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公开(公告)号：KR101463894B1
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：KR1020130014243
申请日：2013-02-08
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명에 따른 터치스크린 감지 장치(100)는, 정전 용량 방식의 터치스크린 패널(20)에 대한 터치 입력의 감지를 위한 것으로서, 상기 터치스크린 패널(20)의 드라이빙 라인에 가해지는 구동 신호를 생성하는 구동 신호 생성부(300); 및 상기 터치스크린 패널(20)의 센싱 라인으로부터 출력되는 전하 신호를 전압 신호로 변환하는 전하 신호 변환부(200);를 적어도 포함하는 터치스크린 감지 장치에 있어서,
상기 전하 신호 변환부(200)의 비반전 입력단에 인가되는 참조 신호를 생성하되, 상기 참조 신호는 상기 구동 신호의 주파수와 동일한 주파수의 주기 신호로서 상기 구동 신호 또는 외부 신호를 이용하여 생성하는 참조 신호 생성부(100);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 한다.
본 발명에 따르면, 전하 신호의 오프셋 값을 최소화 또는 제거할 수 있으며, 피드백 캐패시터의 크기를 최소화할 수 있으며, 효율적인 ADC의 입력 다이나믹 레인지 사용이 가능함과 동시에 정밀한 터치 감지를 용이하게 하는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020140101470A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：KR1020130014243
申请日：2013-02-08
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: According to the present invention, a touchscreen sensing device (10) is provided to detect an input of a touch on a capacitive touchscreen panel (20). The touchscreen sensing device at least includes a drive signal generating unit (300) which generates a drive signal applied to a driving line of the touchscreen panel (20); and a charge signal converting unit (200) which converts a charge signal outputted from a sensing line of the touchscreen panel (20) into a voltage signal. The touchscreen sensing device further includes a reference signal generating unit (100) which generates a reference signal applied to a non-inverting input end of the charge signal converting unit (200), wherein the reference signal is generated as a cycle signal of the same frequency as the frequency of the drive signal by using the drive signal or an external signal. According to the present invention, an offset value of a charge signal can be minimized or eliminated, the size of a feedback capacitor can be minimized, and accurate touch sensing can be facilitated while enabling an efficient use of an input dynamic range of an ADC.
Abstract translation: 根据本发明，提供触摸屏感测装置（10）以检测电容式触摸屏面板（20）上的触摸的输入。 触摸屏感测装置至少包括产生施加到触摸屏面板（20）的驱动线的驱动信号的驱动信号产生单元（300）。 以及将从触摸屏面板（20）的检测线输出的充电信号变换为电压信号的充电信号转换单元（200）。 触摸屏感测装置还包括参考信号产生单元（100），其产生施加到充电信号转换单元（200）的非反相输入端的参考信号，其中参考信号被生成为相同的周期信号 通过使用驱动信号或外部信号作为驱动信号的频率。 根据本发明，可以最小化或消除充电信号的偏移值，可以使反馈电容器的尺寸最小化，并且可以有助于ADC的输入动态范围的有效使用，从而可以促进精确的触摸感测。
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公开(公告)号：KR1020140063184A
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020120130239
申请日：2012-11-16
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H04L27/01
CPC classification number: H04L27/01 , H04L25/03038 , H04L25/03057 , H04L25/03267 , H04L25/03885 , H04L25/03949 , H04L2025/0349
Abstract: The present invention provides an equalizer capable of removing the influence of a post cursor and reducing phasing time while reducing the size of hardware and an operation method for the same. The equalizer includes a sampler sampling enhanced data rates for global evolution and data in an input signal or a guide signal guided from the input signal; a clock generation unit determining sampling timing of the data or sampling timing of the enhanced data rates for global evolution from the enhanced data rates for global evolution and the data; and a control unit controlling the sampling timing of the data and the sampling timing of the enhanced data rates for global evolution according to the data and the enhanced data rates for global evolution.
Abstract translation: 本发明提供一种均衡器，其能够消除后光标的影响并减少相位时间同时减小硬件的尺寸及其操作方法。 均衡器包括采样器采样增强的数据速率用于全局演变和输入信号中的数据或从输入信号引导的引导信号; 时钟生成单元，用于从全球演进和数据的增强数据速率确定全局演进的增强数据速率的采样定时或采样定时; 以及控制单元，根据全球演进的数据和增强的数据速率来控制数据的采样定时和全球演进的增强数据速率的采样定时。
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公开(公告)号：KR1020110123316A
公开(公告)日：2011-11-15
申请号：KR1020100042733
申请日：2010-05-07
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H03K19/0948 , H03F3/70 , H03F3/45
CPC classification number: H03F3/70 , H03F3/45179 , H03F2203/45512
Abstract: PURPOSE: A dynamic bias current famine type inverter and a low power delta-sigma modulator using the same are provided to minimize an output error by offering high gain while minimizing power consumption. CONSTITUTION: A dynamic bias current famine type inverter cascade-interlinks first PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor) transistors(300,330) and second PMOS transistors(310,320). The dynamic bias current famine type inverter cascade-interlinks first NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor) transistors(210,230) and second NMOS transistors(200,220). First bootstrap capacitors(100,120) are installed between a gate of the first PMOS transistor and a gate of the second PMOS transistor. Second bootstrap capacitors(110,130) are installed between the gate of the second NMOS transistor and the first NMOS transistor.
