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公开(公告)号：CN105765700B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201480064677.X
申请日：2014-11-27
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J7/24 , C09J127/12 , C09J183/10 , C09J201/00
CPC classification number: C09J183/10 , C08G77/442 , C09J7/20 , C09J11/08 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , C09J2427/00 , C09J2433/00 , C09J2483/00 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68386
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用粘合带，其具备于支撑构件的物理/机械性剥离时所需的牢固粘合性，且即使将用以洗涤将支撑构件贴合于半导体晶片上的粘合剂残渣的洗涤液施加于粘合剂时，亦不使粘合剂溶解而污染半导体组件，且能使隐形切割(stealth dicing)所需的激光透过，将激光光入射于半导体晶片而形成改性层，可使半导体晶片单片化成半导体芯片。本发明的半导体加工用粘合带是在基材树脂薄膜的至少一面上形成辐射线固化性的粘合剂层的半导体加工用粘合带，前述粘合剂层在辐射线照射前对甲基异丁基酮的接触角为25.1°～60°，自前述基材树脂薄膜侧入射的波长1064nm的光线的平行光线透过率为88％以上且小于100％。
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公开(公告)号：CN104081500A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201380007115.7
申请日：2013-09-20
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J201/00
CPC classification number: C09J5/00 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , C09J2415/00 , C09J2433/00
Abstract: 本发明提供一种放射线固化型切割用粘合带，其即使对设置有贯通电极的半导体芯片等也能在拾取工序时容易地进行拾取而不会产生残胶。本发明的放射线固化型切割用粘合带(1)，其特征在于，其是在基材片(2)上设置有放射线固化型粘合剂层(3)的放射线固化型粘合带(1)，其在放射线固化后的杨氏模量相对于其在放射线固化前的杨氏模量的比即放射线固化后的杨氏模量/放射线固化前的杨氏模量为1.0～1.8。
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公开(公告)号：CN103460348A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280017728.4
申请日：2012-12-26
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J4/00 , C09J7/02 , C09J133/00 , C09J161/28 , C09J163/00 , C09J175/04 , C09J201/02 , H01L21/304 , H01L21/52
CPC classification number: C09J4/00 , C08G18/6229 , C08G18/6705 , C08G18/8029 , C08G18/8116 , C08L75/00 , C09J7/385 , C09J133/14 , C09J161/28 , C09J175/14 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , C08F2220/1858 , C08F220/20 , C08F220/06 , C08F2220/1883 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种晶片加工用胶带，其不因扩张而在粘接剂层与粘合剂层界面产生偏移，具有适于切断粘接剂层的工序的均一扩张性，且拾取性优异。在本发明中，使用晶片加工用胶带，该晶片加工用胶带的特征在于，由基材薄膜、形成在上述基材薄膜上的粘合剂层、及形成在上述粘合剂层上的粘接剂层构成，上述粘合剂层与上述粘接剂层在25℃下的剪切力为0.2N/mm2以上，在200mJ/cm2的能量线照射后依据JIS-Z0237的标准状态下的剥离速度为300mm/min、剥离角度为180°时的上述粘合剂层与上述粘接剂层的剥离力为0.3N/25mm以下。
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公开(公告)号：CN103026467A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180005938.7
申请日：2011-12-08
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J133/20 , C09J201/00
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/385 , C09J2203/326 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377
Abstract: 本发明涉及晶片加工用带，其为依序层积有支持基材、粘合剂层与单层的接合剂层的晶片加工用带，其中，所述接合剂层为用于将半导体元件与带配线的外部连接用配线部件或其他半导体元件压接的接合剂层，所述接合剂层的从粘合剂层剥离开的面和不与粘合剂层接触的面的表面自由能之差为10mJ/m2以下。
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公开(公告)号：CN102373016A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110036207.0
申请日：2011-02-11
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种晶圆加工用胶带。本发明的课题是在将剥离膜从晶圆加工用胶带剥离时，抑制接合剂层从粘接带剥离。作为解决手段，在该晶圆加工用胶带中，剥离膜(2)沿长度方向被卷绕成卷筒状，在平面视中，接合剂层(3)具有主要部(3a)和与主要部(3a)连接的至少一个突出部(3b)，突出部(3b)中的至少一个的突出长度d为4mm以上，突出部(3b)的末端角度θ为80°以上且不足120°，突出部(3b)的末端的曲率半径r不足4mm，突出部(3b)的末端与粘接带(4)的外缘之间的距离l为5mm以上，突出部(3b)形成于接合剂层(3)中的剥离膜(2)的剥下方向的上游侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102337089A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110188172.2
