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公开(公告)号：CN101251719A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200710162430.3
申请日：2002-10-03
Applicant: ASML美国公司
Inventor： A·源
IPC: G03F7/30 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6708 , B05B12/1472 , B05C5/027 , B05C11/08 , H01L21/67051
Abstract: 本发明涉及一种通过减少pH值突变而使显影反应物的沉淀最小化的方法。所述方法包括以下步骤：在基板位于其内的显影剂流体模块内设置层流气流场；在聚合物层的表面上的多个位置处将一定量的显影剂流体施加到基板上的聚合物层上；使至少一部分聚合物层显影；然后允许至少一部分所述一定量的显影剂流体停留在所述聚合物上，从而可控制地使pH值的随后突变最小化；以及然后利用一定量的另一流体冲洗所述聚合物。
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公开(公告)号：CN1295121C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN03101059.8
申请日：2003-01-09
Applicant: ASML美国公司
CPC classification number: G03F9/7011 , G03F7/70741
Abstract: 将分划板输送及加装到一个接收台(例如一个分划板曝光台)上所用的一种装置和方法。首先利用一个末端执行器将分划板从存储装置中取出，该末端执行器具有一个与安装盘相连接的分划板盘。安装盘用于使末端执行器与一个机器人臂相连。在脱机对准台中的一个平面外位置中将分划板对准。所述的对准与在接收台处所要求的对准相符合。在脱机对准台处将分划板对准之后，将分划板安装到分划板盘上。然后，将分划板从脱机对准台输送到接收台上，同时保持在脱机对准台上所预先完成的对准。该装置还为安装的分划板提供刚性以保证符合接收台处的对准要求。
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公开(公告)号：CN1460042A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN01815145.0
申请日：2001-07-31
CPC classification number: B24B37/32
Abstract: 提供一种具有晶片载体组件的化学机械抛光系统，晶片载体组件包括一个晶片载体支撑架(52)、一个可转动地安装在晶片载体支撑架上的晶片载体头罩(56)，晶片载体基座带有可操作地将晶片载体基座连接到晶片载体头罩上的囊状膜盒。还提供一个保持环(96)它连到保持环轴承(142)上，允许保持环和晶片载体头罩之间作相对的轴向移动，同时限制它们之间的相对的径向移动，保持环膜盒(144)将保持环推靠抛光构件。由囊状膜盒、晶片载体基座和晶片载体头罩形成的腔可以加压，在不受保持环上的摩擦载荷的影响下，对晶片载体基座和晶片加载，使晶片贴靠抛光构件。
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公开(公告)号：CN1453644A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03122237.4
申请日：2003-04-23
Applicant: ASML美国公司
Inventor： 詹姆斯·G·查考耶尼斯 , 斯科特·D·考斯顿
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70091
Abstract: 电磁能量从光刻装置的照明光源发射。发射的电磁能量的一部分，通过照明光学模块。照明光学模块包括具有光瞳平面的一维光学变换单元。有可调整孔径的孔径装置，位置邻近于该光瞳平面，使该一维光学变换单元接收的一部分电磁能量，通过孔径装置的孔径。用该孔径装置把通过照明光学模块的电磁能量角分布，作为照明场位置的函数而调整，从而改善光刻装置中的线宽控制。
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公开(公告)号：CN1405863A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02143456.5
申请日：2002-08-19
Applicant: ASML美国公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/205 , C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4409 , C23C16/4401 , C23C16/4411 , C23C16/4557 , H01L21/67109 , H01L21/67126
Abstract: 提供装置和方法，用于在加压、抽真空或排气的反应室(100)中隔离聚合材料制成的密封件(110)，其中密封件(110)减少由于从反应室向密封件传导热量导致的损坏。反应室(100)包括：壁(125)，其中具有缝隙(140)；边沿(115)，关于缝隙放置；和边沿与固定件(120)之间的隔离件(105)，隔离边沿与固定件之间的密封件。通常，隔离件(105)包括冷却管道或冷却循环管(260)，它具有侧壁(262)，覆盖边沿(115)并与之连接，并且帽(255)覆盖循环管。帽(255)具有密封表面(257)，密封件(110)紧贴密封表面(257)放置。液体可以流过循环管(260)，减少传导到密封件(110)上的热量。边沿(115)、循环管(260)和帽(255)最好由石英或玻璃制成，并且循环管的侧壁(262)焊接到边沿和帽上。更为优选的是，循环管(260)用作光导管，将反应室(100)辐射的热量从密封件(110)传导出去。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1402027A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02147029.4
