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公开(公告)号：CN101796214B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200880105516.5
申请日：2008-09-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/12 , C04B35/44 , C04B35/486 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C23C14/086 , G11B7/24 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715
Abstract: 该ZrO2-In2O3系光记录介质保护膜形成用溅射靶，具有当A为Si、Cr、Al、Ce、Ti、Sn中的1种或2种以上时，由ZraInbAcO100-a-b-c(其中，5原子％＜a＜23原子％、12原子％＜b＜35原子％、0＜c＜30原子％)构成的成分组成，所述光记录介质保护膜形成用溅射靶中所含Zr的90％以上成为Zr与In的复合氧化物相，分散在靶基底中。
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公开(公告)号：CN108138311B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201680061310.1
申请日：2016-10-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 太阳能先锋株式会社
Abstract: 本发明的溅射靶具有In的含量为45原子％以上90原子％以下、剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的组成，存在In单质相和Cu11In9化合物相，所述In单质相及所述Cu11In9化合物相的XRD峰值比I(In)/I(Cu11In9)在0.01以上3以下的范围内，所述Cu11In9化合物相的平均粒径在150μm以下，氧含量为500质量ppm以下，理论密度比为85％以上。
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公开(公告)号：CN107709584B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201680038273.2
申请日：2016-07-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Ag合金膜在0.1原子％以上且5.0原子％以下的范围内含有Ti，在合计0.1原子％以上且与Ti的总计成为10.0原子％以下的范围内含有选自Cu、Sn、Mg、In、Sb、Al、Zn、Ge、Ga中的至少一种元素，剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成，且Na、Si、V、Cr、Fe、Co的合计含量为100质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN108603284A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780010079.8
申请日：2017-03-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种溅射靶，其特征在于，具有金属铜相和氧化铜相，将氧化铜相的体积率设在超过80体积％且90体积％以下的范围内，将靶溅射面中的比电阻值相对于平均值的偏差设为50％以下，将靶组织中的所述金属铜相的粒径设在10μm以上且200μm以下的范围内。并且，优选具有p型半导体的性质。
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公开(公告)号：CN103270191B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201280004316.7
申请日：2012-02-03
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/16 , C04B35/453 , H01L31/0216
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/645 , C04B2235/3217 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/604 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L31/02168 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种能够对折射率低于AZO膜的ZnO‑SiO2‑Al2O3膜进行DC溅射的用于形成太阳能电池用透明膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶由氧化物烧结体构成，所述氧化物烧结体具有如下成分组成，即相对于总金属成分量含有Al：0.3～4.0wt%、Si：6.0～14.5wt%，剩余部分由Zn及不可避免的杂质组成，该烧结体的组织中存在复合氧化物Zn2SiO4与ZnO。该溅射靶的制造方法具有如下工序：将Al2O3粉末、SiO2粉末及ZnO粉末混合成Al2O3：0.5～5.0wt%、SiO2：10～22wt%、剩余部分：由ZnO及不可避免的杂质组成，以此来作为混合粉末；及将所述混合粉末在真空中以热压进行烧结。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105593398A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480054518.1
申请日：2014-12-04
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: 本发明的In或In合金溅射靶为在由Cu或Cu合金制的垫板或衬管构成的靶支承基体上，通过由In与Cu的合金构成的结合层接合有成为靶主体的In或In合金层的In或In合金溅射靶，所述结合层具有5～100μm的厚度。
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公开(公告)号：CN104540976A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380041837.4
申请日：2013-08-09
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/16 , C04B35/453 , G11B7/26
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B35/645 , C04B2235/3217 , C04B2235/3286 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/763 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , G11B7/254 , G11B7/266 , G11B2007/25411 , G11B2007/25414 , G11B2007/25417 , C23C14/3407 , C04B35/16 , G11B7/26
Abstract: 本发明提供一种能够以直流溅射形成透明氧化物膜且不会产生异常放电的氧化锌系透明氧化物膜形成用溅射靶。该透明氧化物膜形成用溅射靶的特征在于，其为如下组成的烧成体，即相对于总金属成分量，含有0.6～8.0at％的Al及Ga中的任意一种或者两种，0.1at％以上的Si，且Al、Ga和Si共计含有33.0at％以下，残余部分由Zn及不可避免杂质构成，在所述烧成体中，存在具有5μm以下的粒径的Zn和Si的复合氧化物。
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公开(公告)号：CN104520468A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201380042153.6
申请日：2013-08-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L31/032
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/1007 , B22F2999/00 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22C30/02 , C22C32/0089 , C23C14/14 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , C23C14/34 , H01L31/032 , B22F2201/01 , B22F2201/20 , B22F2201/11
Abstract: 本发明所涉及的溅射靶具有如下成分组成：作为溅射靶的除F、S、Se以外的金属成分，含有Ga：10～40at％、Na：1.0～15at％，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成，以由氟化钠、硫化钠及硒化钠中的至少一种构成的Na化合物的状态含有Na，理论密度比为90％以上，抗折强度为100N/mm2以上，体积电阻率为1mΩ·cm以下，在溅射靶表面的1cm2面积内，0.05mm2以上的氟化钠、硫化钠及硒化钠中的至少一种的凝集体平均为一个以下。
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公开(公告)号：CN102395702B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201080017285.X
申请日：2010-11-04
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C1/0425 , C22C9/00 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种能通过溅射法形成良好地添加有Na的Cu-Ga膜的溅射靶及其制造方法。该溅射靶中，作为溅射靶的除氟(F)以外的金属成分，含有Ga：20～40at％、Na：0.05～1at％，余部具有由Cu和不可避免的杂质构成的成分组成，且Na以NaF化合物的状态被含有。该溅射靶的制造方法包括下述工序：形成由NaF粉末和Cu-Ga粉末的混合粉末，或者NaF粉末、Cu-Ga粉末和Cu粉末的混合粉末构成的成型体，然后在真空、惰性气体或还原气氛中烧结。
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公开(公告)号：CN108138311A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680061310.1
申请日：2016-10-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 太阳能先锋株式会社
Abstract: 本发明的溅射靶具有In的含量为45原子％以上90原子％以下、剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的组成，存在In单质相和Cu11In9化合物相，所述In单质相及所述Cu11In9化合物相的XRD峰值比I(In)/I(Cu11In9)在0.01以上3以下的范围内，所述Cu11In9化合物相的平均粒径在150μm以下，氧含量为500质量ppm以下，理论密度比为85％以上。
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