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公开(公告)号：CN102131964B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201080002414.8
申请日：2010-01-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B23/066 , C30B29/403
Abstract: 本发明公开了一种制造氮化物半导体晶体的装置，其具有足够的耐久性且在从坩埚外部混入杂质方面受到抑制。本发明还公开了一种制造氮化物半导体晶体的方法以及氮化物半导体晶体。具体地，本发明公开了一种制造氮化物半导体晶体的装置(100)，其包含坩埚(101)、加热单元(125)和覆盖部件(110)。在所述坩埚(101)内部设置源材料(17)。在所述坩埚(101)的外围设置加热单元(125)，其中所述加热单元对所述坩埚(101)的内部进行加热。在所述坩埚(101)与所述加热单元(125)之间布置覆盖部件(110)。所述覆盖部件(110)包含第一层(111)和第二层(112)，所述第一层(111)被布置在面对所述坩埚(101)的侧上，并由熔点比所述源材料(17)的熔点高的金属形成，所述第二层(112)被布置在所述第一层(111)的外围侧上，并由构成所述第一层(111)的金属的碳化物形成。
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公开(公告)号：CN101351579B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200780001063.7
申请日：2007-03-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/00
Abstract: 一种III族氮化物单晶生长方法，该方法是一种通过升华以生长AlxGa1-xN单晶(4)的方法，包括步骤，将源材料(1)放置在坩埚(12)中；并且升华源材料(1)以在坩埚(12)中生长AlxGa1-xN(0＜x≤1)单晶(4)，其中源材料(1)包括AlyGa1-yN(0＜y≤1)源(2)和杂质元素(3)，并且杂质元素(3)为选自由IVb族元素和IIa族元素所组成的组中的至少之一。该生长方法使得能够稳定地生长具有低位错密度和良好的结晶度的III族氮化物体单晶。
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公开(公告)号：CN102016135A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114398.9
申请日：2009-04-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B23/00 , C23C14/0617 , C23C14/28 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B28/12 , C30B28/14 , C30B29/36 , C30B29/38 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02507 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02617 , Y10T428/24471
Abstract: 本发明提供了制造裂纹数减少且具有高加工性的Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、以及外延晶片。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，在低于550℃的温度下在所述Si衬底上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1)。
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公开(公告)号：CN101970708A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980000384.4
申请日：2009-02-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C23C14/0641 , C23C14/28 , C30B23/02
Abstract: 本发明公开了平坦且薄的AlN薄膜及所述AlN薄膜的制造方法。AlN薄膜(2)包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。在真空室内设置AlN烧结体，并在基材(1)已经设置在真空室内的状态下用激光束对所述AlN烧结体进行照射而产生等离子体，利用该等离子体能够在所述基材(1)上形成所述AlN薄膜(2)，所述AlN烧结体包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。
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公开(公告)号：CN101932758A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200880125981.5
申请日：2008-12-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B23/06 , H01L21/205
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/025 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631
Abstract: 本发明公开了一种生长大型高品质的AlxGa1-xN单晶的方法。具体公开了生长AlxGa1-xN单晶的方法，其包括：准备AlyGa1-yN(0＜y≤1)晶种(4)的步骤，所述晶种的晶体直径D mm和厚度T mm符合下列关系式：T＜0.003D+0.15；以及通过升华生长法在所述AlyGa1-yN晶种(4)的主表面(4m)上生长AlxGa1-xN(0＜x≤1)单晶(5)的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101484617A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200780025231.6
申请日：2007-06-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L33/00
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/02 , H01L21/02378 , H01L21/0254 , H01L21/02631
Abstract: 本发明提供了AlN晶体衬底的制造方法，由此能够制造大尺度、高品质的AlN晶体衬底；本发明提供了AlN晶体的生长方法，由此能够生长具有优异结晶度的大尺寸AlN；还提供了由通过该生长方法生长的AlN晶体构成的AlN晶体衬底。本发明提供了AlN晶体衬底的制造方法，包括：相对于异质衬底的直径r，利用升华法在异质衬底上生长厚度为0.4r以上的AlN晶体的步骤；和从距所述异质衬底不少于200μm的AlN晶体区域内形成AlN晶体衬底的步骤。另外，还提供通过升华法在利用该制造方法制造的AlN晶体衬底上生长AlN晶体的AlN晶体生长方法，并提供由通过该生长方法生长的AlN晶体构成的AlN晶体衬底。
