电子发射装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN100337300C

    公开(公告)日:2007-09-12

    申请号:CN200410077062.9

    申请日:2004-09-10

    Inventor: 丁奎元 黄成渊

    Abstract: 一种电子发射装置,包括彼此相对设置并在它们之间有一预定间隙的一第一衬底和一第二衬底。一第一电极,形成在第一衬底上。一第二电极,形成在第一衬底上并与第一电极相交叉。每一第二电极包括一辅助电极和一形成的厚度小于该辅助电极厚度的主电极。一绝缘层,其插入在该至少第一电极和至少第二电极之间。至少一个阳极形成在该第二衬底上;以及形成在该至少一个阳极的一个表面上的荧光层。

    电子发射装置和防止静电电荷积聚的方法

    公开(公告)号:CN1722352A

    公开(公告)日:2006-01-18

    申请号:CN200510075958.8

    申请日:2005-05-27

    Inventor: 黄成渊

    CPC classification number: H01J29/481 H01J1/30 H01J3/021 H01J31/127

    Abstract: 本发明公开一种具有导电层的电子发射装置,该导电层用于防止在该装置的绝缘层上积聚静电荷,该装置不需独立的驱动电路。该装置包括阴极电极,该阴极电极形成于基板上且通过形成于阴极电极上的绝缘层与栅极电极分开。阴极和栅极电极的交点形成显示区域,而在易受静电荷积聚影响的绝缘层的非显示区形成导电层,平行于阴极或栅极电极,一般通过绝缘层与这些电极分开。在装置的真空室外,导电层电连接于它们对应的电极。由此形成和连接的导电层将装置内部绝缘层上的静电荷释放至外部电路。

    具有虚拟电极的电子发射器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1329942C

    公开(公告)日:2007-08-01

    申请号:CN200410010490.X

    申请日:2004-12-27

    Inventor: 黄成渊

    CPC classification number: H01J3/02 H01J29/94 H01J31/127

    Abstract: 本发明公开了具有虚拟电极的电子发射器件及其制造方法。除用于发射电子的电极之外,该电子发射器件还具有各种功能性电极。电子发射器件包括互相面对的第一和第二衬底;在有效电子发射区内的第一衬底上设置的阴极电极,其接收扫描和数据信号中的一个;通过绝缘层与阴极电极绝缘的栅极电极,其接收所述扫描和数据信号中的另一个。电子发射区与阴极电极电连接。至少一个虚拟电极设置在该有效电子发射区外部,其接收所述扫描和数据信号中的一个。至少一个阳极电极形成在第二衬底上。荧光层形成在阳极电极的任一表面上。

    电子发射装置
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1828812A

    公开(公告)日:2006-09-06

    申请号:CN200610054966.9

    申请日:2006-02-27

    Inventor: 黄成渊

    CPC classification number: H01J1/66 H01J3/021 H01J29/24 H01J29/481 H01J63/04

    Abstract: 一种电子发射装置,包括:其间具有预定距离的相互面对的第一和第二基板;和形成在所述第一基板上的电子发射区。第一和第二电极放置在第一基板上并相互绝缘以控制所述电子发射区的电子发射。绝缘层设置在所述第一与第二电极之间。阳极电极形成在所述第二基板上。磷光体层形成在所述阳极电极的表面上。所述绝缘层具有包括电物理性质彼此不相同的至少两层的多层结构。

    电子发射装置
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1744255A

    公开(公告)日:2006-03-08

    申请号:CN200510096593.7

    申请日:2005-08-25

    Inventor: 黄成渊

    CPC classification number: H01J3/022

    Abstract: 本发明公开了一种电子发射装置。该电子发射装置包括:第一基板;和第一和第二电极,形成于第一基板上且通过插入在它们之间的第一绝缘层来彼此绝缘。电子发射区电耦合到第一电极。聚焦电极形成于第一和第二电极上,且第二绝缘层插入聚焦电极与第一和第二电极之间。第二绝缘层具有暴露电子发射区的开口。第一和第二绝缘层每个具有1μm或更大的厚度,且第一绝缘层具有比第二绝缘层的软化温度高30℃或更大的软化温度。

    具有虚拟电极的电子发射器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1638006A

    公开(公告)日:2005-07-13

    申请号:CN200410010490.X

    申请日:2004-12-27

    Inventor: 黄成渊

    CPC classification number: H01J3/02 H01J29/94 H01J31/127

    Abstract: 本发明公开了具有虚拟电极的电子发射器件及其制造方法。除用于发射电子的电极之外,该电子发射器件还具有各种功能性电极。电子发射器件包括互相面对的第一和第二衬底,以及在插入绝缘层的同时在有效电子发射区内的第一衬底上设置的阴极电极和栅极电极。电子发射区与阴极电极电连接。至少一个虚拟电极设置在该有效电子发射区外部。至少一个阳极电极形成在第二衬底上。荧光层形成在阳极电极的任一表面上。

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