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公开(公告)号：CN103160784A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210358607.8
申请日：2012-09-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/08
Abstract: 本发明提供一种用于通过真空蒸镀法以高成膜率且低喷溅成膜氧化物薄膜的颗粒状蒸镀材及蒸镀膜的成膜方法以及利用该蒸镀材成膜的蒸镀膜。本发明的颗粒状蒸镀材，其特征在于，该颗粒状蒸镀材由对纯度为98%以上且小于100%的WO3-x原料粉末（其中，0≤x≤1。）进行造粒处理而形成的平均粒径为1～10mm的颗粒体构成。并且，本发明的蒸镀膜的成膜方法，其特征在于，该成膜方法利用上述颗粒状蒸镀材，通过电阻加热法、电子束蒸镀法或反应性等离子体蒸镀法来进行成膜。
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公开(公告)号：CN105705674B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201480060592.4
申请日：2014-11-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Cu‑Ga合金溅射靶为具有如下组成的烧结体：29.5～43.0原子％的Ga以及剩余部分为Cu和不可避免的杂质，该烧结体中的Cu‑Ga合金晶粒具有γ相粒子分散于γ1相晶粒中的组织。并且，制造上述溅射靶的方法具有如下工序：将由纯Cu粉末与Cu‑Ga合金粉末的混合粉末构成的成型体在还原性气氛中加热而进行常压烧结；以及将由此得到的烧结体在温度：450～650℃的范围内以0.1～1.0℃/min的冷却速度冷却。
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公开(公告)号：CN102433532B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201110299927.6
申请日：2011-09-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/08 , H01L31/048 , H01L31/049 , H01L51/52 , B32B9/00
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供适合形成透明性和阻气性优异的薄膜的气相沉积材和具备该薄膜的薄膜片材以及层压片材。本发明的气相沉积材为混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作的气相沉积材，其特征在于，上述第一氧化物粉末为MgO粉末，第一氧化物粉末的第一氧化物纯度为98％以上，上述第二氧化物粉末为CaO和ZnO的混合粉末，第二氧化物粉末的第二氧化物纯度为98％以上，气相沉积材由含有第一氧化物粉末和第二氧化物粉末的颗粒构成，气相沉积材中的第一氧化物与第二氧化物的摩尔比为5～90∶95～10，且颗粒的碱度为0.1以上。
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公开(公告)号：CN105705674A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480060592.4
申请日：2014-11-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Cu-Ga合金溅射靶为具有如下组成的烧结体：29.5～43.0原子％的Ga以及剩余部分为Cu和不可避免的杂质，该烧结体中的Cu-Ga合金晶粒具有γ相粒子分散于γ1相晶粒中的组织。并且，制造上述溅射靶的方法具有如下工序：将由纯Cu粉末与Cu-Ga合金粉末的混合粉末构成的成型体在还原性气氛中加热而进行常压烧结；以及将由此得到的烧结体在温度：450～650℃的范围内以0.1～1.0℃/min的冷却速度冷却。
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公开(公告)号：CN102628155A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210008345.2
申请日：2012-01-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种透明性及气体遮断性优异的薄膜的制造方法、适合形成该薄膜的共蒸镀用蒸镀材、通过该方法得到的薄膜、具备该薄膜的薄膜片及层叠片。本发明的薄膜的制造方法，其特征在于，使用由第1氧化物构成的升华性蒸镀材和由与该第1氧化物不同种类的第2氧化物构成的升华性蒸镀材，利用通过真空成膜法同时蒸镀的共蒸镀法，在基材上形成由第1氧化物和第2氧化物构成的氧化物薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102433531A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110285639.5
申请日：2011-09-23
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供适合形成透明性和阻气性优异的薄膜的气相沉积材和具备该薄膜的薄膜片材以及层压片材。本发明的气相沉积材为混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作的气相沉积材，其特征在于，上述第一氧化物粉末为MgO粉末，第一氧化物粉末的第一氧化物纯度为98％以上，上述第二氧化物粉末为CaO粉末，第二氧化物粉末的第二氧化物纯度为98％以上，气相沉积材由含有第一氧化物粉末和第二氧化物粉末的颗粒构成，气相沉积材中的第一氧化物与第二氧化物的摩尔比为5～99∶95～1，且颗粒的碱度为0.1以上。
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公开(公告)号：CN102628155B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201210008345.2
申请日：2012-01-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种透明性及气体遮断性优异的薄膜的制造方法、适合形成该薄膜的共蒸镀用蒸镀材、通过该方法得到的薄膜、具备该薄膜的薄膜片及层叠片。本发明的薄膜的制造方法，其特征在于，使用由第1氧化物构成的升华性蒸镀材和由与该第1氧化物不同种类的第2氧化物构成的升华性蒸镀材，利用通过真空成膜法同时蒸镀的共蒸镀法，在基材上形成由第1氧化物和第2氧化物构成的氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN105473758A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201380078980.0
申请日：2013-10-07
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F1/0003 , B22F3/1007 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2999/00 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C23C14/14 , H01J37/3429
Abstract: 本发明提供一种能够进一步降低氧含量，并且能够抑制异常放电的Cu-Ga烧结体的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有含有20at％以上且小于30at％的Ga且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的成分组成，并且由通过X射线衍射观察到CuGa的归属于γ相的衍射峰和归属于ζ相的衍射峰的烧结体构成，归属于所述ζ相的衍射峰的主峰强度为归属于所述γ相的衍射峰的主峰强度的10％以上，氧含量为100ppm以下，平均粒径为100μm以下。
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公开(公告)号：CN102628158A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210008509.1
申请日：2012-01-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种透明性及气体遮断性优异的薄膜的制造方法、适合形成该薄膜的共蒸镀用蒸镀材、通过该方法得到的薄膜、具备该薄膜的薄膜片及层叠片。本发明的薄膜的制造方法，其特征在于，使用由第1氧化物构成的升华性蒸镀材和由第2氧化物构成的熔融性蒸镀材，利用通过真空成膜法同时蒸镀的共蒸镀法，在基材上形成由第1氧化物和第2氧化物构成的氧化物薄膜。
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