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    x-선 위치검출기의 동시성 선택회로
    11.
    发明公开
    x-선 위치검출기의 동시성 선택회로 失效

    公开(公告)号：KR1019970064326A

    公开(公告)日：1997-09-12

    申请号：KR1019960002601

    申请日：1996-02-03

    Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

    Inventor： 강희동 ,  박정병

    IPC: H05G1/08

    Abstract: 본 발명은 디지털 X ―선 사진촬영장치의 X ―선 위치검출기에 관한 것으로, 1차원 MWPC(Multiwire Proportional Chamber)의 두 이웃하는 양극선(20)에서 발생한 신호(S
    1 ∼S
    3 )가 입되는 판별기(D
    1 ∼D
    3 )의 출력 단 각각에 단안정 진동자(21∼23)각각을 연결하고, 단안정 진동자(21)의 출력단에 앤드게이트(AD
    1 ),(AD
    2 )의 입력단과 비동시성 계수기(30)를, 단안정 진동자(22)의 출력단에 앤드게이트(AD
    2 ),(AD
    3 )의 입력단과 비동시성 계수기(31)를, 단안정 진동자(23)의 출력단에 앤드게이트(AD
    3 )의 입력단과 비동시성 계수기(32)를 각각 연결하며, 상기 앤드게이트(AD
    1 ∼AS
    3 )의 출력단 각각에는 각각의 단안정 진동자(24∼26)를 통해 동시성 계수기(27∼29)각각을 연결한 구성으로 검출기체의 압력증가에 따라 동시성 시간기준이 늘어남에 따른 문제를 해결하고 회로의 구성이 간 하므로 부피와 비용이 감소하는 장점이 있으며, X ―선 위치검출기의 위치분해능을 향상시켜 주는 효과가 있는 X ―선 위치검출기의 동시성 선택회로이다.

    다공질 실리콘 에피탁시법을 이용한 실리콘 미세구조의 형성방법
    13.
    发明授权
    다공질 실리콘 에피탁시법을 이용한 실리콘 미세구조의 형성방법 失效
    用多孔硅外延法形成硅微结构的方法

    公开(公告)号：KR1019970005677B1

    公开(公告)日：1997-04-18

    申请号：KR1019930029497

    申请日：1993-12-24

    Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

    Inventor： 이종현

    IPC: H01L21/20

    Abstract: A method for forming a fine structure of silicon is described that is applicable to produce sensors and actuators. An epitaxial layer 3 is grown over the entire substrate 1 where a poly silicon layer 2 is deposited by anode reaction in HF, and then integrated circuit devices are formed. Thereafter, p+-type silicon layer 4, an oxide layer 5 and a metal electrode are made in sequence. Next, in accordance with a mechanical structure, the epitaxial layer 3 is wet-etched until the poly silicon layer 2 is exposed, and then the poly silicon layer 2 is selectively etched. Thereby, it is possible to carry out the above process without affection to another process and thus mass-produce the fine structure having the accurate shape of space.

    Abstract translation: 描述了用于形成硅精细结构的方法，其可应用于生产传感器和致动器。 在HF的阳极反应中沉积多晶硅层2的整个基板1上生长外延层3，然后形成集成电路器件。 此后，依次制作p +型硅层4，氧化物层5和金属电极。 接下来，根据机械结构，将外延层3进行湿式蚀刻，直到多晶硅层2露出，然后选择性地蚀刻多晶硅层2。 由此，可以不影响其他工序而进行上述工序，从而大量生产具有精确的空间形状的精细结构。

