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公开(公告)号：CN110779957A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910699279.X
申请日：2019-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明可提供一种具有纳米线加热器的传感器的方法。传感器可在包括背面层和内埋氧化物(BOX)层的绝缘层上硅(SOI)晶片的器件层中图案化，且纳米线加热器可在邻近传感器的绝缘层上硅晶片的器件层中图案化。接下来，可形成用于绝缘层上硅晶片的金属布线，且可在绝缘层上硅晶片的金属布线侧上设置接合载体晶片。然后可研磨背面层，直到内埋氧化物层暴露。器件层可通过内埋氧化物层图案化以暴露传感器和纳米线加热器。介电质可沉积以覆盖以下中的至少一个：传感器；和纳米线加热器。
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公开(公告)号：CN105967138B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201510446511.0
申请日：2015-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B7/02 , B81B2201/0214 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2207/096 , B81C2203/0109 , G01K13/00 , G01L9/0073 , G01L19/0092 , G01N27/221 , G01N2027/222
Abstract: 本发明实施例涉及一种单片MEMS(微电子机械系统)平台和相关的形成方法，单片MEMS平台包括温度传感器、压力传感器和气体传感器。在一些实施例中，MEMS平台包括：具有一个或多个晶体管器件和温度传感器的半导体衬底。介电层设置在半导体衬底上方。腔设置在介电层的上表面内。MEMS衬底布置在介电层的上表面上并且具有第一部分和第二部分。压力传感器具有通过腔与第二压力传感器电极垂直地分离的第一压力传感器电极，第二压力传感器电极位于MEMS衬底的第一部分内。气体传感器包括设置在第一气体传感器电极和第二气体传感器电极之间的聚合物，第一气体传感器电极位于MEMS衬底的第二部分内。本发明实施例涉及用于集成压力、温度和气体传感器的单片微电子机械系统平台。
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公开(公告)号：CN103359682B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210279330.X
申请日：2012-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00349 , B81B2201/042 , B81C1/00111 , B81C1/00206 , B81C1/00214 , B82Y20/00 , G01N27/44791
Abstract: 本发明涉及一种形成MEMS纳米结构的方法，该方法包括：将部分衬底凹进，从而在该衬底内形成多个台面。多个台面中的每个台面均具有顶面和侧壁面。在该衬底之上方沉积反光层，从而覆盖每个台面的顶面和侧壁面。在反光层之上形成保护层。在保护层之上形成ARC层。光刻胶层中的开口形成在每个台面上的ARC层之上。通过该开口去除部分ARC层、保护层和反光层，从而暴露出每个台面的顶面。去除每个台面的顶面之上的光刻胶层和ARC层。本发明还提供了一种MEMS纳米结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN105967138A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201510446511.0
申请日：2015-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B7/02 , B81B2201/0214 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2207/096 , B81C2203/0109 , G01K13/00 , G01L9/0073 , G01L19/0092 , G01N27/221 , G01N2027/222
Abstract: 本发明实施例涉及一种单片MEMS(微电子机械系统)平台和相关的形成方法，单片MEMS平台包括温度传感器、压力传感器和气体传感器。在一些实施例中，MEMS平台包括：具有一个或多个晶体管器件和温度传感器的半导体衬底。介电层设置在半导体衬底上方。腔设置在介电层的上表面内。MEMS衬底布置在介电层的上表面上并且具有第一部分和第二部分。压力传感器具有通过腔与第二压力传感器电极垂直地分离的第一压力传感器电极，第二压力传感器电极位于MEMS衬底的第一部分内。气体传感器包括设置在第一气体传感器电极和第二气体传感器电极之间的聚合物，第一气体传感器电极位于MEMS衬底的第二部分内。本发明实施例涉及用于集成压力、温度和气体传感器的单片微电子机械系统平台。
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公开(公告)号：CN104048919B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310364764.4
申请日：2013-08-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N21/17
