公开(公告)号：CN109755176B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN201810272577.6

申请日：2018-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志成 ,  程世伟 ,  张澐 ,  蒋振劼 ,  郑宗期

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含在介电层上方形成第一遮罩层，第一遮罩层具有沟槽，沟槽具有内壁和底表面。此方法包含在第一沟槽中形成第二遮罩层。此方法包含移除覆盖底表面的第二遮罩层，以在第二遮罩层中形成第二沟槽，第二沟槽暴露出底表面且在介电层的第一部分上方，留下的第二遮罩层覆盖内壁。此方法包含移除第一部分、第一遮罩层和第二遮罩层，以在介电层中形成第三沟槽。此方法包含在第三沟槽中形成导电结构。

公开(公告)号：CN109755176A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201810272577.6

申请日：2018-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志成 ,  程世伟 ,  张澐 ,  蒋振劼 ,  郑宗期

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含在介电层上方形成第一掩模层，第一掩模层具有沟槽，沟槽具有内壁和底表面。此方法包含在第一沟槽中形成第二掩模层。此方法包含移除覆盖底表面的第二掩模层，以在第二掩模层中形成第二沟槽，第二沟槽暴露出底表面且在介电层的第一部分上方，留下的第二掩模层覆盖内壁。此方法包含移除第一部分、第一掩模层和第二掩模层，以在介电层中形成第三沟槽。此方法包含在第三沟槽中形成导电结构。

公开(公告)号：CN106938837A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201610903062.2

申请日：2016-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程世伟 ,  翁睿均 ,  许希丞 ,  王志佑 ,  蒋季宏 ,  吴威鼎 ,  陈信宇

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/09 ,  B81C1/00293 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/037 ,  B81C2203/038 ,  B81C2203/0735 ,  H01L28/20 ,  B81B7/0035 ,  B81C1/00277

Abstract: 本发明涉及微电子机械系统(MEMS)封装件及其形成方法，该MEMS封装件具有配置为通过向室中引入排气调整密封室内的压力的加热元件。在一些实施例中，MEMS封装件具有CMOS衬底，该CMOS衬底具有布置在半导体主体内的一个或多个半导体器件。MEMS结构连接至CMOS衬底并且具有微电子机械(MEMS)器件。CMOS衬底和MEMS结构形成了邻接MEMS器件的密封室。加热元件电连接至一个或多个半导体器件并且通过沿着密封室的内表面布置的排气层与密封室分隔开。在形成加热元件之后，通过操作加热元件引起排气层释放气体，可以调整密封室的压力。

公开(公告)号：CN106145024A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510783708.3

申请日：2015-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 程世伟 ,  吕超波 ,  洪忠贤 ,  陈志山 ,  柯全益 ,  王志佑 ,  许希丞 ,  蒋季宏 ,  翁睿均 ,  吴威鼎

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B3/0005 ,  B81B3/001 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00984 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/0785 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16235

Abstract: 本发明涉及一种具有抗粘滞层的微机电系统(MEMS)封装件及相关形成方法。在一些实施例中，MEMS封装件包括器件衬底和CMOS衬底。器件衬底包括具有可移动的或灵活的部分的MEMS器件，该可移动的或灵活的部分相对于器件衬底是可移动的或灵活的。可移动的或灵活的部分的表面涂覆有由多晶硅制成的共形抗粘滞层。本发明也提供了一种用于制造MEMS封装件的方法。本发明实施例涉及运动微机电系统(MEMS)封装件。

公开(公告)号：CN104037225A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310233806.0

申请日：2013-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林炫政 ,  程世伟 ,  朱则荣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/1083 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供了一种金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），包括：衬底、衬底中的源极和漏极、在源极和漏极之间设置在衬底上方的栅电极以及设置在衬底和栅电极之间的栅极介电层。至少一部分的栅极介电层朝向源极和漏极中的至少一个延伸超过栅电极。本发明还提供了具有延伸的栅极介电层的金属氧化物半导体场效应晶体管。