申请日：2011-07-06
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J163/00 , C08L23/08 , H01L21/683 , H01L21/58
Abstract: 本发明提供能够充分抑制拾取时半导体芯片彼此的再粘连的晶片加工用胶带以及使用该晶片加工用胶带的半导体加工方法。本发明的晶片加工用胶带为在作为由支持基材12a和粘合剂层12b构成的粘合带的切割带12的该粘合剂层12b上层积了含有具有环氧基的化合物的热固性接合剂层13的作为晶片加工用胶带的切割芯片粘贴带10，该晶片加工用胶带的特征在于：支持基材12a由将乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物用金属离子交联而成的离聚物树脂构成；共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量份分数为1％以上且不足10％，并且离聚物树脂中的(甲基)丙烯酸的中和度为50％以上。
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公开(公告)号：CN101138075A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200680008106.X
申请日：2006-03-28
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J4/02 , C09J7/02
CPC classification number: H01L21/67132 , C09J4/00 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J7/385 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , Y10T428/28 , Y10T428/2891
Abstract: 本发明涉及一种在基材薄膜上设置了粘合剂层的晶片切割用胶粘带，包含2层以上的该粘合剂层，构成任一粘合剂层的树脂组合物都含有可辐射聚合的化合物，同时，构成粘合剂层中最外层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量和构成内侧粘合剂层的树脂组合物所含有的可辐射聚合的化合物的含量不同，并达到使施加在基材薄膜上的应力被充分传递到放射线照射后的最外层以充分剥离该层和芯片的程度，本发明还提供使用该晶片切割用胶粘带的芯片的制造方法。
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公开(公告)号：CN105684131B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201480057866.4
申请日：2014-03-03
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/22 , C09J7/38 , C09J133/00
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用粘合带，其在使用支撑构件的半导体元件制造工序中，即使在用于清洗将支撑构件贴合于半导体晶片的粘接剂的残渣的清洗液淋到粘合剂的情况下，粘合剂亦不会溶解并污染半导体元件，且具备支撑构件的物理性、机械性剥离时所需的牢固的粘接性。本发明的半导体加工用粘合带为于基材树脂薄膜的至少一个面上形成有辐射线固化性的粘合剂层的半导体加工用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层的紫外线照射前的凝胶百分数为65％以上且100％以下，且所述粘合剂层的紫外线照射前的探针粘性试验(probe tack test)的峰值为100～600kPa。
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公开(公告)号：CN104756235B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380054399.5
申请日：2013-10-15
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J131/04 , C09J133/00
CPC classification number: C09J133/08 , C08K5/12 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J131/04 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2433/00
Abstract: 本发明提供一种切割胶带，其在切割工序后的拾取工序中，不会使薄型的半导体芯片产生芯片破裂，且可在短时间内效率良好地拾取。本发明的切割胶带(1)的粘合剂层，相对于选自丙烯酸聚合物、乙酸乙烯酯聚合物及具有碳‑碳双键的丙烯酸系聚合物中的1种或2种以上的聚合物100质量份，含0.5～30质量份的邻苯二甲酸酯类，且剥离力在放射线固化前为0.5N/25mm以上，放射线固化后为0.05～0.4N/25mm，在将放射线固化后的在剥离速度50mm/min下的剥离力设为(i)、且将1000mm/min下的剥离力设为(ii)时，(ii)/(i)为1以下。
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公开(公告)号：CN103460348B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280017728.4
申请日：2012-12-26
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J4/00 , C09J7/02 , C09J133/00 , C09J161/28 , C09J163/00 , C09J175/04 , C09J201/02 , H01L21/304 , H01L21/52
CPC classification number: C09J4/00 , C08G18/6229 , C08G18/6705 , C08G18/8029 , C08G18/8116 , C08L75/00 , C09J7/385 , C09J133/14 , C09J161/28 , C09J175/14 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , C08F2220/1858 , C08F220/20 , C08F220/06 , C08F2220/1883 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种晶片加工用胶带，其不因扩张而在粘接剂层与粘合剂层界面产生偏移，具有适于切断粘接剂层的工序的均一扩张性，且拾取性优异。在本发明中，使用晶片加工用胶带，该晶片加工用胶带的特征在于，由基材薄膜、形成在上述基材薄膜上的粘合剂层、及形成在上述粘合剂层上的粘接剂层构成，上述粘合剂层与上述粘接剂层在25℃下的剪切力为0.2N/mm2以上，在200mJ/cm2的能量线照射后依据JIS?Z0237的标准状态下的剥离速度为300mm/min、剥离角度为180°时的上述粘合剂层与上述粘接剂层的剥离力为0.3N/25mm以下。
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