公开(公告)号：JP2017085104A

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：JP2016210547

申请日：2016-10-27

Applicant: 漢辰科技股▲ふん▼有限公司 ,  Advanced Ion Beam Technology Inc

Inventor： NI YU-HO ,  KANG CHUN-CHIN ,  YANG CHIEH-JEN

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/30 ,  B08B7/00 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/20 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/30466 ,  H01L21/6833 ,  H02N13/00

Abstract: 【課題】静電チャックを清掃する方法を提供する。【解決手段】静電チャックの吸着面に如何なる工作物も固持されていない場合、イオンビームが静電チャックの吸着面に伝送されることにより、イオンビーム及び吸着面の堆積物の相互作用により、物理的な衝突及び/或いは化学結合が生じることで、堆積物が静電チャックの吸着面から除去される。イオンビームの電流量、エネルギー量及びイオンの種類は、全て堆積物の構造、厚さ、及び材料等により決定される。低エネルギー量のイオンビームが使用されることにより、静電チャックの吸着面が損傷される可能性が減少する。酸素イオンまたは不活性ガスイオン等が使用されて、堆積物が除去されると共に静電チャックの吸着面の誘電層の導電性に対する影響も減少する。【選択図】図2A

公开(公告)号：JP2015170598A

公开(公告)日：2015-09-28

申请号：JP2015005939

申请日：2015-01-15

Applicant: アドバンスド イオン ビーム テクノロジー,インコーポレイテッド ,  ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY,INC.

Inventor： ウィリアム,ディヴァジリオ ,  スティーブン,サヴァス ,  スーザン,フェルチュ ,  テンユー,シェン ,  ハァウ,チェン

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/3266 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/083

Abstract: 【課題】プラズマ源からの中性化学種の処理室への流入を防止して、信頼性および制御性を改善したプラズマベースの材料改質システムを提供する。 【解決手段】プラズマベース材料改質システム200は、ワークピース206を支持する支持構造体208が設けられた処理室204、および、処理室204に接続されたプラズマ源室202より構成される。プラズマ源室202はプラズマ生成領域232を囲む第1磁石セット210、第2磁石セット212および第3磁石セット214を含み、第3磁石セット214は、10eVより大きいエネルギーを有するプラズマ220中の電子の大部分をプラズマ生成領域内220に閉じ込める一方、プラズマ220から生成されるイオンビーム234を処理室204へ通過させる。 【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种通过防止来自等离子体源的中性物质流入处理室来提高系统可靠性和过程控制的等离子体材料改性系统。解决方案：等离子体基材料改性系统200包括： 处理室204，其中设置有用于支撑工件206的支撑结构208; 以及耦合到处理室204的等离子体源室202.等离子体源室202包括围绕等离子体产生区域232的第一多个磁体210，第二多个磁体212和第三多个磁体214。 多个磁体214配置成在等离子体产生区域232内限制大于等于10eV的能量的等离子体220的大部分电子，同时允许从等离子体220产生的离子束234进入处理室204。

公开(公告)号：JP5364041B2

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：JP2010127956

申请日：2010-06-03

Applicant: アドバンスト イオン ビーム テクノロジー インクAdvanced Ion Beam Technology Inc.

Inventor： 沈政輝 ,  ベリアン ドン

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/31701

Abstract: Initially, an ion beam is formed as an elongated shape incident on a wafer, where the shape has a length along a first axis longer than a diameter of the wafer, and a width along a second axis shorter than the diameter of the wafer. Then, a center of the wafer is moved along a scan path intersecting the ion beam at a movement velocity, and the wafer is rotated around at a rotation velocity simultaneously. During the simultaneous movement and rotation, the wafer is totally overlapped with the ion beam along the first axis when the wafer intersects with the ion beam, and the rotation velocity is at most a few times of the movement velocity. Both the movement velocity and the rotation velocity can be a constant or have a velocity profile relative to a position of the ion beam across the wafer.

