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公开(公告)号：CN114582691A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011295090.3
申请日：2020-11-18
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置及其调节方法，该装置包含：真空反应腔，其由反应腔腔体和腔体端盖包围而成；可移动上电极组件，设置在真空反应腔内；下电极组件，与可移动上电极组件相对设置，所述下电极组件与所述反应腔腔体底部可拆卸连接；若干个自对准装置，所述自对准装置包含自对准上结构和自对准下结构，其分别与所述可移动上电极组件和所述下电极组件连接，所述自对准上结构和所述自对准下结构对齐拼合时所述可移动上电极组件和所述下电极组件中心对齐。其优点是：该装置通过自对准上结构和自对准下结构协同配合，实现了可移动上电极组件和下电极组件的同心度调节，所述自对准装置结构简单，操作方便，减轻了工作人员的调试压力。
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公开(公告)号：CN114001858A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202010740454.8
申请日：2020-07-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种电容式薄膜真空计，包括壳体和极板，壳体具有端口，壳体内部的空腔设置一膜片，膜片包括与端口相对的第一表面和与极板相对的第二表面，第一表面具有致密的膜层，膜层含氟元素。本发明通过在真空计中的膜片上增加一层致密膜层，阻挡反应腔内的氟自由基渗透到膜片中，避免膜片发生性能改变，从而避免由于膜片性能改变造成的零点漂移，保证了真空计的测量精度，解决了现有真空计中氟自由基渗透造成的零点漂移的问题。进一步地，提供了一种等离子体反应装置，这种装置压力便于控制和监控，以及膜层的制备方法，制备得到的膜层具有高致密的性质。
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公开(公告)号：CN113410113A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202010187524.1
申请日：2020-03-17
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括处理模块及前端模块，处理模块包括反应腔、设置在反应腔上端口的反应腔窗体、盖设于反应腔窗体上的反应腔盖体，反应腔盖体与反应腔窗体之间形成有内部空间，反应腔的下方设置有基座，基座上方为等离子体处理区域；前端模块包括洁净腔、设置在洁净腔上端口的洁净腔窗体、盖设于洁净腔窗体上的洁净腔盖体，洁净腔盖体与洁净腔窗体之间形成有容设空间，洁净腔的下方设置有承载台，承载台的上方设置有风机过滤单元；进一步包括气体调节器，气体调节器的一端通过气体管道连接于处理模块的内部空间以向其内输送冷气，气体调节器的另一端通过气体管道连接于前端模块的容设空间以向其内输送热气。
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公开(公告)号：CN112786422A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911089041.1
申请日：2019-11-08
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种聚焦环、等离子体处理器及方法，等离子体处理器包含一反应腔，反应腔内设置一静电吸盘，用于支撑基片，所述聚焦环环绕设置在所述静电吸盘的外围，通过热交换以实现温度可调的聚焦环包括位于基片下方的内侧区域和环绕内侧区域的外侧区域，内侧区域上方设置一热传导部件，当基片被静电吸盘吸附时，基片的背面与热传导部件相接触。本发明通过在聚焦环内或聚焦环与插入环之间或插入环内部或其他相应位置开设冷却通道，供冷却液流动用以对聚焦环进行降温，同时还在基片和聚焦环之间设置热传导部件，通过热传导以增强聚焦环和基片之间的导热效率，提高基片边缘的刻蚀率，进而提高基片的刻蚀率均匀性。
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公开(公告)号：CN112768331A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911059867.3
申请日：2019-11-01
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置及其下电极组件、静电卡盘，其中静电卡盘用于在等离子体处理装置的反应腔中支撑待处理基片，其包括穿过该静电卡盘上表面至下表面，用于向所述静电卡盘与待处理基片之间通入冷却气体的若干气孔；所述气孔内填塞有至少一个孔塞；所述孔塞设置有穿过该孔塞上表面至下表面的若干通孔，所述通孔的内径小于所述气孔的内径。本发明通过在静电卡盘气孔内填塞至少一个孔塞，而孔塞上布置有若干通孔，实现了在保证静电卡盘上基片的温度均匀性的情况下，进一步避免了因静电卡盘的气孔内冷却气体解离所造成的气孔内壁被击穿，而在气孔中产生杂质颗粒的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109962031B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201711407642.3
