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公开(公告)号:CN103608910B
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201280028930.7
申请日:2012-07-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/745 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01038 , H01L2924/01056 , H01L2924/01088 , H01L2924/0104 , H01L2924/01022 , H01L2924/01105 , H01L2924/2076 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/00015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01082 , H01L2924/01016 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/01006 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033
Abstract: 本发明的接合线用铜线材为用于形成线径为180μm以下的接合线的铜线材。铜线材的线材直径为0.15mm以上3.0mm以下。铜线材具有如下组成,即以总计在0.0001质量%以上0.01质量%以下的范围内含有选自Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Zr、Ti及稀土元素中的一种以上的添加元素,且余量为铜及不可避免杂质。铜线材中,特殊晶界比率(Lσ/L)为50%以上,所述特殊晶界比率为以EBSD法测定的特殊晶界的长度Lσ相对于全部晶界的长度L的比率。
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公开(公告)号:CN113272464A
公开(公告)日:2021-08-17
申请号:CN202080008245.2
申请日:2020-01-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的铜合金材料的特征在于,具有如下组成:含有0.15质量%以上且0.50质量%以下的范围内的Mg和0.20质量%以上且0.90质量%以下的范围内的Cr,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,所述铜合金材料的抗拉强度为600MPa以上,伸长率为3%以上。优选所述铜合金材料的导电率为60%IACS以上。
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公开(公告)号:CN105473755A
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201580001520.7
申请日:2015-02-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22F1/08 , C23C14/34 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22F1/00
CPC classification number: C23C14/3414 , B22D11/004 , C21D8/10 , C21D9/0068 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C14/3407 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3491
Abstract: 一种由铜或铜合金构成的圆筒型溅射靶用原材料的制造方法,所述制造方法具备:连续铸造工序,使用连续铸造机或半连续铸造机而铸造平均晶体粒径为20mm以下的圆筒状铸块;及冷加工工序与热处理工序,通过对该圆筒状铸块重复地实施冷加工和热处理而成型所述圆筒型溅射靶用原材料,该圆筒型溅射靶用原材料的外周面上的平均晶体粒径为10μm以上且150μm以下,并且相对于平均晶体粒径为2倍以上的晶粒所占的面积比例小于总晶体面积的25%。
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公开(公告)号:CN105209658A
公开(公告)日:2015-12-30
申请号:CN201580000747.X
申请日:2015-02-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C22C9/00 , H01L21/28 , H01L21/285 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22F1/00 , C22F1/08
CPC classification number: H01J37/3426 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C14/0036 , C23C14/087 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/3414 , H01J37/342 , H01J37/3423 , H01L21/285
Abstract: 一种由铜或铜合金构成的圆筒型溅射靶用原材料,在外周面的晶体组织中,根据通过EBSD法测定的每1mm2单位面积的单位总晶界长度LN和每1mm2单位面积的单位总特殊晶界长度LσN而定义特殊晶界长度比率LσN/LN的情况下,在轴线O方向的两端部的外周面和中央部的外周面测定的所述特殊晶界长度比率LσN/LN的平均值为0.5以上,并且各测定值相对于所述特殊晶界长度比率LσN/LN的平均值在±20%的范围内,另外,作为杂质元素的Si和C的含量总计为10质量ppm以下、O含量为50质量ppm以下。
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公开(公告)号:CN102844472B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201180018264.4
申请日:2011-03-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供可减少残渣等颗粒的产生和起因于残渣的电镀不良的电解铜电镀用高纯度铜阳极、其制造方法、使用该高纯度铜阳极的电解铜电镀方法。通过对电镀用高纯度铜实施加工而施加加工应变后,进行再结晶化热处理,可具有阳极表面的铜晶粒的晶界的单位全部晶界长度LN与特殊晶界的单位全部特殊晶界长度LσN的特殊晶界长度比率LσN/LN为0.35以上的晶界组织,通过抑制在电解铜电镀浴中的阳极侧产生的残渣等颗粒的产生,可减少电镀不良。
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公开(公告)号:CN103608910A
公开(公告)日:2014-02-26
申请号:CN201280028930.7
申请日:2012-07-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C22C9/00 , C22F1/08 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/745 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01038 , H01L2924/01056 , H01L2924/01088 , H01L2924/0104 , H01L2924/01022 , H01L2924/01105 , H01L2924/2076 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/00015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01082 , H01L2924/01016 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033
Abstract: 本发明的接合线用铜线材为用于形成线径为180μm以下的接合线的铜线材。铜线材的线材直径为0.15mm以上3.0mm以下。铜线材具有如下组成,即以总计在0.0001质量%以上0.01质量%以下的范围内含有选自Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Zr、Ti及稀土元素中的一种以上的添加元素,且余量为铜及不可避免杂质。铜线材中,特殊晶界比率(Lσ/L)为50%以上,所述特殊晶界比率为以EBSD法测定的特殊晶界的长度Lσ相对于全部晶界的长度L的比率。
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公开(公告)号:CN102844472A
公开(公告)日:2012-12-26
申请号:CN201180018264.4
申请日:2011-03-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供可减少残渣等颗粒的产生和起因于残渣的电镀不良的电解铜电镀用高纯度铜阳极、其制造方法、使用该高纯度铜阳极的电解铜电镀方法。通过对电镀用高纯度铜实施加工而施加加工应变后,进行再结晶化热处理,可具有阳极表面的铜晶粒的晶界的单位全部晶界长度LN与特殊晶界的单位全部特殊晶界长度LσN的特殊晶界长度比率LσN/LN为0.35以上的晶界组织,通过抑制在电解铜电镀浴中的阳极侧产生的残渣等颗粒的产生,可减少电镀不良。
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公开(公告)号:CN111836913A
公开(公告)日:2020-10-27
申请号:CN201980018145.5
申请日:2019-10-23
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种溅射靶材,含有合计5质量ppm以上且50质量ppm以下的范围的选自Ag、As、Pb、Sb、Bi、Cd、Sn、Ni、Fe中的一种或两种以上,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,当通过电子背散射衍射法进行观察,将不包括双晶而以面积平均计算出的平均晶粒直径设为X1(μm),并将极图的强度的最大值设为X2时,满足式(1):2500>19×X1+290×X2,并且通过电子背散射衍射法测定的晶体取向的局部取向差(KAM)为2.0°以下,相对密度为95%以上。
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公开(公告)号:CN108603285B
公开(公告)日:2019-08-23
申请号:CN201780011284.6
申请日:2017-09-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的圆筒型溅射靶用热挤压原材料中,铜的纯度设在99.99质量%以上且99.9995质量%以下的范围内,Al的含量设为0.5质量ppm以下,Si的含量设为1质量ppm以下,C的含量设为1质量ppm以下,O的含量设为2质量ppm以下,H的含量设为1质量ppm以下,S的含量设为5质量ppm以下,在轴线O方向的一端部、中间部及另一端部的与轴线O方向正交的3个截面上,在周向的4个位置的表层部、从表层部向径向的1/4位置、从表层部向径向的1/2位置这3个位置的共36处测定出的平均晶体粒径设在10μm以上且110μm以下的范围内,且维氏硬度设在40Hv以上且100Hv以下的范围内。
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