公开(公告)号：JP2011210721A

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：JP2011061888

申请日：2011-03-22

Applicant: Advanced Ion Beam Technology Inc ,  アドバンスト イオン ビーム テクノロジー インコーポレイテッド

Inventor： WAN ZHIMIN ,  POLLOCK JOHN D ,  BERRIAN DON ,  KO-CHUAN JEN

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/09 ,  H01L21/265

CPC classification number: C23C14/48 ,  H01J37/09 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/31711

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ion implant method and an ion implanter using a variable aperture.SOLUTION: A variable aperture within an aperture adjustment device is used to shape the ion beam before the substrate is implanted by a shaped ion beam, especially to finally shape the ion beam in a position near the substrate. Hence, different portions of a substrate, or different substrates, can be implanted respectively by different shaped ion beams without going through using multiple fixed apertures or retuning the ion beam each time. In other words, different implantations may be achieved respectively by customized ion beams without high cost and complex operation. Moreover, the beam tune process for acquiring a specific ion beam to be implanted may be accelerated, because the adjustment of the variable aperture may be achieved simply by mechanical operation compared with prior arts.

Abstract translation: 要解决的问题：提供使用可变孔径的离子注入方法和离子注入机。解决方案：在通过成形离子束注入衬底之前，使用孔径调节装置内的可变孔径来形成离子束，特别是 最后将离子束形成在靠近衬底的位置。 因此，可以通过不同的成形离子束分别注入衬底或不同衬底的不同部分，而不需要通过使用多个固定孔或每次重新调整离子束。 换句话说，可以通过定制的离子束分别实现不同的注入，而不需要高成本和复杂的操作。 此外，与现有技术相比，可以通过机械操作来实现可变孔径的调节，从而可以加速用于获取待植入的特定离子束的束调整过程。

公开(公告)号：JP6306313B2

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：JP2013212093

申请日：2013-10-09

Applicant: アドバンスド イオン ビーム テクノロジー,インコーポレイテッド ,  ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY,INC.

Inventor： ヅー−シー,イェン ,  ダニエル,タン ,  ツンナン,チェン

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/785

公开(公告)号：JP2018074164A

公开(公告)日：2018-05-10

申请号：JP2017214194

申请日：2017-11-06

Applicant: アドバンスト イオン ビーム テクノロジー インク ,  Advanced Ion Beam Technology Inc.

Inventor： 王、▲徳▼民 ,  倪、玉河 ,  林、群傑 ,  侯、建仲 ,  簡、鉦茂

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H02N13/00 ,  G01R27/2605 ,  G01R31/2808 ,  G01R31/2831 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68742 ,  H05F3/02

Abstract: 【課題】ウェーハとチャックの相対的関係の監視において、特にウェーハが保持されていない時に、ウェーハがチャックに付着されているかどうかを監視する装置および方法を提供する。 【解決手段】ウェーハ22が保持されていない場合、リフトピン111は、ウェーハとチャック21を引き離すようにチャックの外部まで伸びることができる。この時にウェーハとチャック間で検出された静電容量と、ウェーハがチャックに保持されている時の静電容量とを比較することによって、ウェーハがチャックに付着されているかどうかを検出することができるので、ウェーハが適切にリフトピンに支持されているかどうかを検出可能となり、ウェーハの付着が発生した時またはウェーハが不適切に取り外された時に、早期警報を出すことができる。また、ウェーハにリフトピンが接触できるスイッチの電気的接続のオンまたはオフを制御することによって、ウェーハにある電荷を除去できる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2012234815A

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：JP2012103408

申请日：2012-04-27

Applicant: Advanced Ion Beam Technology Inc ,  漢辰科技股▲ふん▼有限公司

Inventor： CHEN HENG-GUNG ,  CHANG SA-JEOL

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/24514 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24542

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ion implantation system.SOLUTION: An ion implantation system includes an ion beam generator, a mass separation device, a holder device, and a first detector. The ion beam generator generates first ion beam. The mass separation device separates second ion beam containing required ions from the first ion beam. The holder device fixes at least one substrate. The holder device and the first detector relatively moves forward and backward in a first direction opposite to the second ion beam, so as to make the substrate and the first detector pass through a projection region of the second ion beam. The first detector acquires a related parameter of the second ion beam. The system acquires the related parameter of the ion beam during implantation of the ions. The system immediately adjusts manufacturing parameters, to achieve a preferable ion implantation effect.

