波を復調して前記センサごとの信号を取り出す受信機と、を備える。 【選択図】図1

    電流モード降圧型スイッチングレギュレータ

    公开(公告)号:JP2021027631A

    公开(公告)日:2021-02-22

    申请号:JP2019141934

    申请日:2019-08-01

    Inventor: 森尻 敬治

    Abstract: 【課題】軽負荷モードと重負荷モードの切り替えが安定して行われるようにする。 【解決手段】サブ回路20は、重負荷モードにおいて、帰還電圧Vfbが第2基準電圧Vref2より小さくなるとスイッチングトランジスタMP1をオンさせ、電流検出電圧V14が第3基準電圧Vref3より大きくなるとスイッチングトランジスタMP1をオフさせ、電流検出電圧V14が第3基準電圧Vref3より小さくなっている期間が第1期間を超えたとき、軽負荷モードに設定する。また、軽負荷モードにおいて、帰還電圧Vfbが第2基準電圧Vref2より小さくなるとスイッチングトランジスタMP1をオンさせ、電流検出電圧V14が第4基準電圧Vref4より大きくなるとスイッチングトランジスタMP1をオフさせ、帰還電圧Vfbが第2基準電圧Vref2より小さくなっている期間が第2期間T2を超えたとき、重負荷モードに設定する。 【選択図】図2

    半導体装置の製造方法
    19.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021027147A

    公开(公告)日:2021-02-22

    申请号:JP2019143509

    申请日:2019-08-05

    Abstract: 【課題】変形を防止することができるリードフレームを用いながら、切断くずの飛散を生じさせず、半導体装置を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】リードフレーム1Aに凹部11あるいは貫通孔を形成し、樹脂封止の際に、凹部あるいは貫通孔内に封止樹脂を嵌入させ、個片化の際には、この封止樹脂を残すようにリードフレームを切断する。凹部あるいは貫通孔に嵌入した封止樹脂のアンカー効果により切断された連結バー5等が飛散することはない。 【選択図】図1

    音波センサの製造方法
    20.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021015045A

    公开(公告)日:2021-02-12

    申请号:JP2019130025

    申请日:2019-07-12

    Abstract: 【課題】検知対象から所定の寸法だけ離れた位置に確実に接着することが可能で、所望の検知信号を得ることができる小型の音波センサの製造方法を提供する。 【解決手段】集合基板1上に複数の音波センサを形成し、その後個片化することで、接着部材4、4aを備えた小型の音波センサを同時に形成することができる。接着部材4、4aをシート状の接着部材4、4aの集合体とし、個片化工程で切断することも可能である。 【選択図】図1

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