公开(公告)号：CN101369714B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200810210649.0

申请日：2008-08-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉本晋 ,  松原秀树

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/105 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/2009

Abstract: 含有光子晶体构造的半导体激光器的制造方法，上述光子晶体构造具有空孔的排列，在该方法中，将基板(W2)设置在生长炉(13)中，使载气(氮)流动的同时，将生长炉(13)的温度上升到生长温度TG。在升温过程中，形成了图案的InGaN层(17a)的开口(17b)受到影响，开口(17b)中的AlX2Ga1-X2N生长及迁移和AlX2Ga1-X2N的表面相比被抑制。将氮化镓系半导体层(23)(例如GaN层)形成在InGaN层(17a)上。氮化镓系半导体层(AlX2Ga1-X2N)(23)以形成和开口(17b)对应的空孔(25)的方式生长。由此形成二维光子晶体的二维衍射光栅(26)。

公开(公告)号：CN1993807B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580026731.2

申请日：2005-08-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田边敬一朗 ,  吉本晋

IPC: H01L21/268 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L33/0095

Abstract: 本发明提供一种p型半导体区域的形成方法，其在有机金属气相外延装置101等成膜装置内配置基板103，在基板103上依次成长GaN缓冲膜105、无掺杂GaN膜107、以及包含p型掺杂物的GaN膜109，形成外延基板E1。半导体膜109中，除p型掺杂物之外，还含有包含在原料气体中的氢。接着，在短脉冲激光照射装置111中配置外延基板E1。对外延基板E1的表面的一部分或全部照射激光LB1，利用多光子吸收过程激活p型掺杂物。通过照射产生多光子吸收的脉冲激光LB1，形成p型GaN膜109a。无需使用热退火而将半导体膜内的p型掺杂物光学性激活，形成p型半导体区域。

公开(公告)号：CN101040409A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200580034733.6

申请日：2005-12-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉本晋 ,  松原秀树 ,  齐藤裕久 ,  三崎贵史 ,  中西文毅 ,  森大树

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/12

CPC classification number: H01S5/18 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  H01S5/105 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/14 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 一种半导体激光器件(1)，包括：具有主面(3a)的衬底(3)；在其中主面(3a)延伸的方向上具有在衬底(3)上形成的氮化镓外延层(2a)和低折射率材料(2b)的光子晶体层(7)，该低折射率材料(2b)具有低于外延层(2a)的折射率；衬底(3)上形成的n－型敷层(4)；衬底(3)上形成的p－型敷层(6)；插入n－型敷层(4)和p－型敷层(6)之间且当往其中注入载流子时发光的有源层(5)；以及覆盖直接位于光子晶体层(7)上的区域的GaN层(12)。因此，可以在没有熔化工序的条件下，制造该半导体激光器件。

公开(公告)号：CN1782142A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510125396.3

申请日：2005-11-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野昌纪 ,  吉本晋 ,  松叶聪

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/12 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/68771 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12 ,  C30B29/403 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68 ,  H01L21/68764

Abstract: 本发明涉及减小III族氮化物沉积物影响的MOCVD装置用晶片导向器。晶片支架(15)包括一个或多个第一区域(15a)和围绕第一区域(15a)的第二区域(15b)。每个第一区域(15a)包括用于支撑其上沉积有氮化物半导体的晶片(19)的表面。在MOCVD设备(11)和(13)中，将晶片导向器(17)提供在晶片支架(15)第二区域(15b)上。晶片导向器(17)配备有用于覆盖第二区域(15b)的防护罩(17a)和用于接纳在第一区域(15a)上的晶片(19)的一个或多个开口(17b)。防护罩(17a)具有限定开口(17b)并引导晶片(19)的侧表面(17c)，并且将晶片(19)接纳于每个开口(17b)中。将晶片(19)装载在暴露于该开口(17b)中的每个晶片支架(15)第一区域(15a)的支撑表面上。

公开(公告)号：CN1774821A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200480009899.8

申请日：2004-08-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  木山诚 ,  中村孝夫 ,  樱田隆 ,  秋田胜史 ,  上松康二 ,  池田亚矢子 ,  片山浩二 ,  吉本晋

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/45099

Abstract: 公开了一种发光器件，该发光器件由于其简单结构而容易制造，并且能够长期稳定地保持高发光效率。这种发光器件在氮化物半导体衬底(1)第一主表面侧包含：n－型氮化物半导体层(2)，安置在离氮化物半导体衬底(1)比n－型氮化物半导体层(2)更远处的p－型氮化物半导体层(6)，以及安置在n－型氮化物半导体层(2)和p－型氮化物半导体层(6)之间的发光层(4)。氮化物半导体衬底的电阻率不超过0.5Ω·cm。发光器件是以p－型氮化物半导体层侧向下的方式安装的，从而使光从氮化物半导体衬底的第二主表面(1a)发出，所述的第二主表面位于第一主表面的另一侧。