CPC classification number: C12Q1/6869 , B01F13/0071 , B01F13/0076 , B01L3/502707 , B01L3/502792 , B01L2300/0654 , B01L2300/0819 , B01L2300/0867 , B01L2300/089 , B01L2300/165 , B01L2300/168 , B01L2400/0427 , G01N21/05 , G01N21/6428 , G01N27/44721 , G01N27/44791 , G01N2021/0325 , G01N2021/058 , G01N2021/6482 , G01N2201/08 , G02B6/122
Abstract: 本发明涉及用于生物实体的光学检测。本公开描述了用于操作和处理生物实体样本的集成半导体器件和方法。器件包括下衬底、至少一个设置在下衬底上的光信号导管、至少一个设置在下衬底上的保护接合焊盘、配置以形成保护区域的保护件（设置在至少一个保护接合焊盘上）、微流体通道（其中微流体通道的第一侧在下衬底上形成且微流体通道的第二侧在保护件上形成）、与传感器控制电路相连的光传感器阵列、以及与流体控制电路、和传感器控制电路相连的逻辑电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113270391A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110129817.9
申请日：2021-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/50 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , G01N27/27 , G01N27/414
Abstract: 生物传感器系统封装件，包括：晶体管结构，位于具有前侧和背侧的半导体层中，晶体管结构包括沟道区域；埋氧(BOX)层，位于半导体层的背侧上，其中，埋氧层具有位于沟道区域的背侧上的开口，并且界面层覆盖沟道区域上方的背侧；多层互连(MLI)结构，位于半导体层的前侧上，晶体管结构电连接至MLI结构；以及覆盖结构，附接至埋氧层，覆盖结构包括微针。本申请的实施例还涉及制造生物传感器系统封装件的方法。
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公开(公告)号：CN105967137B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201510450702.4
申请日：2015-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及具有应力吸收盖衬底的晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)。盖衬底通过布置在盖衬底的上表面上的接合环和接合焊盘接合至管芯。衬底通孔(TSV)从接合焊盘延伸穿过盖衬底至盖衬底的下表面。此外，上表面中的凹槽在接合焊盘周围延伸和沿着接合环的侧壁延伸。该凹槽吸收诱导应力，从而缓解管芯中的任何器件偏移。本发明的实施例还涉及为晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)应用缓解焊接偏移的结构和方法。
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公开(公告)号：CN102452636B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201110283910.1
申请日：2011-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/0038
Abstract: 提供一种包括透明衬底的器件。不透明层被设置在透明衬底上。导电层被设置在不透明层上。不透明层和导电层形成处理层，该处理层可用于在制造工艺中检测和/或校准透明晶圆。在实施例中，导电层含有高掺杂硅层。在实施例中，不透明层含有金属。在实施例中，该器件可包括MEM器件。本发明还提供一种用于透明衬底的处理层。
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公开(公告)号：CN103382016A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310138552.4
申请日：2013-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 采用集成封装件的BioMEMS和平面光电路。公开了一种BioMEMS微机电装置及其制造方法。提供衬底，在该衬底上形成至少一个信号管道。可以在信号管道上沉积由牺牲材料构成的牺牲层并且可选地对该牺牲层进行图案化以从封装覆盖区域外部去除牺牲材料。可以在信号管道的至少一部分上以及牺牲层(若包括的话)上沉积接合层。可以对接合层进行平坦化和图案化以形成一个或多个覆盖件接合垫并且限定封装覆盖区域。可以将覆盖件接合在覆盖件接合垫上以限定覆盖区域，从而使得信号管道从覆盖区域外部延伸至覆盖区域内部。此外，可以在覆盖区域内提供诸如流体的测试材料。
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公开(公告)号：CN102452636A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110283910.1
申请日：2011-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/0038
Abstract: 提供一种包括透明衬底的器件。不透明层被设置在透明衬底上。导电层被设置在不透明层上。不透明层和导电层形成处理层，该处理层可用于在制造工艺中检测和/或校准透明晶圆。在实施例中，导电层含有高掺杂硅层。在实施例中，不透明层含有金属。在实施例中，该器件可包括MEM器件。本发明还提供一种用于透明衬底的处理层。
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