    실리콘 가속도 센서의 제조방법
    15.
    发明公开
    실리콘 가속도 센서의 제조방법 失效
    硅加速度传感器的制造方法

    公开(公告)号：KR1019950030405A

    公开(公告)日：1995-11-24

    申请号：KR1019940008000

    申请日：1994-04-16

    Applicant: 최시영 ,  대한민국경북대학교센서기술연구소

    Inventor： 최시영 ,  손병복

    IPC: H01L29/84

    Abstract: 본 발명은 실리콘 가속 센서의 제조 방법에 관한 것으로서 메스(Mass)의 모서리에 언더컷이 발생하는 것을 억제할 수 있는 실리콘 가속도 센서의 제조 방법에 관한 것이다.
    본 발명의 제조 방법은 마스크 패턴에, 메스의 높이를 C로 했을 때, 메스의 각변이 일치하는 네 귀퉁이의 모서리 점에 각 변의 폭이 메스 높이의 두배의 폭을 가지는 사각형의 보상 패턴을 포함시키며, 보상 패턴을 그 중점을 C에 대해 10퍼센트 이내의 범위 내에서 상기 모서리 점에 일치시키고, 상기 보상 패턴의 각 변의 폭을 2C로 결정하도록 한다.
    이러한 본 발명에 의하면, 목적하는 형태 메스를 성공적으로 형성할 수 있게 된다.

    스테인 에칭기법을 이용한 마이크로머시닝 방법
    17.
    发明授权
    스테인 에칭기법을 이용한 마이크로머시닝 방법 失效
    使用不锈钢蚀刻工艺的微型曝光方法

    公开(公告)号：KR100143241B1

    公开(公告)日：1998-08-17

    申请号：KR1019940037888

    申请日：1994-12-28

    Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

    Inventor： 이종현 ,  신장규 ,  류인식

    IPC: C23C18/16

    Abstract: 본 발명은 미세 기계구조물을 제조하는 마이크로머시닝 방법에 관한 것으로, n형 실리콘기판(1)을 세척하여 확산마스크용 실리콘 산화막을 성장시킨후 인(phosphorus)을 확산 시켜 n+층(2)을 형성하고, n+층(2)상에 n형 실리콘에피층(3)을 성장시켜 n/n+/n 3 구조를 만들고 표면에 LPCVD법으로 질화막(4;Si
    3 N
    4 )을 증착시키는 단계와; 상기 질화막(4)을 사진식각법으로 패터닝하고 질화막(4)과 n형 실리콘 에피층(3)을 식각하여 n+층(2)을 노출시키는 단계와; 노출된 n+층(2)을 스테인 에칭을 실시하여 다공질 실리콘으로 만드는 단계와; 스테인 에칭된 n+층(2' )을 제거하여 미세기계구조를 형성하는 단계로 이루어져 짧은 식각시간으로 다양한 모양의 미세구조를 만들수 있으면서도 공정이 간단한 스테인 에칭 기법을 이용한 마이크로머시닝 방법이다.

    유체센서 및 유체의 흐름 측정 방법
    18.
    发明公开
    유체센서 및 유체의 흐름 측정 방법 无效
    流体传感器和流体流量测量方法

    公开(公告)号：KR1019970066518A

    公开(公告)日：1997-10-13

    申请号：KR1019960006125

    申请日：1996-03-08

    Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

    Inventor： 이종현 ,  김진섭 ,  심준환

    IPC: G01F1/68

    Abstract: 본 발명은 유체(기체 또는 액체)의 유속 및 유량 등을 측정하는 유체센서와 유속 및 유량 등 유체의 흐름을 측정하는 방법에 관한 것으로서, 유체센서(11)에 아날로그먹스(12), A/D변환기(13), 버퍼 및 메모리(14)를 차례로 거쳐 LED표시기(15)를 연결함과 더불어 개인용컴퓨터(16)를 연결하고, 상기 아날로그먹스(12), A/D변환기(13), 버퍼 및 메모리(14)에 클럭발생기 및 제어기(17)를 각각 연결한 구성으로 유체센서(11)의 다수의 온도감지소자로 측정한 온도분포곡선으로부터 유체의 종류, 혼합비, 유량 및 유속을 측정함으로써 미지 유체의 종류, 혼합비, 유량 및 유속 등을 정확하게 측정할 수 있는 장점이 있는 유체센서 및 유체의 흐름측정방법이다.

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