-
公开(公告)号：CN109698134A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811224425.5
申请日：2018-10-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大月高实
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制半导体元件的倾斜的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有阻挡层(4)，该阻挡层(4)设置为在金属图案(1)之上具有开口部，阻挡层(4)具有向开口部内凸出的凸起部，该半导体装置还具有：半导体元件(5)，其外形尺寸小于开口部的除了凸起部以外的外形尺寸；以及焊料(3)，其设置在开口部内，将金属图案(1)和半导体元件(5)接合，阻挡层(4)具有多个凸起部，该多个凸起部在俯视观察时与半导体元件(5)重叠，且对半导体元件(5)的厚度方向进行限制。
-
公开(公告)号：CN109698134B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201811224425.5
申请日：2018-10-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大月高实
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制半导体元件的倾斜的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有阻挡层(4)，该阻挡层(4)设置为在金属图案(1)之上具有开口部，阻挡层(4)具有向开口部内凸出的凸起部，该半导体装置还具有：半导体元件(5)，其外形尺寸小于开口部的除了凸起部以外的外形尺寸；以及焊料(3)，其设置在开口部内，将金属图案(1)和半导体元件(5)接合，阻挡层(4)具有多个凸起部，该多个凸起部在俯视观察时与半导体元件(5)重叠，且对半导体元件(5)的厚度方向进行限制。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104703406B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201410747912.5
申请日：2014-12-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H05K3/38
CPC classification number: H05K1/183 , H01L23/13 , H01L23/15 , H01L23/3735 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L2224/32225 , H01L2924/19105 , H05K1/11 , H05K1/111 , H05K1/186 , H05K1/188 , H05K3/3442 , H05K2201/09072 , H05K2201/09745 , H05K2201/10 , H05K2201/10174 , H05K2201/1059 , H05K2201/10636 , H05K2201/10651 , H05K2201/10674 , H05K2201/10689 , Y02P70/611 , Y02P70/613
Abstract: 目的在于提供一种能够抑制MELF型电子部件的位置偏移，并且降低施加至MELF型电子部件的热应力的技术。电子部件安装装置(1)具有：绝缘基板(13)，其形成有金属图案(13b)；以及MELF型电子部件(14)。MELF型电子部件(14)与第1容纳部(13c)嵌合，该第1容纳部(13c)由金属图案(13b)和从金属图案(13b)的缺损部露出的绝缘基板(13)构成。电子部件安装装置(1)还具有导电性部件(15)，其形成于MELF型电子部件(14)和金属图案(13b)之间，在MELF型电子部件(14)和绝缘基板(13)之间不形成导电性部件(15)。
-
公开(公告)号：CN104600051B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201410520494.6
申请日：2014-09-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/544 , H01L23/049 , H01L23/12 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/49838 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48847 , H01L2224/49052 , H01L2224/49109 , H01L2224/49111 , H01L2224/4912 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/85447 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/3701 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012
Abstract: 功率模块具有：基座板(3)，其在表面(3a)设置有定位用导线接合部(20a～20d)；绝缘基板(8)，其在与基座板(3)相对的背面(8b)侧，设置有对定位用导线接合部(20)进行收容的孔部(21a～21d)，孔部(21a～21d)对定位用导线接合部(20)进行收容，从而该绝缘基板(8)在相对于基座板(3)被定位的状态下，固定在基座板(3)上；以及半导体芯片，其在绝缘基板(8)中配置在与背面(8b)相反的表面侧。
-
公开(公告)号：CN104600051A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410520494.6
申请日：2014-09-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/544 , H01L23/049 , H01L23/12 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/49838 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48847 , H01L2224/49052 , H01L2224/49109 , H01L2224/49111 , H01L2224/4912 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/85447 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/3701 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012
Abstract: 功率模块具有：基座板(3)，其在表面(3a)设置有定位用导线接合部(20a～20d)；绝缘基板(8)，其在与基座板(3)相对的背面(8b)侧，设置有对定位用导线接合部(20)进行收容的孔部(21a～21d)，孔部(21a～21d)对定位用导线接合部(20)进行收容，从而该绝缘基板(8)在相对于基座板(3)被定位的状态下，固定在基座板(3)上；以及半导体芯片，其在绝缘基板(8)中配置在与背面(8b)相反的表面侧。
-
公开(公告)号：CN101866946B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010150094.2
申请日：2010-03-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/404 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/7395
Abstract: 半导体装置(20)包括：在主表面(1a)具有元件形成区域(14)的半导体衬底(1)；保护环(2b)、(2c)、(2d)、(2e)；保护环电极(7b)、(7c)、(7d)、(7e)；沟道截断区域(3)；沟道截断电极(7f)；以及在半导体衬底(1)上以绝缘状态配置的场电极(9a)、(9b)、(10)，场电极(9a)、(9b)、(10)包含位于半导体衬底(1)的主表面(1a)与保护环电极(7e)之间的第一部分(9a)和位于半导体衬底(1)的主表面(1a)与沟道截断电极(7f)之间的第二部分(9b)，在俯视图中，第一部分(9a)具有与保护环电极(7e)重叠的部分(91)，且在俯视图中，第二部分(9b)具有与沟道截断电极(7f)重叠的部分(92)。从而能够得到可以谋求耐压稳定化的半导体装置(20)。
-
公开(公告)号：CN101866946A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010150094.2
申请日：2010-03-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/404 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/7395
Abstract: 半导体装置(20)包括：在主表面(1a)具有元件形成区域(14)的半导体衬底(1)；保护环(2b)、(2c)、(2d)、(2e)；保护环电极(7b)、(7c)、(7d)、(7e)；沟道截断区域(3)；沟道截断电极(7f)；以及在半导体衬底(1)上以绝缘状态配置的场电极(9a)、(9b)、(10)，场电极(9a)、(9b)、(10)包含位于半导体衬底(1)的主表面(1a)与保护环电极(7e)之间的第一部分(9a)和位于半导体衬底(1)的主表面(1a)与沟道截断电极(7f)之间的第二部分(9b)，在俯视图中，第一部分(9a)具有与保护环电极(7e)重叠的部分(91)，且在俯视图中，第二部分(9b)具有与沟道截断电极(7f)重叠的部分(92)。从而能够得到可以谋求耐压稳定化的半导体装置(20)。
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.036 seconds)