申请日：2017-12-22
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种受保护的静电吸盘及其应用，该静电吸盘包含：静电夹盘，其包含：自下而上依次设置的基层、中间粘合层和陶瓷层；以及环状保护板，其用于密封中间粘合层，包含：环状工程塑料层和环状橡胶层，该环状工程塑料层和环状橡胶层粘结在一起。环状保护板围置并覆盖在中间粘合层的外侧面的裸露部分上。本发明的受保护的静电吸盘的环状保护板，通过对其环状橡胶层和环状塑料层的热膨胀系数的设计，使其不会有受热热膨胀过大从ESC配合处有间隙或脱落的问题，而且能够使静电吸盘耐腐蚀，使用该静电吸盘在真空处理室中进行晶圆刻蚀过程中，能够避免气体对静电吸盘的腐蚀，环状保护板不易脱落或出现缝隙，其使用寿命提高。
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公开(公告)号：CN112447472A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910796561.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体反应装置，包含由壳体、顶板和衬套包围形成的反应腔。在该等离子体反应装置的衬套内壁顶部开设第一环槽，所述第一环槽的侧壁和底面设置在衬套上，第一环槽的顶部由顶板封隔；在第一环槽内设置一个气流通道环，设置在顶板上与气流通道环位置对应的边缘气体注入通道和/或反应气体注入器向反应腔内注入等离子反应气体。通过与气流通道环连接的动力装置驱动该气流通道环上下运动，改变注入反应腔内气体的流动方式，加速注入气体扩散，实现了反应腔内气体的均一性。
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公开(公告)号：CN112420592A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201910784821.1
申请日：2019-08-23
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683 , H01J37/32 , C23C14/50 , C23C16/458 , C23C16/505
Abstract: 本发明公开了一种含可调节升降顶针组件的等离子处理装置及其方法，该装置包含：真空反应腔，真空反应腔内包含一个配置盘，配置盘的上方设有一用于放置待处理晶圆的静电夹盘，配置盘和静电夹盘都设有若干通孔，配置盘上各个通孔与静电夹盘上对应的通孔形成竖直方向的导向通道，若干个升降顶针组件分别穿过对应的导向通道用于实现对晶圆的取放，升降顶针组件包含：升降顶针结构和升降顶针波纹管中心轴，升降顶针结构与升降顶针波纹管中心轴通过螺纹连接。其优点是：通过对升降顶针组件的改进，使升降顶针结构的高度调节方式更加简便，无需拆卸等离子处理装置的更多部件即可完成调节过程，提高了作业效率，且减小了等离子处理装置的拆卸损耗。
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公开(公告)号：CN108022852B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201610936885.5
申请日：2016-11-01
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种绝缘窗口薄膜加热器装置，该装置包含：设置于绝缘窗口顶部的电绝缘板，设置于电绝缘板上的粘结层，设置在粘结层上的薄膜加热器；薄膜加热器通过粘结层与电绝缘板固定形成一个加热模块，加热模块通过电绝缘板固定于绝缘窗口顶部。本发明的薄膜加热器通过粘结层固定在电绝缘板上形成整体，通过电绝缘板与绝缘窗口固定连接，便于薄膜加热器的拆装，简易了薄膜加热器与绝缘窗口的维护过程，节省人力和时间成本。
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公开(公告)号：CN111383889A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811612960.8
申请日：2018-12-27
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种包含热相变材料的等离子处理腔，其包含真空腔本体，该真空腔本体包含腔体内壁及腔体外壁，该腔体内壁形成有用于等离子处理工艺的处理腔，在腔体内壁与腔体外壁之间还形成有至少一空腔，该空腔内填充有热相变材料，其能在空腔内自由流动。本发明提供的等离子处理腔，将液态相变材料灌封在等离子处理腔的腔体内壁与腔体外壁之间的空腔内，液态相变材料吸热变成流体后可以在空腔内自由流动，充分实现区域内的热交换，快速达到区域内均匀一致，保持等离子处理腔的温度恒定，无需其他操作，节能且方便可控。
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