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公开(公告)号：CN102395535B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201080016990.8
申请日：2010-03-24
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03B19/09 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T428/13 , Y10T428/131 , Y10T428/1317
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，包含以下各工序：作成基体的暂时成形体的工序，所述工序是一边使具有减压用孔的外模框旋转，一边导入第一原料粉(二氧化硅粒子)至外模框的内壁，而作成基体的暂时成形体；作成中间层的暂时成形体的工序，所述工序是将添加有铝化合物或结晶核剂来作为添加物而成的第二原料粉，导入至基体的暂时成形体的内壁，而作成中间层的暂时成形体；及形成内侧层的工序，所述工序是通过一边将基体与中间体的暂时成形体，从外周侧减压而脱气，一边从内侧进行加热，来形成基体与中间层，然后从形成有中间层的基体的内侧，一边喷撒二氧化硅纯度高的第三原料粉，一边从内侧进行加热而在中间层的内表面上形成内侧层。由此，提供一种二氧化硅容器的制造方法，所述制造方法是以廉价而比较低质量的二氧化硅粉末作为主原料，并且以投入能量较少、低成本的方式来制造高尺寸精确度、高耐久性、低放出气体性的二氧化硅容器，以及提供一种以此种方式而得到的二氧化硅容器。
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公开(公告)号：CN102301041B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201080006326.5
申请日：2010-10-19
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: B65D13/02 , C03B19/095 , C03B2201/54 , C03C3/06 , C03C2201/54 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，所述制造方法先制作Li、Na、K的合计浓度在50wt.ppm以下的基体形成用原料粉及含有Ca、Sr、Ba合计为50～2000wt.ppm的内层形成用粉，然后在模框内形成基体的暂时成形体，并在其内表面上形成内层的暂时成形体，而在以超过10vol.％的比率含有氢或氦或这些气体的混合气体的气体气氛中，通过放电加热熔融法来从基体和内层的暂时成形体的内侧进行加热，而将基体的暂时成形体的外周部分作成烧结体，并且将基体的暂时成形体的内周部分和内层的暂时成形体作成熔融玻璃体，由此来制造一种二氧化硅容器，所述二氧化硅容器具有：基体，其在外周部分含有气泡；及内层，其被形成在该基体的内表面上，并由透明二氧化硅玻璃所构成。由此，提供一种二氧化硅容器的制造方法及这样的二氧化硅容器，该二氧化硅容器的制造方法，能够以低成本来制造出具有高尺寸精确度及高耐热性的二氧化硅容器。
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公开(公告)号：CN103703171A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201380002396.7
申请日：2013-03-18
Applicant: 信越石英株式会社
Inventor： 山形茂
CPC classification number: C30B15/10 , C03B11/02 , C03B11/10 , C03B19/095 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明是在内侧具有由透明二氧化硅玻璃构成的透明层，在外侧具有由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃构成的不透明层的单晶硅提拉用二氧化硅容器，本发明是上述透明层位于上述二氧化硅容器的内表面侧，并由以200～2000massppm的浓度含有OH基的高OH基层和OH基浓度低于该高OH基层的低OH基层构成，且在上述高OH基层的内表面以25～1000μg/cm2的浓度涂布有Ba的单晶硅提拉用二氧化硅容器。由此，本发明提供一种二氧化硅容器，该二氧化硅容器在用于提拉单晶硅时，通过使该容器的由透明二氧化硅玻璃构成的内侧表面的整个面在该容器开始使用后的短时间内微晶化（玻璃陶瓷化），可大幅度提高该容器内侧表面的对于硅熔液的耐蚀刻性（耐腐蚀性）。
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公开(公告)号：CN102395535A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201080016990.8
申请日：2010-03-24
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03B19/09 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T428/13 , Y10T428/131 , Y10T428/1317
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，包含以下各工序：作成基体的暂时成形体的工序，所述工序是一边使具有减压用孔的外模框旋转，一边导入第一原料粉(二氧化硅粒子)至外模框的内壁，而作成基体的暂时成形体；作成中间层的暂时成形体的工序，所述工序是将添加有铝化合物或结晶核剂来作为添加物而成的第二原料粉，导入至基体的暂时成形体的内壁，而作成中间层的暂时成形体；及形成内侧层的工序，所述工序是通过一边将基体与中间体的暂时成形体，从外周侧减压而脱气，一边从内侧进行加热，来形成基体与中间层，然后从形成有中间层的基体的内侧，一边喷撒二氧化硅纯度高的第三原料粉，一边从内侧进行加热而在中间层的内表面上形成内侧层。由此，提供一种二氧化硅容器的制造方法，所述制造方法是以廉价而比较低质量的二氧化硅粉末作为主原料，并且以投入能量较少、低成本的方式来制造高尺寸精确度、高耐久性、低放出气体性的二氧化硅容器，以及提供一种以此种方式而得到的二氧化硅容器。
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公开(公告)号：CN102471125B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201080030798.4
申请日：2010-06-25
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03B19/095 , C03B2201/07 , C03B2201/075 , C03B2201/32 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y10T428/131 , Y10T428/1317 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，其用以制造具备二氧化硅基体而构成的二氧化硅容器，该二氧化硅基体具有旋转对称性，其中，所述二氧化硅容器的制造方法，包含：暂时成型为规定形状的工序，该工序一边使具有减压用孔的外模框旋转，一边导入基体用原料粉(二氧化硅粒子)至外模框的内壁，而暂时成型为规定形状；及形成二氧化硅基体的工序，该工序从暂时成型体的内侧，供给通过除湿而制成规定的露点温度以下且含有氧气与惰性气体的混合气体，以将外模框内的气体进行换气，并调整外模框内的湿度，且一边将暂时成型体从外周侧进行减压，一边通过利用碳电极所实施的放电加热熔融法从暂时成型体的内侧进行加热，来将暂时成型体的外周部分制成烧结体，并将内侧部分制成熔融玻璃体。由此，提供一种二氧化硅容器的制造方法及该种二氧化硅容器，该制造方法是以主成分为二氧化硅的粉体作为主原料，而能以低成本制造出具有高尺寸精确度且碳和OH基含量极少的二氧化硅容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103649383A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201380001605.6
