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公开(公告)号：CN101911257A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200980101581.5
申请日：2009-01-08
Applicant: 日矿金属株式会社
IPC: H01L21/288 , C25D5/10 , C25D7/12 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/53238 , C23C28/021 , C23C28/023 , C25D3/38 , C25D3/50 , C25D5/10 , H01L21/2885 , H01L21/76846 , H01L21/76873 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供具有尤其是通孔和沟槽内侧壁的可达范围充分，与表面部的膜厚也均匀，并且杂质浓度少的种子层的ULSI微细配线构件。另外本发明的目的是还提供利用该种子层并通过接下来的电镀铜来形成没有空隙发生的微细配线的ULSI微细配线构件、其形成方法和形成有该ULSI微细配线的半导体晶片。本发明的ULSI微细配线构件具有基材和在基材上形成的ULSI微细配线，该ULSI微细配线具有在基材上形成的阻挡层和在该阻挡层上形成的钌电镀层。本发明提供将该钌层作为种子层形成了铜电镀层的ULSI微细配线构件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN101889333A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119763.0
申请日：2008-11-26
Applicant: 日矿金属株式会社
IPC: H01L21/3205 , C23C18/16 , C23C18/18 , C23C18/40 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/288 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/288 , C23C14/0036 , C23C14/165 , C23C18/1601 , C23C18/1637 , C23C18/165 , C23C18/1653 , C23C18/40 , C23C18/54 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76874 , H01L23/53238 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高温加热时的阻挡性优异，带有具有阻挡能力和催化能力的防止铜扩散用阻挡膜的基板、和其制造方法。本发明提供了一种基板，其特征在于，在基材上具有防止铜扩散用阻挡膜，所述防止铜扩散用阻挡膜含有：选自钨、钼和铌中的一种以上金属元素，对铂、金、银、钯等的化学镀具有催化能力的金属元素，以及以所述选自钨、钼和铌中的一种以上金属元素的氮化物的形式被含有的氮。所述防止铜扩散用阻挡膜是通过使用含有选自钨、钼和铌中的一种以上金属元素和选自上述对化学镀具有催化能力的金属元素中的一种以上金属元素的靶源，在氮气氛围中溅射，从而制造的。
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公开(公告)号：CN101889332A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119753.7
申请日：2008-11-26
Applicant: 日矿金属株式会社
IPC: H01L21/3205 , C23C18/16 , C23C18/18 , C23C18/40 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/288 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/2855 , C23C18/1637 , C23C18/165 , C23C18/1653 , C23C18/40 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76874 , H01L23/53238 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高温加热时的阻挡性优异，带有具有阻挡能力和催化能力的防止铜扩散用阻挡膜的基板、和其制造方法。本发明提供了一种基板，其特征在于，在基材上具有防止铜扩散用阻挡膜，所述防止铜扩散用阻挡膜含有：选自钨、钼和铌中的一种以上金属元素，对钌、铑和铱等的化学镀具有催化能力的金属元素，以及以所述选自钨、钼和铌中的一种以上金属元素的氮化物的形式被含有的氮。所述防止铜扩散用阻挡膜是通过使用含有选自钨、钼和铌中的一种以上金属元素和选自上述对化学镀具有催化能力的金属元素中的一种以上金属元素的靶源，在氮气氛围中溅射，从而制造的。
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公开(公告)号：CN101133187B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200680007030.9
申请日：2006-02-27
Applicant: 日矿金属株式会社
IPC: C23C18/20
CPC classification number: C23C18/2066 , C23C18/30 , C23C18/31 , C23C18/40 , H05K3/181 , H05K3/389 , H05K3/4661 , Y10T428/31511 , Y10T428/31522 , Y10T428/31529 , Y10T428/31663 , Y10T428/31678 , Y10T428/31721
Abstract: 本发明提供一种可适于作为基板材料的一般树脂基材的，可以提高该基材与金属镀层的密合强度的技术，也就是说，提供一种与金属镀层的密合强度提高了的一般的树脂基材。本发明是：使用含有咪唑硅烷、和具有无电镀的催化作用的钯等贵金属化合物的溶液，处理对该溶液具有溶胀性的表面，从而得到的环氧树脂等树脂基材，以及在该树脂基材上实施了无电镀的电子部件基材。
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公开(公告)号：CN100510174C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200480016027.4
申请日：2004-03-31
Applicant: 日矿金属株式会社
IPC: C23C18/44
Abstract: 本发明的目的在于提供一种化学镀金液，其可以得到表面没有孔腐蚀的镀金被膜，在焊接时可以确保足够的焊接强度。本发明提供一种化学镀金液，其特征在于，含有水溶性金化合物、下述通式所示的羟基烷基磺酸或其盐作为还原剂、和胺化合物，(上式中，R表示氢、羧基、或可以有取代基的苯基、萘基、饱和或不饱和的烷基、乙酰基、丙酮基、吡啶基和呋喃基中的任一种，X表示氢、Na、K和NH4中的任一种，n是0～4的整数)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1287936C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN03821192.0