Abstract translation: 目的：提供动态偏置电流饥饿型逆变器和使用其的低功率Δ-Σ调制器，以通过在最小化功耗的同时提供高增益来最小化输出误差。 构成：动态偏置电流饥饿型逆变器级联 - 互连第一PMOS（P沟道金属氧化物半导体）晶体管（300,330）和第二PMOS晶体管（310,320）。 动态偏置电流饥饿型逆变器级联 - 互连第一NMOS（N沟道金属氧化物半导体）晶体管（210,230）和第二NMOS晶体管（200,220）。 第一自举电容器（100,120）安装在第一PMOS晶体管的栅极和第二PMOS晶体管的栅极之间。 第二自举电容器（110,130）安装在第二NMOS晶体管的栅极和第一NMOS晶体管之间。
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公开(公告)号：KR1020110073171A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020100027745
申请日：2010-03-29
Applicant: 한국전자통신연구원 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H03F3/082 , H03F1/223 , H03F2200/36 , H04B10/693
Abstract: PURPOSE: A trans-impedance amplifying circuit is provided to improve the integrity of the trans-impedance amplifying circuit by reducing the size of electrostatic capacity. CONSTITUTION: A photo diode(310) converts an optical signal into an electric signal. A cascode type input terminal(320) is in connection with the photo diode. A first transistor(M1) forms a current path between the amplifying terminal and the output terminal of the photo diode according to the voltage level of a first node. A second transistor(M2) forms a current path between a second node and the ground according to the output voltage level of the photo diode. An amplifying terminal(330) amplifies the output of the input terminal.
Abstract translation: 目的：提供一种跨阻抗放大电路，通过减小静电电容的尺寸来提高跨阻抗放大电路的完整性。 构成：光电二极管（310）将光信号转换为电信号。 共源共栅型输入端子（320）与光电二极管连接。 第一晶体管（M1）根据第一节点的电压电平在光电二极管的放大端与输出端之间形成电流路径。 第二晶体管（M2）根据光电二极管的输出电压电平在第二节点和地之间形成电流路径。 放大端子（330）放大输入端子的输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102042858B1
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：KR1020140162850
申请日：2014-11-20
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: G11C11/4076 , G11C11/4063 , G11C7/22 , G11C11/4074 , G11C8/18 , G11C5/14
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公开(公告)号：KR102038828B1
公开(公告)日：2019-10-31
申请号：KR1020150050625
申请日：2015-04-10
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 서울대학교산학협력단
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公开(公告)号：KR101985977B1
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：KR1020120130239
申请日：2012-11-16
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H04L27/01
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公开(公告)号：KR101875835B1
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：KR1020160079540
申请日：2016-06-24
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은크로스바저항메모리와그 읽기방법에있어서, 저장된데이터를읽기위하여선택된셀의비트라인에서감지하는전류('주감지전류'; I)에포함된스닉전류의영향을상쇄시킨후 상기선택된셀에저장된데이터를결정하는과정을포함하되, 상기상쇄는, 상기선택된셀의비트라인과교차하는워드라인의어레이중 상기선택된셀의워드라인과는다른워드라인에서감지한전류('보상감지전류'; I)를이용하여수행되는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR20180001025A
公开(公告)日：2018-01-04
申请号：KR20160079540
申请日：2016-06-24
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , H01L45/1253
Abstract: 본발명은크로스바저항메모리와그 읽기방법에있어서, 저장된데이터를읽기위하여선택된셀의비트라인에서감지하는전류('주감지전류'; I)에포함된스닉전류의영향을상쇄시킨후 상기선택된셀에저장된데이터를결정하는과정을포함하되, 상기상쇄는, 상기선택된셀의비트라인과교차하는워드라인의어레이중 상기선택된셀의워드라인과는다른워드라인에서감지한전류('보상감지전류'; I)를이용하여수행되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种交叉线电阻存储器和一种读取交叉线电阻存储器的方法以及一种读取交叉线电阻存储器的方法， 其中，所述偏移量是基于在与所选单元的位线交叉的字线阵列当中的与所选单元的字线不同的字线中感测到的电流来确定的， ; I）。
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