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公开(公告)号：CN114744100B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202210295814.7
申请日：2022-03-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面预处理的量子点图案制备方法，是在预处理后的基板表面形成由亲水性物质组成的第一图案和由疏水性物质组成的第二图案，第二图案设于第一图案外围并与第一图案的边缘相配合，量子点溶液沉积于第一图案上；图案通过模板采用压印工艺制得。本发明通过利用亲、疏水物质的相关特性并对待沉积量子点溶液的区域进行图案化处理，可使沉积的量子点颜色转换层的形状更加规则、高度更加可控，不易出现因量子点溶液的流动而导致的颜色转换层图案的形变。量子点颜色转换层图案的规则、整齐化有利于窄半高宽、高色品质出光的实现。
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公开(公告)号：CN114967316B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202210513754.1
申请日：2022-05-12
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种制备半导体垂直剖面结构的光刻方法的制备方法，根据光刻图形设计分隔构件，所述分隔构件包括罩板，罩板具有遮蔽区和镂空区，镂空区周缘垂直向下延伸形成隔板；在半导体基板表面涂覆光刻胶后放置分隔构件，并使隔板嵌入光刻胶中将光刻胶对应遮蔽区和对应镂空区的部分物理隔开，然后进行曝光、显影以及后续的蚀刻工艺。通过分隔构件物理隔离需曝光部分的光刻胶，可实现九十度的垂直剖面，实现了低成本，高精度的光刻工艺。
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公开(公告)号：CN114597303B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210184209.2
申请日：2022-02-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/50 , H01L25/075 , G09F9/33
Abstract: 本发明公开了一种可抑制咖啡环效应的颜色转换层，包括基板、封装盖板和量子点层；基板的上表面设有若干第一凹槽，量子点层包括一一形成于第一凹槽内的量子点单元；封装盖板键合于基板上，具有与第一凹槽配合的盖板单元，盖板单元分布有若干挥发孔，其中中心区域的挥发孔的分布密度大于边缘区域；基板的底部对应第一凹槽中心区域的热导率大于边缘区域。本发明还公开了其制作方法和应用。通过将设计有挥发通道的封装盖板与基板键合和对基板底部受热面的设计，实现了对溶剂挥发速率调控进而抑制咖啡环的目的，使量子点图案形貌更加规则、良好。
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公开(公告)号：CN114597295B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210184267.5
申请日：2022-02-23
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种Mini/Micro LED的芯片结构及制备方法，是通过Ar离子轰击p‑GaN层产生高阻区，ICP刻蚀时的沟槽位于高阻区内，从而使刻蚀后器件的四个侧壁均位于高阻区内；然后再在高阻区上制作宽度大于高阻区宽度的电流阻挡层。本发明从限制电流流向的角度出发，通过改变电流的流向，使其无法或尽量少的流向侧壁缺陷处，从而抑制因侧壁缺陷而产生的非辐射复合的发生。
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公开(公告)号：CN117712263A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410010767.6
申请日：2024-01-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种提升光提取效率的Micro‑LED器件结构及制作方法，其结构的外延层由背面至正面按序包括n‑GaN层、MQW和p‑GaN层，并通过由正面蚀刻至n‑GaN层形成发光台面，第一电流扩展层设于发光台面的p‑GaN层上，p电极和n电极分别设于第一电流扩展层和n‑GaN层上，钝化层、反射层和绝缘层按序覆盖器件结构的正面，p电极和n电极分别通过贯穿钝化层、反射层和绝缘层的键合金属引出；n‑GaN层在发光台面区域通过蚀刻形成若干通孔，第二电流扩展层填充于通孔中。本发明通过减小电流密度差异，提高电子在材料中的迁移率，以改善电流在器件中的分布，降低电流密度，并减缓电流拥挤效应。从而大幅度提升器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117334794A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311270484.7
