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公开(公告)号：CN102224113B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201080003275.0
申请日：2010-03-23
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03B19/09 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T428/13 , Y10T428/131 , Y10T428/1317
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，其包含：制成混合粉的工序，其在二氧化硅粒子即第一原料粉中，添加铝化合物或结晶核剂而制成混合粉；暂时成形的工序，其一边使具有减压用孔的外模框旋转，一边导入混合粉至外模框的内壁，暂时成形为规定形状；形成二氧化硅基体的工序，其通过将暂时成形体从外周侧减压而脱气，并从暂时成形体的内侧进行高温加热，来将暂时成形体的外周部分制成烧结体，并将内侧部分制成熔融玻璃体而形成二氧化硅基体；及形成透明二氧化硅玻璃层的工序，其一边从二氧化硅基体的内侧喷撒其二氧化硅纯度比第一原料粉高的第二原料粉，一边从内侧进行高温加热，由此，在二氧化硅基体的内表面形成透明二氧化硅玻璃层。由此，能提供一种二氧化硅容器的制造方法，其以廉价而比较低质量的二氧化硅粉末作为主原料，并且以投入能量较少、低成本的方式来制造高尺寸精确度、高耐久性、低放出气体性的二氧化硅容器。
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公开(公告)号：CN102224113A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201080003275.0
申请日：2010-03-23
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03B19/09 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T428/13 , Y10T428/131 , Y10T428/1317
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，其包含：制成混合粉的工序，其在二氧化硅粒子即第一原料粉中，添加铝化合物或结晶核剂而制成混合粉；暂时成形的工序，其一边使具有减压用孔的外模框旋转，一边导入混合粉至外模框的内壁，暂时成形为规定形状；形成二氧化硅基体的工序，其通过将暂时成形体从外周侧减压而脱气，并从暂时成形体的内侧进行高温加热，来将暂时成形体的外周部分制成烧结体，并将内侧部分制成熔融玻璃体而形成二氧化硅基体；及形成透明二氧化硅玻璃层的工序，其一边从二氧化硅基体的内侧喷撒其二氧化硅纯度比第一原料粉高的第二原料粉，一边从内侧进行高温加热，由此，在二氧化硅基体的内表面形成透明二氧化硅玻璃层。由此，能提供一种二氧化硅容器的制造方法，其以廉价而比较低质量的二氧化硅粉末作为主原料，并且以投入能量较少、低成本的方式来制造高尺寸精确度、高耐久性、低放出气体性的二氧化硅容器。
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公开(公告)号：CN102395535B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201080016990.8
申请日：2010-03-24
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03B19/09 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T428/13 , Y10T428/131 , Y10T428/1317
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，包含以下各工序：作成基体的暂时成形体的工序，所述工序是一边使具有减压用孔的外模框旋转，一边导入第一原料粉(二氧化硅粒子)至外模框的内壁，而作成基体的暂时成形体；作成中间层的暂时成形体的工序，所述工序是将添加有铝化合物或结晶核剂来作为添加物而成的第二原料粉，导入至基体的暂时成形体的内壁，而作成中间层的暂时成形体；及形成内侧层的工序，所述工序是通过一边将基体与中间体的暂时成形体，从外周侧减压而脱气，一边从内侧进行加热，来形成基体与中间层，然后从形成有中间层的基体的内侧，一边喷撒二氧化硅纯度高的第三原料粉，一边从内侧进行加热而在中间层的内表面上形成内侧层。由此，提供一种二氧化硅容器的制造方法，所述制造方法是以廉价而比较低质量的二氧化硅粉末作为主原料，并且以投入能量较少、低成本的方式来制造高尺寸精确度、高耐久性、低放出气体性的二氧化硅容器，以及提供一种以此种方式而得到的二氧化硅容器。
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公开(公告)号：CN102301041B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201080006326.5
申请日：2010-10-19