Abstract translation: 要解决的问题：提供离子注入系统。 解决方案：离子注入系统包括离子束发生器，质量分离装置，保持器装置和第一检测器。 离子束发生器产生第一离子束。 质量分离装置将含有所需离子的第二离子束与第一离子束分离。 保持器装置固定至少一个基板。 保持装置和第一检测器相对于与第二离子束相反的第一方向相对地前后移动，以使基板和第一检测器通过第二离子束的投影区域。 第一检测器获取第二离子束的相关参数。 该系统在离子注入过程中获取离子束的相关参数。 系统立即调整制造参数，达到优选的离子注入效果。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2018190960A

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：JP2018069958

申请日：2018-03-30

Applicant: アドバンスト イオン ビーム テクノロジー インク ,  Advanced Ion Beam Technology Inc.

Inventor： チェ−チャン ウ ,  チュン−チン カン ,  ユ−ホ ニ ,  シアン−タ フェン

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/265 ,  H01L21/6831 ,  H01L22/20

Abstract: 【課題】ウエハ電荷を監視するための装置及び方法を提供する。 【解決手段】導電性ピン101、導電性ばね102及び導電線103は、ウエハの裏側表面と、試料導体104の表面が同一の電荷密度を有するように、ウエハの裏側表面と試料導体104とを接続すべく連続して構成される。それゆえ、試料導体104の表面に近接して配置される静電気センサ105を用いることにより、ウエハ上の電荷を監視できる。ウエハの表側表面上に現れた電荷は、ウエハの裏側表面上の電荷を誘起し、試料導体104は、シート導体であり、周囲環境から適切に絶縁される。試料導体104及び静電気センサ105は、ウエハが設置及び処理されるチャンバの外部に配置され、それによりチャンバ内部の装置を簡略化し、汚染のリスクを低減する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2014099636A

公开(公告)日：2014-05-29

申请号：JP2014001845

申请日：2014-01-08

Applicant: Advanced Ion Beam Technology Inc ,  アドバンスト イオン ビーム テクノロジー インコーポレイテッド

Inventor： WAN ZHIMIN ,  POLLOCK JOHN D ,  BERRIAN DON ,  KO-CHUAN JEN

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/09 ,  H01J37/317 ,  H01L21/266

CPC classification number: C23C14/48 ,  H01J37/09 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/24542 ,  H01J2237/31711

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ion implantation method and an ion implantation machine utilizing a variable aperture.SOLUTION: There is provided an aperture adjusting device which changes the shape of an ion beam, especially, changes the final shape of the ion beam nearby a substrate, and carries out ion implantation in the substrate with the ion beam having been shaped. The ion implantation in a different part of the substrate or a different substrate is performed with the ion beam having been shaped differently in a state in which a plurality of fixed apertures are not used or the ion beam is not re-adjusted at each time. Namely, different ion implantation can be performed with a specially-shaped ion beam neither at high cost nor through complicated operation. As compared with known techniques, the variable aperture is easily adjusted through machine operation, so an ion beam adjusting process is quickened to achieve an ion beam adjusting process for a specific ion beam for ion implantation.

Abstract translation: 要解决的问题：提供使用可变孔径的离子注入方法和离子注入机。解决方案：提供了一种改变离子束形状的孔径调节装置，特别是改变离子束附近的最终形状 衬底，并且在已经成形的离子束的基板中进行离子注入。 在不使用多个固定孔的状态下或每次不重新调整离子束的状态下，离子束的形状不同，进行离子注入在基板的不同部分或不同的基板上。 即，也可以通过特殊形状的离子束，不但成本高，也不需要复杂的离子注入。 与已知技术相比，通过机器操作容易地调节可变孔径，因此加速离子束调节过程以实现用于离子注入的特定离子束的离子束调节过程。

公开(公告)号：JP4414988B2

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：JP2006223334

申请日：2006-08-18

Applicant: アドバンスト イオン ビーム テクノロジー インクAdvanced Ion Beam Technology Inc.

Inventor： チェン ジオン ,  アール ホワイト ニコラス

IPC: H01J37/317 ,  C23C14/48 ,  H01J37/14 ,  H01J49/30