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公开(公告)号：CN104903478A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380067853.0
申请日：2013-12-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
CPC classification number: H01B1/026 , B32B15/01 , B32B15/04 , B32B15/043 , B32B15/20 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , C22F1/08 , C23C2/08 , C23C30/00 , C23C30/005 , H01B5/02 , Y10T428/12 , Y10T428/12431 , Y10T428/12438 , Y10T428/12715 , Y10T428/12882 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/12917 , Y10T428/12924
Abstract: 本发明涉及一种电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金薄板、电子电气设备用导电元件及端子，本发明的电子电气设备用铜合金含有超过2.0质量％且15.0质量％以下的Zn、0.10质量％以上且0.90质量％以下的Sn、0.05质量％以上且小于1.00质量％的Ni、0.001质量％以上且小于0.100质量％的Fe、0.005质量％以上且0.100质量％以下的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，以原子比计，满足0.002≤Fe/Ni＜1.500、3.0＜(Ni+Fe)/P＜100.0、0.10＜Sn/(Ni+Fe)＜5.00，且由沿平行于轧制方向的方向进行拉伸试验时的强度TS与0.2％屈服强度YS所算出的屈服比YS/TS超过90％。
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公开(公告)号：CN115735014B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202180046181.X
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/00
Abstract: 该铜合金塑性加工材具有Mg超过10质量ppm且100质量ppm以下、剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，在所述不可避免的杂质中，S的含量为10质量ppm以下，P的含量为10质量ppm以下，Se的含量为5质量ppm以下，Te的含量为5质量ppm以下，Sb的含量为5质量ppm以下，Bi的含量为5质量ppm以下，As的含量为5质量ppm以下，并且S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕在0.6以上且50以下的范围内，导电率为97％IACS以上，抗拉强度为275MPa以下，进行减面率为25％的拉拔加工后的耐热温度为150℃以上。
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公开(公告)号：CN115210394B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202180018747.8
申请日：2021-03-08
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的纯铜板具有以下组成：Cu的含量为99.96质量％以上，P的含量为0.01质量ppm以上且3.00质量ppm以下，Ag及Fe的合计含量为3.0质量ppm以上，剩余部分为不可避免杂质，轧制面中的晶粒的平均晶粒直径为10μm以上，通过EBSD2法，以测定间隔5μm步长测定1mm以上的测定面积，排除通过数据分析软件OIM分析的CI值为0.1以下的测定点，在将相邻的像素间的取向差为5°以上的边界视为晶界时的KAM(Kernel Average Misorientation：平均取向差)值为1.50以下。
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公开(公告)号：CN115735018A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202180045132.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22F1/00
Abstract: 该铜合金的一方式包含超过10质量ppm且小于100质量ppm的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，残余应力率在150℃、1000小时的条件下为20％以上。
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公开(公告)号：CN114269957A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080059341.X
申请日：2020-09-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该纯铜板的Cu的含量为99.96质量％以上，在将轧制面中的晶粒的平均结晶粒径设为Xμm，将Ag的含量设为Y质量ppm时，1×10‑8≤X‑3Y‑1≤1×10‑5成立，在将构成晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例设为NFJ3，将构成晶界三重点的两个晶界为特殊晶界且一个晶界为随机晶界的J2与所有晶界三重点的比例设为NFJ2时，0.30＜(NFJ2/(1‑NFJ3))0.5≤0.48成立。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111788320B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201980015759.8
申请日：2019-03-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该电子电气设备用铜合金以质量％计包含Mg：0.15％以上且小于0.35％及P：0.0005％以上且小于0.01％，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，Mg的含量〔Mg〕与P的含量〔P〕以质量比计满足〔Mg〕+20×〔P〕＜0.5的关系，不可避免的杂质中，H量为10质量ppm以下，O量为100质量ppm以下，S量为50质量ppm以下，C量为10质量ppm以下，晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例NFJ3及晶界三重点的两个晶界为特殊晶界且一个晶界为随机晶界的J2与所有晶界三重点的比例NFJ2满足0.20＜(NFJ2/(1‑NFJ3))0.5≤0.45。
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公开(公告)号：CN105283567B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201480032947.9
申请日：2014-02-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
Abstract: 本发明的电子电气设备用铜合金的一方式含有大于2.0质量％且36.5质量％以下的Zn、0.10质量％以上且0.90质量％以下的Sn、0.15质量％以上且小于1.00质量％的Ni、0.005质量％以上且0.100质量％以下的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，元素含量的原子比满足3.0＜Ni/P＜100.0及0.10＜Sn/Ni＜2.90，并且含有Cu、Zn及Sn的α相的表面的维氏硬度为100以上。
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公开(公告)号：CN103733329B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201280037162.1
申请日：2012-08-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H05K3/103 , B23K35/0222 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/262 , B23K35/3006 , C04B35/645 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B37/026 , C04B2237/064 , C04B2237/121 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/127 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/54 , C04B2237/60 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , C22C9/00 , C22C13/00 , C22C21/00 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/83455 , H01L2924/01322 , H05K1/0204 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/0061 , H05K3/38 , Y10T29/49155 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的功率模块用基板(10)具备绝缘基板(11)、和在该绝缘基板(11)的一面形成的电路层(12)，其中，所述电路层(12)通过在所述绝缘基板(11)的一面接合有第一铜板(22)而构成，所述第一铜板(22)在被接合之前至少含有共计1molppm以上且100molppm以下的碱土类元素、过渡金属元素、稀土类元素中的一种以上或100molppm以上且1000molppm以下的硼中的任一方，残余部分由铜及不可避免杂质组成。
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公开(公告)号：CN104870672A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380067756.1
申请日：2013-06-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
Abstract: 本发明所涉及的电子电气设备用铜合金含有超过2质量％且小于23质量％的Zn、0.1质量％以上且0.9质量％以下的Sn、0.05质量％以上且小于1.0质量％的Ni、0.001质量％以上且小于0.10质量％的Fe、0.005质量％以上且0.1质量％以下的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，且以原子比计，满足0.002≤Fe/Ni＜1.5、3＜(Ni+Fe)/P＜15、0.3＜Sn/(Ni+Fe)＜5，且一表面中的来自{220}面的X射线衍射强度的比例R{220}为0.8以下。
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公开(公告)号：CN104411845A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201280074411.4
申请日：2012-07-31
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱电线工业株式会社
Abstract: 本发明的铜合金线由含有Co、P及Sn的析出强化型铜合金构成，通过观察刚刚实施中间时效热处理之后的剖面组织所观察到的析出物的平均粒径为15nm以下，且粒径为5nm以下的析出物的个数为所观察到的所有析出物的10％以上，在该中间时效热处理之后，进行冷加工及最终时效热处理。
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