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公开(公告)号：CN103597128A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201380001600.3
申请日：2013-02-19
Applicant: 信越石英株式会社
Inventor： 山形茂
CPC classification number: C03B19/02 , C03B19/095 , C03B2201/04 , C03B2201/07 , C03B2201/23 , C03B2201/54 , C03C3/06 , C03C8/02 , C03C10/0009 , C03C21/008 , C03C23/007 , C03C2201/02 , C03C2201/54 , C03C2201/80 , C03C2203/10 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明是一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，该单晶硅提拉用二氧化硅容器在内侧具有由透明二氧化硅玻璃构成的透明层，在外侧具有由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃构成的不透明层，上述透明层位于上述二氧化硅容器的内表面侧，并由以200～2000massppm的浓度含有OH基的高OH基层和OH基浓度低于该高OH基层的低OH基层构成，上述高OH基层以50～2000massppm的浓度含有Ba。由此，本发明提供一种二氧化硅容器和这种二氧化硅容器的制造方法，该二氧化硅容器在用于提拉单晶硅时，通过使该容器的由透明二氧化硅玻璃构成的内侧表面的整个面在该容器开始使用后的短时间内微晶化（玻璃陶瓷化），可大幅度提高该容器内侧表面的对于硅熔液的耐蚀刻性（耐腐蚀性）。
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公开(公告)号：CN103502513A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280017718.0
申请日：2012-11-08
Applicant: 信越石英株式会社
Inventor： 山形茂
CPC classification number: C30B15/10 , C03B19/095 , C30B11/002 , C30B29/06 , C30B29/18 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明是一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，具有直胴部、弯曲部及底部，其特征在于，前述直胴部的OH基浓度为30～300质量ppm，前述底部的OH基浓度为30质量ppm以下，前述直胴部与前述底部的OH基浓度差为30质量ppm以上。由此，提供一种低成本的单晶硅提拉用二氧化硅容器，可减少提拉后的单晶硅中的被称为孔隙或针孔的空洞缺陷。
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公开(公告)号：CN102224113B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201080003275.0
申请日：2010-03-23
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03B19/09 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T428/13 , Y10T428/131 , Y10T428/1317
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，其包含：制成混合粉的工序，其在二氧化硅粒子即第一原料粉中，添加铝化合物或结晶核剂而制成混合粉；暂时成形的工序，其一边使具有减压用孔的外模框旋转，一边导入混合粉至外模框的内壁，暂时成形为规定形状；形成二氧化硅基体的工序，其通过将暂时成形体从外周侧减压而脱气，并从暂时成形体的内侧进行高温加热，来将暂时成形体的外周部分制成烧结体，并将内侧部分制成熔融玻璃体而形成二氧化硅基体；及形成透明二氧化硅玻璃层的工序，其一边从二氧化硅基体的内侧喷撒其二氧化硅纯度比第一原料粉高的第二原料粉，一边从内侧进行高温加热，由此，在二氧化硅基体的内表面形成透明二氧化硅玻璃层。由此，能提供一种二氧化硅容器的制造方法，其以廉价而比较低质量的二氧化硅粉末作为主原料，并且以投入能量较少、低成本的方式来制造高尺寸精确度、高耐久性、低放出气体性的二氧化硅容器。
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公开(公告)号：CN102224113A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201080003275.0
申请日：2010-03-23
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03B19/09 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T428/13 , Y10T428/131 , Y10T428/1317
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，其包含：制成混合粉的工序，其在二氧化硅粒子即第一原料粉中，添加铝化合物或结晶核剂而制成混合粉；暂时成形的工序，其一边使具有减压用孔的外模框旋转，一边导入混合粉至外模框的内壁，暂时成形为规定形状；形成二氧化硅基体的工序，其通过将暂时成形体从外周侧减压而脱气，并从暂时成形体的内侧进行高温加热，来将暂时成形体的外周部分制成烧结体，并将内侧部分制成熔融玻璃体而形成二氧化硅基体；及形成透明二氧化硅玻璃层的工序，其一边从二氧化硅基体的内侧喷撒其二氧化硅纯度比第一原料粉高的第二原料粉，一边从内侧进行高温加热，由此，在二氧化硅基体的内表面形成透明二氧化硅玻璃层。由此，能提供一种二氧化硅容器的制造方法，其以廉价而比较低质量的二氧化硅粉末作为主原料，并且以投入能量较少、低成本的方式来制造高尺寸精确度、高耐久性、低放出气体性的二氧化硅容器。
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公开(公告)号：CN103476974B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201280018220.6
申请日：2012-10-02
Applicant: 信越石英株式会社
Inventor： 山形茂
CPC classification number: C30B15/10 , C03B19/095 , C03C3/06 , C03C17/004 , C03C17/02 , C03C2201/30 , C03C2203/10 , C30B15/02 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明涉及一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，其具有由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃所构成的外层、及由实质上不含气泡的透明二氧化硅玻璃所构成的内层，并具有底部、弯曲部及直胴部，其特征在于，在前述内层的表面形成有槽，所述槽自至少前述底部的一部分，经由前述弯曲部，延续到至少前述直胴部的一部分。由此，提供一种单晶硅提拉用二氧化硅容器及此种二氧化硅容器的制造方法，所述单晶硅提拉用二氧化硅容器可降低提拉的单晶硅中的被称为孔隙或针孔的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102482137B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201080036839.0
