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公开(公告)号：CN106574360A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580039989.X
申请日：2015-08-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 太阳能先锋株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , B22F2998/10 , C22C1/04 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22F1/08 , C23C14/3414 , B22F9/082 , B22F2009/041 , B22F2009/043 , B22F3/1039 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F2003/247
Abstract: 本发明提供一种Cu‑Ga溅射靶，其具有作为除去氟的金属成分含有5原子％以上且60原子％以下的Ga及0.01原子％以上且5原子％以下的K、且余量由Cu及不可避免的杂质构成的组成，在由波长分离型X射线检测器获得的原子映射图像中存在含有Cu、Ga、K及F的Cu‑Ga‑K‑F区域。
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公开(公告)号：CN111788332B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980015784.6
申请日：2019-02-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种Cu‑Ni合金溅射靶，其包含Ni，且剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成，所述Cu‑Ni合金溅射靶的特征在于，在由Cu和Ni的固溶体组成的母相的晶界中存在Ni氧化物相，这些Ni氧化物相的面积率被设在0.1％以上且5.0％以下的范围内。
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公开(公告)号：CN108603283A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780009799.2
申请日：2017-02-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的溅射靶的特征在于，具有如下组成：作为金属成分含有5原子％以上且60原子％以下的Ga及0.01原子％以上且5原子％以下的碱金属，并且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，溅射面侧的表面的碱金属浓度小于靶内部的碱金属浓度的80％。
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公开(公告)号：CN113423859A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080013496.X
申请日：2020-03-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/453 , H01L21/285
Abstract: 本发明的特征在于，通过溅射面及与所述溅射面正交的截面的X射线衍射分析，确认到W18O49的峰，并且所述溅射面的W18O49的(103)面的衍射强度IS(103)与(010)面的衍射强度IS(010)之比IS(103)/IS(010)为0.57以上，所述截面的W18O49的(103)面的衍射强度IC(103)与(010)面的衍射强度IC(010)之比IC(103)/IC(010)为0.38以下，与溅射面平行的面的所述W18O49相的面积率为37％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113508188A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202080018073.7
申请日：2020-03-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/495 , C04B35/645 , H01L21/285
Abstract: 本发明提供一种氧化钨溅射靶，其特征在于，通过溅射面及与所述溅射面正交的截面的X射线衍射分析，确认到W18O49的峰，并且所述溅射面的W18O49的(103)面的衍射强度IS(103)与(010)面的衍射强度IS(010)之比IS(103)/IS(010)为0.38以下，所述截面的W18O49的(103)面的衍射强度IC(103)与(010)面的衍射强度IC(010)之比IC(103)/IC(010)为0.55以上，与溅射面平行的面的所述W18O49相的面积率为37％以上。
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公开(公告)号：CN111788332A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201980015784.6
申请日：2019-02-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种Cu‑Ni合金溅射靶，其包含Ni，且剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成，所述Cu‑Ni合金溅射靶的特征在于，在由Cu和Ni的固溶体组成的母相的晶界中存在Ni氧化物相，这些Ni氧化物相的面积率被设在0.1％以上且5.0％以下的范围内。
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公开(公告)号：CN108603284A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780010079.8
申请日：2017-03-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种溅射靶，其特征在于，具有金属铜相和氧化铜相，将氧化铜相的体积率设在超过80体积％且90体积％以下的范围内，将靶溅射面中的比电阻值相对于平均值的偏差设为50％以下，将靶组织中的所述金属铜相的粒径设在10μm以上且200μm以下的范围内。并且，优选具有p型半导体的性质。
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公开(公告)号：CN111936660A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201980022696.9
申请日：2019-04-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种Cu‑Ni合金溅射靶，其包含Ni，且其余部分由Cu和不可避免的杂质组成，其中，当将在相邻的晶粒之间的取向差在5°以上且180°以下的范围内的晶粒之间所形成的晶界的长度设为总晶界长度L，并将使面心立方晶格的(111)面及(110)面作为旋转轴旋转的情况下分别确认到3个晶格点的取向差的晶界的长度设为孪晶晶界长度LT时，由LT/L×100定义的孪晶比率在35％以上且65％以下的范围内。
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公开(公告)号：CN108603283B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201780009799.2
申请日：2017-02-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的溅射靶的特征在于，具有如下组成：作为金属成分含有5原子％以上且60原子％以下的Ga及0.01原子％以上且5原子％以下的碱金属，并且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，溅射面侧的表面的碱金属浓度小于靶内部的碱金属浓度的80％。
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