申请日：2003-09-01
Applicant: 日矿金属株式会社
IPC: B22F3/12
CPC classification number: C22C33/0264 , B22F3/1007 , B22F2999/00 , B32B15/013 , C22C33/02 , Y10T428/12014 , Y10T428/12479 , Y10T428/12951 , Y10T428/12993 , B22F2201/40
Abstract: 本发明涉及一种铁系烧结体，在铁系烧结体的表面具有含有0.01～5at%铟的层，具有防锈功能，或者烧结体整体上含有0.01～5at%铟，具有防锈功能，通过在铟蒸气或者含有铟的气体氛围中进行烧结，制造以铁为主要成分的铁系烧结体。其目的在于，几乎不改变以往的工序，而得到一种可以简单地提高防锈效果的铁系烧结体及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101889333B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200880119763.0
申请日：2008-11-26
Applicant: 日矿金属株式会社
IPC: H01L21/3205 , C23C18/16 , C23C18/18 , C23C18/40 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/288 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/288 , C23C14/0036 , C23C14/165 , C23C18/1601 , C23C18/1637 , C23C18/165 , C23C18/1653 , C23C18/40 , C23C18/54 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76874 , H01L23/53238 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高温加热时的阻挡性优异，带有具有阻挡能力和催化能力的防止铜扩散用阻挡膜的基板、和其制造方法。本发明提供了一种基板，其特征在于，在基材上具有防止铜扩散用阻挡膜，所述防止铜扩散用阻挡膜含有：选自钨、钼和铌中的一种以上金属元素，对铂、金、银、钯等的化学镀具有催化能力的金属元素，以及以所述选自钨、钼和铌中的一种以上金属元素的氮化物的形式被含有的氮。所述防止铜扩散用阻挡膜是通过使用含有选自钨、钼和铌中的一种以上金属元素和选自上述对化学镀具有催化能力的金属元素中的一种以上金属元素的靶源，在氮气氛围中溅射，从而制造的。
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公开(公告)号：CN101911264B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200980101582.X
申请日：2009-02-19
Applicant: 日矿金属株式会社
IPC: H01L21/3205 , C23C14/14 , C25D7/12 , H01L21/285 , H01L21/288 , H01L23/52
CPC classification number: C23C14/185 , C25D7/123 , H01L21/2855 , H01L21/2885 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供采用更简易的方法形成ULSI微细铜配线的技术。一种电子构件，是在基材上形成有作为ULSI微细铜配线的阻挡层兼种子层使用的钨与贵金属的合金薄膜的电子构件，该合金薄膜的组成是钨为60原子％以上、贵金属为5原子％～40原子％。作为所述贵金属，优选是选自铂、金、银、钯中的1种或2种以上的金属。
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公开(公告)号：CN101889332B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200880119753.7
申请日：2008-11-26
Applicant: 日矿金属株式会社
IPC: H01L21/3205 , C23C18/16 , C23C18/18 , C23C18/40 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/288 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/2855 , C23C18/1637 , C23C18/165 , C23C18/1653 , C23C18/40 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76874 , H01L23/53238 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高温加热时的阻挡性优异，带有具有阻挡能力和催化能力的防止铜扩散用阻挡膜的基板、和其制造方法。本发明提供了一种基板，其特征在于，在基材上具有防止铜扩散用阻挡膜，所述防止铜扩散用阻挡膜含有：选自钨、钼和铌中的一种以上金属元素，对钌、铑和铱等的化学镀具有催化能力的金属元素，以及以所述选自钨、钼和铌中的一种以上金属元素的氮化物的形式被含有的氮。所述防止铜扩散用阻挡膜是通过使用含有选自钨、钼和铌中的一种以上金属元素和选自上述对化学镀具有催化能力的金属元素中的一种以上金属元素的靶源，在氮气氛围中溅射，从而制造的。
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公开(公告)号：CN101911257B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200980101581.5
申请日：2009-01-08
Applicant: 日矿金属株式会社
IPC: H01L21/288 , C25D5/10 , C25D7/12 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/53238 , C23C28/021 , C23C28/023 , C25D3/38 , C25D3/50 , C25D5/10 , H01L21/2885 , H01L21/76846 , H01L21/76873 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供具有尤其是通孔和沟槽内侧壁的可达范围充分，与表面部的膜厚也均匀，并且杂质浓度少的种子层的ULSI微细配线构件。另外本发明的目的是还提供利用该种子层并通过接下来的电镀铜来形成没有空隙发生的微细配线的ULSI微细配线构件、其形成方法和形成有该ULSI微细配线的半导体晶片。本发明的ULSI微细配线构件具有基材和在基材上形成的ULSI微细配线，该ULSI微细配线具有在基材上形成的阻挡层和在该阻挡层上形成的钌电镀层。本发明提供将该钌层作为种子层形成了铜电镀层的ULSI微细配线构件及其形成方法。
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