申请日：2023-09-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微通道与电泳沉积制备量子点色转换层的方法，通过在阵列式排布的透明电极外围设置金属环绕电极和连接电极，并沉积绝缘层，对待沉积区域开口，采用微流道技术，与微通道盖板键合后向微通道通路中通入带电量子点溶液，结合电泳沉积技术，使量子点溶液沉积于待沉积区域的透明电极上形成量子点单元。将制备的量子点色转换层与Micro‑LED芯片阵列键合实现全彩化显示。本发明通过金属电极环绕透明电极的设计，并结合了微流道技术和电泳沉积技术，实现具有像素尺寸小、高PPI、高发光均匀性、沉积速度快、原材料利用率高、有利于大面积的量子点色转换层制备，从而推动全彩Micro‑LED的产业化。
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公开(公告)号：CN115882947A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211265790.7
申请日：2022-10-17
Applicant: 厦门大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/50 , H04B10/079 , H04B3/54 , H04B3/46
Abstract: 本发明公开了一种基于电力线载波电路的可见光通信装置及其通信方法，该装置包括：以太网接口电路、电力线载波电路、切换开关、信号衰减电路、光源驱动电路、光源、雪崩光电二极管、光电转换电路、线性放大电路和功率检测电路。切换开关可在光通信质量不佳时将信号传输方式由可见光通信切换至电力线通信，提高通信系统稳定性；电力线载波电路对信号的调制方式包括OFDM、QPSK、BPSK和ROBO等，相较采用OOK调制的传统可见光通信系统，通信速率喝稳定性有明显改善；功率检测电路、信号衰减电路和光源驱动电路的配合，能有效控制发射信号的功率，使信号完成无失真发射；此外，电力线可替换为导线、双绞线等，进一步提高抗干扰能力、移动性。
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公开(公告)号：CN115663094A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211258999.0
申请日：2022-10-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种粗糙表面量子点图案沉积方法，是对色转换层基板的表面进行研磨抛光处理后利用光刻胶掩膜在预沉积量子点溶液的区域进行粗糙化处理，以增加量子点预沉积区域的粗糙度，然后通过微流控技术沉积量子点溶液于图形化粗糙区域并吹扫多余量子点溶液，再形成色转换层图案之间的遮光层以及表面沉积保护层。本发明可减少激发光在折射率不同的两种材料表面发生全反射，增强色转换层中量子点溶液对激发光源的吸收，有利于提高激发光源的光提取效率，降低能耗；并可进一步提高量子点光转化效率，提高光的品质，使得全彩化显示光亮度更好，适合于更大规模的全彩化显示应用。
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公开(公告)号：CN114597295A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210184267.5
申请日：2022-02-23
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种Mini/Micro LED的芯片结构及制备方法，是通过Ar离子轰击p‑GaN层产生高阻区，ICP刻蚀时的沟槽位于高阻区内，从而使刻蚀后器件的四个侧壁均位于高阻区内；然后再在高阻区上制作宽度大于高阻区宽度的电流阻挡层。本发明从限制电流流向的角度出发，通过改变电流的流向，使其无法或尽量少的流向侧壁缺陷处，从而抑制因侧壁缺陷而产生的非辐射复合的发生。
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公开(公告)号：CN119866121A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510006423.2
申请日：2025-01-03
Applicant: 厦门大学
IPC: H10H29/24 , H10H20/851 , H10H20/858 , H10H20/853 , H10H29/01
Abstract: 一种具有冷却系统的Micro‑LED全彩显示器件及其制备方法，包括衬底以及设于衬底另一侧的冷却通道，从而将冷却通道集成于衬底，通过向冷却通道内通入冷却液，使用冷却液吸收并带走芯片热量，降低器件温度，防止过热；同时，衬底的另一侧设有若干Micro‑LED芯片，并在Micro‑LED芯片表面填充量子点材料，基于颜色转换层技术实现全彩显示效果，该方案显著提升了散热效率，实现了高效且可控的热管理，并将显示和散热功能高度集成，优化了空间利用率，减少了额外散热元件需求，降低了系统成本和制造复杂度，适合小型化和高集成度的应用场景。
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