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: B65D13/02 , C03B19/095 , C03B2201/54 , C03C3/06 , C03C2201/54 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，所述制造方法先制作Li、Na、K的合计浓度在50wt.ppm以下的基体形成用原料粉及含有Ca、Sr、Ba合计为50～2000wt.ppm的内层形成用粉，然后在模框内形成基体的暂时成形体，并在其内表面上形成内层的暂时成形体，而在以超过10vol.％的比率含有氢或氦或这些气体的混合气体的气体气氛中，通过放电加热熔融法来从基体和内层的暂时成形体的内侧进行加热，而将基体的暂时成形体的外周部分作成烧结体，并且将基体的暂时成形体的内周部分和内层的暂时成形体作成熔融玻璃体，由此来制造一种二氧化硅容器，所述二氧化硅容器具有：基体，其在外周部分含有气泡；及内层，其被形成在该基体的内表面上，并由透明二氧化硅玻璃所构成。由此，提供一种二氧化硅容器的制造方法及这样的二氧化硅容器，该二氧化硅容器的制造方法，能够以低成本来制造出具有高尺寸精确度及高耐热性的二氧化硅容器。
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公开(公告)号：CN102395535A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201080016990.8
申请日：2010-03-24
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03B19/09 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T428/13 , Y10T428/131 , Y10T428/1317
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，包含以下各工序：作成基体的暂时成形体的工序，所述工序是一边使具有减压用孔的外模框旋转，一边导入第一原料粉(二氧化硅粒子)至外模框的内壁，而作成基体的暂时成形体；作成中间层的暂时成形体的工序，所述工序是将添加有铝化合物或结晶核剂来作为添加物而成的第二原料粉，导入至基体的暂时成形体的内壁，而作成中间层的暂时成形体；及形成内侧层的工序，所述工序是通过一边将基体与中间体的暂时成形体，从外周侧减压而脱气，一边从内侧进行加热，来形成基体与中间层，然后从形成有中间层的基体的内侧，一边喷撒二氧化硅纯度高的第三原料粉，一边从内侧进行加热而在中间层的内表面上形成内侧层。由此，提供一种二氧化硅容器的制造方法，所述制造方法是以廉价而比较低质量的二氧化硅粉末作为主原料，并且以投入能量较少、低成本的方式来制造高尺寸精确度、高耐久性、低放出气体性的二氧化硅容器，以及提供一种以此种方式而得到的二氧化硅容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102482137B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201080036839.0
申请日：2010-09-01
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03B19/095 , C01B33/12 , C01P2004/61 , C03B2201/21 , C03B2201/54 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T428/131 , Y10T428/1317 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，该二氧化硅容器具备：基体，其具有旋转对称性，以二氧化硅作为主成分，且至少在外周部分含有气泡；以及内层，其被形成在该基体的内表面上，并由透明二氧化硅玻璃所构成；其中，所述二氧化硅容器的制造方法，至少准备二氧化硅粉来作为用以形成前述内层的原料粉，并利用该内层形成用原料粉即二氧化硅粉来形成前述内层，该二氧化硅粉，其粒径为10～1000μm，含有合计浓度为50～5000重量ppm(wt.ppm)的Ca、Sr、Ba，且在真空下加热至1000℃时的氢分子的放出量为3×1016～3×1019分子/g。由此，提供一种二氧化硅容器及其制造方法，该二氧化硅容器是高尺寸精确度，且该二氧化硅容器的内壁是实质上不含气泡且厚度大的透明二氧化硅玻璃层，而在高温下也具有高度耐久性，并能以低成本来制造；以及提供一种用以制造这样的二氧化硅容器的二氧化硅粉及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102482137A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080036839.0
申请日：2010-09-01