申请日：2013-01-22
Applicant: 信越石英株式会社
Inventor： 山形茂
CPC classification number: C30B15/10 , C03B19/095 , C03B2201/03 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明是一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，具有直筒部、弯曲部及底部，其特征在于，前述二氧化硅容器的外侧是由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃所构成，前述二氧化硅容器的内侧是由实质上不含气泡的透明二氧化硅玻璃所构成；于前述底部的内表面，形成厚度20μm以上且1000μm以下的二氧化硅玻璃层，所述二氧化硅玻璃层以超过300质量ppm且3000质量ppm以下的浓度含有OH基。由此，本发明提供一种低成本的单晶硅提拉用二氧化硅容器，可减低所提拉的单晶硅中的被称为孔隙或针孔的空洞缺陷。
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公开(公告)号：CN102197002B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201080003082.5
申请日：2010-06-01
Applicant: 信越石英株式会社
IPC: C03B20/00
CPC classification number: C03B19/09 , C03B19/095 , Y02P40/57
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅容器的制造方法，用以制造具备二氧化硅基体而构成的二氧化硅容器，该二氧化硅基体具有旋转对称性。该制造方法包含：暂时成形的工序，其一边使具有减压用孔的碳制外模框旋转，一边导入基体用原料粉至外模框的内壁，将该基体用原料粉暂时成形为规定形状；及形成二氧化硅基体的工序，其一边从二氧化硅基体的暂时成形体的内周侧供给还原性气体，该还原性气体含有超过10体积％比率的H2气体，一边从二氧化硅基体的暂时成形体的外周侧来进行减压而脱气，并通过使用碳电极而实行的放电加热熔融法，从二氧化硅基体的暂时成形体的内侧进行加热来将二氧化硅基体的暂时成形体的外周部分作成烧结体，并将内侧部分作成熔融玻璃体。
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公开(公告)号：CN103476974A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201280018220.6
申请日：2012-10-02
Applicant: 信越石英株式会社
Inventor： 山形茂
CPC classification number: C30B15/10 , C03B19/095 , C03C3/06 , C03C17/004 , C03C17/02 , C03C2201/30 , C03C2203/10 , C30B15/02 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明涉及一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，其具有由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃所构成的外层、及由实质上不含气泡的透明二氧化硅玻璃所构成的内层，并具有底部、弯曲部及直胴部，其特征在于，在前述内层的表面形成有槽，所述槽自至少前述底部的一部分，经由前述弯曲部，延续到至少前述直胴部的一部分。由此，提供一种单晶硅提拉用二氧化硅容器及此种二氧化硅容器的制造方法，所述单晶硅提拉用二氧化硅容器可降低提拉的单晶硅中的被称为孔隙或针孔的缺陷。
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公开(公告)号：CN102301041A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080006326.5
申请日：2010-10-19
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: B65D13/02 , C03B19/095 , C03B2201/54 , C03C3/06 , C03C2201/54 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，所述制造方法先制作Li、Na、K的合计浓度在50wt.ppm以下的基体形成用原料粉及含有Ca、Sr、Ba合计为50～2000wt.ppm的内层形成用粉，然后在模框内形成基体的暂时成形体，并在其内表面上形成内层的暂时成形体，而在以超过10vol.％的比率含有氢或氦或这些气体的混合气体的气体气氛中，通过放电加热熔融法来从基体和内层的暂时成形体的内侧进行加热，而将基体的暂时成形体的外周部分作成烧结体，并且将基体的暂时成形体的内周部分和内层的暂时成形体作成熔融玻璃体，由此来制造一种二氧化硅容器，所述二氧化硅容器具有：基体，其在外周部分含有气泡；及内层，其被形成在该基体的内表面上，并由透明二氧化硅玻璃所构成。由此，提供一种二氧化硅容器的制造方法及这样的二氧化硅容器，该二氧化硅容器的制造方法，能够以低成本来制造出具有高尺寸精确度及高耐热性的二氧化硅容器。
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公开(公告)号：CN102197002A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201080003082.5
申请日：2010-06-01
Applicant: 信越石英株式会社
IPC: C03B20/00
CPC classification number: C03B19/09 , C03B19/095 , Y02P40/57
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅容器的制造方法，用以制造具备二氧化硅基体而构成的二氧化硅容器，该二氧化硅基体具有旋转对称性。该制造方法包含：暂时成形的工序，其一边使具有减压用孔的碳制外模框旋转，一边导入基体用原料粉至外模框的内壁，将该基体用原料粉暂时成形为规定形状；及形成二氧化硅基体的工序，其一边从二氧化硅基体的暂时成形体的内周侧供给还原性气体，该还原性气体含有超过10体积％比率的H2气体，一边从二氧化硅基体的暂时成形体的外周侧来进行减压而脱气，并通过使用碳电极而实行的放电加热熔融法，从二氧化硅基体的暂时成形体的内侧进行加热来将二氧化硅基体的暂时成形体的外周部分作成烧结体，并将内侧部分作成熔融玻璃体。
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