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公开(公告)号：CN101233265A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200680027936.7
申请日：2006-07-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38
CPC classification number: C30B23/02 , C30B23/066 , C30B25/02 , C30B29/403 , Y10T428/2982
Abstract: 提供大直径跨距AlN晶体、生长AlN晶体的方法以及AlN晶体衬底，该AlN晶体可应用到不同类型的半导体器件，具有良好的结晶度。该AlN晶体生长方法是这样的一种方法，其中通过气相外延在放置在提供在反应腔内的晶体生长器皿(12)内的晶体生长室(24)内部的籽晶衬底(2)上生长AlN晶体(4)，并且其特征在于：在晶体生长期间，将含碳气体提供到晶体生长室(24)的内部。
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公开(公告)号：CN1197830C
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN02802876.7
申请日：2002-03-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B38/00
CPC classification number: C04B35/591 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B35/63 , C04B35/64 , C04B38/0025 , C04B2111/00198 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3272 , C04B2235/3852 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/428 , C04B2235/46 , C04B2235/465 , C04B2235/483 , C04B2235/667 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , H05K1/0306 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , Y10T428/249953 , Y10T428/249956 , Y10T428/249967 , Y10T428/249971 , Y10T428/249974 , Y10T428/249976 , Y10T428/252 , C04B35/584 , C04B38/0061 , C04B38/0074 , C04B40/0014 , C04B35/597 , C04B38/0054
Abstract: 本发明提供具有均匀，细闭孔的多孔氮化硅陶瓷和其制造方法。金属Si粉末与烧结添加剂混合，随后热处理，这是一种用于形成特定晶粒边界相的预工艺。然后通过在1000℃或更多的温度下微波加热而进行二步热处理。金属Si粉末然后从其表面进行氮化反应，金属Si随后扩散到在金属Si的外壳上形成的氮化物，这样可得到具有均匀，细闭孔的多孔氮化硅陶瓷。因为本发明多孔氮化硅陶瓷具有高闭孔比率并具有优异的电/机械特性，如果它们例如用作需要抗吸湿性，低介电常数，低介电损耗，和机械强度的电子电路板，可以显示出优异的特性。
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公开(公告)号：CN1473140A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN02802876.7
申请日：2002-03-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B38/00
CPC classification number: C04B35/591 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B35/63 , C04B35/64 , C04B38/0025 , C04B2111/00198 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3272 , C04B2235/3852 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/428 , C04B2235/46 , C04B2235/465 , C04B2235/483 , C04B2235/667 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , H05K1/0306 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , Y10T428/249953 , Y10T428/249956 , Y10T428/249967 , Y10T428/249971 , Y10T428/249974 , Y10T428/249976 , Y10T428/252 , C04B35/584 , C04B38/0061 , C04B38/0074 , C04B40/0014 , C04B35/597 , C04B38/0054
Abstract: 本发明提供具有均匀，细闭孔的多孔氮化硅陶瓷和其制造方法。金属Si粉末与烧结添加剂混合，随后热处理，这是一种用于形成特定晶粒边界相的预工艺。然后通过在1000℃或更多的温度下微波加热而进行二步热处理。金属Si粉末然后从其表面进行氮化反应，金属Si随后扩散到在金属Si的外壳上形成的氮化物，这样可得到具有均匀，细闭孔的多孔氮化硅陶瓷。因为本发明多孔氮化硅陶瓷具有高闭孔比率并具有优异的电/机械特性，如果它们例如用作需要抗吸湿性，低介电常数，低介电损耗，和机械强度的电子电路板，可以显示出优异的特性。
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公开(公告)号：CN101970708B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN200980000384.4
申请日：2009-02-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C23C14/0641 , C23C14/28 , C30B23/02
Abstract: 本发明公开了平坦且薄的AlN薄膜及所述AlN薄膜的制造方法。AlN薄膜(2)包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。在真空室内设置AlN烧结体，并在基材(1)已经设置在真空室内的状态下用激光束对所述AlN烧结体进行照射而产生等离子体，利用该等离子体能够在所述基材(1)上形成所述AlN薄膜(2)，所述AlN烧结体包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。
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