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03B19/095 , C01B33/12 , C01P2004/61 , C03B2201/21 , C03B2201/54 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T428/131 , Y10T428/1317 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，该二氧化硅容器具备：基体，其具有旋转对称性，以二氧化硅作为主成分，且至少在外周部分含有气泡；以及内层，其被形成在该基体的内表面上，并由透明二氧化硅玻璃所构成；其中，所述二氧化硅容器的制造方法，至少准备二氧化硅粉来作为用以形成前述内层的原料粉，并利用该内层形成用原料粉即二氧化硅粉来形成前述内层，该二氧化硅粉，其粒径为10～1000μm，含有合计浓度为50～5000重量ppm(wt.ppm)的Ca、Sr、Ba，且在真空下加热至1000℃时的氢分子的放出量为3×1016～3×1019分子/g。由此，提供一种二氧化硅容器及其制造方法，该二氧化硅容器是高尺寸精确度，且该二氧化硅容器的内壁是实质上不含气泡且厚度大的透明二氧化硅玻璃层，而在高温下也具有高度耐久性，并能以低成本来制造；以及提供一种用以制造这样的二氧化硅容器的二氧化硅粉及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102471125A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080030798.4
申请日：2010-06-25
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03B19/095 , C03B2201/07 , C03B2201/075 , C03B2201/32 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y10T428/131 , Y10T428/1317 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，其用以制造具备二氧化硅基体而构成的二氧化硅容器，该二氧化硅基体具有旋转对称性，其中，所述二氧化硅容器的制造方法，包含：暂时成型为规定形状的工序，该工序一边使具有减压用孔的外模框旋转，一边导入基体用原料粉(二氧化硅粒子)至外模框的内壁，而暂时成型为规定形状；及形成二氧化硅基体的工序，该工序从暂时成型体的内侧，供给通过除湿而制成规定的露点温度以下且含有氧气与惰性气体的混合气体，以将外模框内的气体进行换气，并调整外模框内的湿度，且一边将暂时成型体从外周侧进行减压，一边通过利用碳电极所实施的放电加热熔融法从暂时成型体的内侧进行加热，来将暂时成型体的外周部分制成烧结体，并将内侧部分制成熔融玻璃体。由此，提供一种二氧化硅容器的制造方法及该种二氧化硅容器，该制造方法是以主成分为二氧化硅的粉体作为主原料，而能以低成本制造出具有高尺寸精确度且碳和OH基含量极少的二氧化硅容器。
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公开(公告)号：CN102471125B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201080030798.4
申请日：2010-06-25
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03B19/095 , C03B2201/07 , C03B2201/075 , C03B2201/32 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y10T428/131 , Y10T428/1317 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，其用以制造具备二氧化硅基体而构成的二氧化硅容器，该二氧化硅基体具有旋转对称性，其中，所述二氧化硅容器的制造方法，包含：暂时成型为规定形状的工序，该工序一边使具有减压用孔的外模框旋转，一边导入基体用原料粉(二氧化硅粒子)至外模框的内壁，而暂时成型为规定形状；及形成二氧化硅基体的工序，该工序从暂时成型体的内侧，供给通过除湿而制成规定的露点温度以下且含有氧气与惰性气体的混合气体，以将外模框内的气体进行换气，并调整外模框内的湿度，且一边将暂时成型体从外周侧进行减压，一边通过利用碳电极所实施的放电加热熔融法从暂时成型体的内侧进行加热，来将暂时成型体的外周部分制成烧结体，并将内侧部分制成熔融玻璃体。由此，提供一种二氧化硅容器的制造方法及该种二氧化硅容器，该制造方法是以主成分为二氧化硅的粉体作为主原料，而能以低成本制造出具有高尺寸精确度且碳和OH基含量极少的二氧化硅容器。
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公开(公告)号：CN102197002B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201080003082.5
申请日：2010-06-01
Applicant: 信越石英株式会社
IPC: C03B20/00
CPC classification number: C03B19/09 , C03B19/095 , Y02P40/57
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅容器的制造方法，用以制造具备二氧化硅基体而构成的二氧化硅容器，该二氧化硅基体具有旋转对称性。该制造方法包含：暂时成形的工序，其一边使具有减压用孔的碳制外模框旋转，一边导入基体用原料粉至外模框的内壁，将该基体用原料粉暂时成形为规定形状；及形成二氧化硅基体的工序，其一边从二氧化硅基体的暂时成形体的内周侧供给还原性气体，该还原性气体含有超过10体积％比率的H2气体，一边从二氧化硅基体的暂时成形体的外周侧来进行减压而脱气，并通过使用碳电极而实行的放电加热熔融法，从二氧化硅基体的暂时成形体的内侧进行加热来将二氧化硅基体的暂时成形体的外周部分作成烧结体，并将内侧部分作成熔融玻璃体。
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