申请日：2010-09-01
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03B19/095 , C01B33/12 , C01P2004/61 , C03B2201/21 , C03B2201/54 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T428/131 , Y10T428/1317 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，该二氧化硅容器具备：基体，其具有旋转对称性，以二氧化硅作为主成分，且至少在外周部分含有气泡；以及内层，其被形成在该基体的内表面上，并由透明二氧化硅玻璃所构成；其中，所述二氧化硅容器的制造方法，至少准备二氧化硅粉来作为用以形成前述内层的原料粉，并利用该内层形成用原料粉即二氧化硅粉来形成前述内层，该二氧化硅粉，其粒径为10～1000μm，含有合计浓度为50～5000重量ppm(wt.ppm)的Ca、Sr、Ba，且在真空下加热至1000℃时的氢分子的放出量为3×1016～3×1019分子/g。由此，提供一种二氧化硅容器及其制造方法，该二氧化硅容器是高尺寸精确度，且该二氧化硅容器的内壁是实质上不含气泡且厚度大的透明二氧化硅玻璃层，而在高温下也具有高度耐久性，并能以低成本来制造；以及提供一种用以制造这样的二氧化硅容器的二氧化硅粉及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102482137A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080036839.0
申请日：2010-09-01
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03B19/095 , C01B33/12 , C01P2004/61 , C03B2201/21 , C03B2201/54 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T428/131 , Y10T428/1317 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，该二氧化硅容器具备：基体，其具有旋转对称性，以二氧化硅作为主成分，且至少在外周部分含有气泡；以及内层，其被形成在该基体的内表面上，并由透明二氧化硅玻璃所构成；其中，所述二氧化硅容器的制造方法，至少准备二氧化硅粉来作为用以形成前述内层的原料粉，并利用该内层形成用原料粉即二氧化硅粉来形成前述内层，该二氧化硅粉，其粒径为10～1000μm，含有合计浓度为50～5000重量ppm(wt.ppm)的Ca、Sr、Ba，且在真空下加热至1000℃时的氢分子的放出量为3×1016～3×1019分子/g。由此，提供一种二氧化硅容器及其制造方法，该二氧化硅容器是高尺寸精确度，且该二氧化硅容器的内壁是实质上不含气泡且厚度大的透明二氧化硅玻璃层，而在高温下也具有高度耐久性，并能以低成本来制造；以及提供一种用以制造这样的二氧化硅容器的二氧化硅粉及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102471125A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080030798.4
申请日：2010-06-25
Applicant: 信越石英株式会社
CPC classification number: C03B19/095 , C03B2201/07 , C03B2201/075 , C03B2201/32 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y10T428/131 , Y10T428/1317 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，其用以制造具备二氧化硅基体而构成的二氧化硅容器，该二氧化硅基体具有旋转对称性，其中，所述二氧化硅容器的制造方法，包含：暂时成型为规定形状的工序，该工序一边使具有减压用孔的外模框旋转，一边导入基体用原料粉(二氧化硅粒子)至外模框的内壁，而暂时成型为规定形状；及形成二氧化硅基体的工序，该工序从暂时成型体的内侧，供给通过除湿而制成规定的露点温度以下且含有氧气与惰性气体的混合气体，以将外模框内的气体进行换气，并调整外模框内的湿度，且一边将暂时成型体从外周侧进行减压，一边通过利用碳电极所实施的放电加热熔融法从暂时成型体的内侧进行加热，来将暂时成型体的外周部分制成烧结体，并将内侧部分制成熔融玻璃体。由此，提供一种二氧化硅容器的制造方法及该种二氧化硅容器，该制造方法是以主成分为二氧化硅的粉体作为主原料，而能以低成本制造出具有高尺寸精确度且碳和OH基含量极少的二氧化硅容器。
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公开(公告)号：CN103649383B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201380001605.6
申请日：2013-01-22
Applicant: 信越石英株式会社
Inventor： 山形茂
CPC classification number: C30B15/10 , C03B19/095 , C03B2201/03 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明是一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，具有直筒部、弯曲部及底部，其特征在于，前述二氧化硅容器的外侧是由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃所构成，前述二氧化硅容器的内侧是由实质上不含气泡的透明二氧化硅玻璃所构成；于前述底部的内表面，形成厚度20μm以上且1000μm以下的二氧化硅玻璃层，所述二氧化硅玻璃层以超过300质量ppm且3000质量ppm以下的浓度含有OH基。由此，本发明提供一种低成本的单晶硅提拉用二氧化硅容器，可减低所提拉的单晶硅中的被称为孔隙或针孔的空洞缺陷。
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公开(公告)号：CN104395509A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201480001704.9
申请日：2014-03-25
Applicant: 信越石英株式会社
Inventor： 山形茂
CPC classification number: C03B19/095 , C03B2201/03 , C03B2201/04 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明是一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，具有直筒部、弯曲部及底部，其容器外侧是由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃所构成，容器内侧是由透明二氧化硅玻璃所构成，于至少前述直筒部的内侧表层部分，具有混合二氧化硅层，该混合二氧化硅层中，结晶质二氧化硅粉熔融相与非晶质二氧化硅粉熔融相呈粒状地夹杂。由此，提供一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，其可抑制高温下的二氧化硅容器中的硅熔液的液面振动。
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