申请日：2002-08-02
Applicant: ASML美国公司
Inventor： 马丁·莫加德
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02B6/134 , C03B19/1415 , C03B19/1453 , C03B2201/10 , C03B2201/31 , G02B6/13 , G02B2006/121
Abstract: 氧化物构件的形成方法及所形成的氧化物构件。一个实施例中，基片上形成有下涂层。下涂层上形成至少一层芯层，芯层中的硼含量使所述芯层中的内应力大致为零。芯层上形成的至少一层上涂层，其中至少一层上涂层和至少一层下涂层中的锗含量使上涂层和下涂层中有大致相等的折射率。
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公开(公告)号：CN1374890A
公开(公告)日：2002-10-16
申请号：CN00811232.0
申请日：2000-07-12
Applicant: ASML美国公司
CPC classification number: B08B7/0035 , C23C16/4405 , Y10S438/905
Abstract: 提供一种用于原位清洗半导体制造装置(10)的两步骤或者其组合的方法和系统。本发明在各步骤中利用两分开的含氟化学品,该步骤选择性针对去除不同类型的堆积于装置表面的淀积物。更具体地,粉末状和致密膜状固体淀积物,以及两者的组合,在室(12)表面和相关装置元件上堆积。这两种类型的淀积物通过本发明被选择性地去除掉。这种组合清洗步骤的选择性,得到了改善的清洗技术。在另一实施方案中,通过在分开的步骤中使用不同的化学品,并按不同所需序列进行实施该步骤,本发明的方法和系统提供了进行清洗室(12)和相关装置的方法。
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公开(公告)号：CN1264045C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN02160297.2
申请日：2002-10-18
Applicant: ASML美国公司
Inventor： 詹姆斯·特萨考耶尼斯 , 沃尔特·奥古斯汀
CPC classification number: G03F7/70583
Abstract: 本发明涉及一种激光束扩束用的方法和系统。一种照明系统包括一水平反射的多路复用器和一垂直反射的多路复用器。该水平反射的多路复用器沿着第一维度复制该输入光束，从而形成第一多路复用光束。该垂直反射的多路复用器沿第二维度复制该第一多路复用光束，从而形成第二多路复用光束。在一个例子中，该水平反射的多路复用器包括一第一分束器、第二分束器和反射镜。该垂直反射的多路复用器包括一分束器和反射镜。
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公开(公告)号：CN1261334C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN02802985.2
申请日：2002-08-12
Applicant: ASML美国公司
Inventor： 圣地亚哥·E·德尔普埃尔托 , 迈克尔·A·德马尔科 , 格伦·M·弗雷德曼 , 豪尔赫·S·艾瓦尔蒂 , 詹姆斯·A·麦克莱
CPC classification number: G03F7/70741 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/66 , G03F7/70808 , H01L21/67005 , H01L21/67751 , H01L21/67772 , H01L21/67778 , Y10S414/14
Abstract: 本发明涉及一种基片保护和转移系统，以及在光刻工具内转移一个基片由大气压至真空的方法。此系统包括一个或多个基片转移盒(111)。每个盒具有至少一个通气孔和至少一个过滤器。此系统还包括一个端部操作装置(113)，与一个机器人臂(115)匹配，以便能使基片(109)定位在一个盒(111)内，从而形成一个盒-基片装置。此系统还包括一个具有一个底板(711)和一个盖子(713)的箱子(701)。箱子(701)保持一个或多个盒-基片装置。用这种方式提供了一个箱子(盒)基片装置。为了转移基片，基片(109)首先装载进入一个可移动的基片转移盒(111)。随后，盒-基片装置装载进入箱子(701)。此箱子(盒)基片装置随后转移到真空外存储架的一个搁板上。
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公开(公告)号：CN1620355A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02806870.X
申请日：2002-01-23
Applicant: ASML美国公司 , 马萨诸塞州技术研究院
IPC: B24B1/00 , H01L21/763 , H01L21/302
CPC classification number: B24B49/006 , B24B37/042 , B24B49/16 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供了一种金属大马士革结构的化学机械抛光的方法，该金属大马士革结构包括：绝缘层，其具有位于晶片上的刻槽；以及金属层，其具有位于绝缘层的刻槽内的下部和覆盖所述下部和绝缘层的上部。该方法包括：第一步骤，其对金属层的上部进行平面化；以及第二步骤，其对绝缘层和金属层的下部进行抛光。在第一步骤中，在接触模式下，通过在晶片与抛光垫之间施加压力p并产生相对速度v而将晶片和抛光垫负荷在一起，以提高金属的去除速率。在第二步骤中，在稳态模式下，对绝缘层和金属层的下部进行抛光，以在刻槽中形成单独的金属线，且使金属线的凹陷和绝缘层的过抛最小。
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