溅射靶
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108603284A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201780010079.8

    申请日:2017-03-21

    Abstract: 一种溅射靶,其特征在于,具有金属铜相和氧化铜相,将氧化铜相的体积率设在超过80体积%且90体积%以下的范围内,将靶溅射面中的比电阻值相对于平均值的偏差设为50%以下,将靶组织中的所述金属铜相的粒径设在10μm以上且200μm以下的范围内。并且,优选具有p型半导体的性质。

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