公开(公告)号：CN101578394B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200880001381.8

申请日：2008-07-18

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 矢部淳司 ,  伊藤顺一 ,  日角义幸 ,  关口淳之辅 ,  伊森彻

IPC: C23C18/18 ,  C23C14/38 ,  C23C14/42 ,  C23C28/02 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C14/165 ,  C23C14/584 ,  C23C18/31 ,  C23C18/54 ,  C25D5/02 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12639 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/12826 ,  Y10T428/1284 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/12986 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种镀敷物以及该镀敷物的制造方法。所述镀敷物是能够通过无电镀而形成超微细配线的、具有以薄且均匀的膜厚形成的籽晶层的镀敷物，而且，在形成籽晶层前能够消除形成阻挡层和催化剂金属层这二层的烦杂。本发明的镀敷物，是在基材上形成具有无电镀的催化活性的金属(A)与能够与无电镀液中含有的金属离子置换镀敷的金属(B)的合金薄膜，并在该合金薄膜上通过无电解置换和还原镀而形成了金属薄膜的镀敷物，该具有催化活性的金属(A)与该能够置换镀敷的金属(B)的合金薄膜，是使该金属(A)为5原子％～40原子％的组成，该通过无电解置换和还原镀而形成的金属薄膜是厚度为10nm以下、电阻率为10μΩ·cm以下的金属薄膜。优选所述金属(B)对金属薄膜的金属具有阻挡功能。

公开(公告)号：CN101035929B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200580033752.7

申请日：2005-12-16

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 伊森彻 ,  槌谷与志明

IPC: C25D3/32 ,  C25D3/60

CPC classification number: C25D3/32 ,  C25D3/60

Abstract: 本发明的课题在于提供一种锡和锡合金的电镀液，其可以改良电镀锡和电镀锡合金的钎料润湿性，提高钎焊后的可依赖性，另外，可提高镀敷速度及镀敷后的外观。本发明通过提供下述锡和锡合金的电镀液而解决了上述课题，即，一种锡和锡合金的电镀液，其含有1种或2种以上的在1分子中具有咪唑基和羟基的化合物。作为上述化合物，优选下式(1)所示的咪唑醇化合物。在通式(1)中，R1、R2、R3分别表示为氢、乙烯基和碳原子数为1～20的烷基，R2与R3可以形成芳香环，R4为氢、乙烯基、碳原子数为1～20的烷基、苯基或-(CH2CH(R5)O)kH、R5为氢、碳原子数为1～20的烷基，X为氢、碳原子数为1～6的烷基或者可以含N、O的取代基，m为0～20的整数，n、1为1～3的整数，k为1～20的整数。

公开(公告)号：CN1867697B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200480030616.8

申请日：2004-09-17

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 矢部淳司 ,  关口淳之辅 ,  伊森彻 ,  藤平善久

IPC: C23C18/40 ,  C23C18/31

CPC classification number: C23C18/405 ,  H01L21/288

Abstract: 一种无电镀铜溶液，其特征在于与第一还原剂一起使用作为第二还原剂的次磷酸或次磷酸盐，并同时使用抑制铜沉积的稳定剂。第一还原剂包括福尔马林和二羟乙酸，次磷酸盐包括次磷酸钠、次磷酸钾和次磷酸铵。抑制铜沉积的稳定剂包括2，2’-联吡啶、咪唑、烟酸、硫脲、2-巯基苯并噻唑、氰化钠或巯基乙酸。在较难发生镀敷反应的镜面(例如半导体晶片等)上无电镀铜时，该无电镀铜溶液可以在降低的温度下上实现均匀镀敷。

公开(公告)号：CN101578394A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200880001381.8

申请日：2008-07-18

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 矢部淳司 ,  伊藤顺一 ,  日角义幸 ,  关口淳之辅 ,  伊森彻

IPC: C23C18/18 ,  C23C14/38 ,  C23C14/42 ,  C23C28/02 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C14/165 ,  C23C14/584 ,  C23C18/31 ,  C23C18/54 ,  C25D5/02 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12639 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/12826 ,  Y10T428/1284 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/12986 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种镀敷物以及该镀敷物的制造方法。所述镀敷物是能够通过无电镀而形成超微细配线的、具有以薄且均匀的膜厚形成的籽晶层的镀敷物，而且，在形成籽晶层前能够消除形成阻挡层和催化剂金属层这二层的烦杂。本发明的镀敷物，是在基材上形成具有无电镀的催化活性的金属(A)与能够与无电镀液中含有的金属离子置换镀敷的金属(B)的合金薄膜，并在该合金薄膜上通过无电解置换和还原镀而形成了金属薄膜的镀敷物，该具有催化活性的金属(A)与该能够置换镀敷的金属(B)的合金薄膜，是使该金属(A)为5原子％～40原子％的组成，该通过无电解置换和还原镀而形成的金属薄膜是厚度为10nm以下、电阻率为10μΩ·cm以下的金属薄膜。优选所述金属(B)对金属薄膜的金属具有阻挡功能。

公开(公告)号：CN100462480C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200480030629.5

申请日：2004-07-30

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 矢部淳司 ,  关口淳之辅 ,  伊森彻 ,  藤平善久

IPC: C23C18/40

CPC classification number: C23C18/40

Abstract: 适用于改进沉积膜的粘合性并可以在低温下形成均匀沉积物的无电镀铜溶液。该无电镀铜溶液的特征在于其中含有水溶性含氮聚合物。该无电镀铜溶液优选进一步含有二羟乙酸和次膦酸作为还原剂。水溶性含氮聚合物优选为聚丙烯酰胺或聚乙烯亚胺，它们各自优选具有100,000或更高的重均分子量(Mw)和10.0或更低的Mw/Mn。

公开(公告)号：CN1277641C

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN03811595.6

申请日：2003-09-01

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 矢作政隆 ,  伊森彻 ,  中村笃志 ,  成泽靖 ,  增田诚治

IPC: B22F1/00 ,  B22F3/12 ,  C22C33/02

CPC classification number: C22C33/0264 ,  B22F1/0059 ,  B22F1/007 ,  B22F2998/00 ,  C22C33/02 ,  C22C38/002 ,  C22C38/04 ,  C22C38/08 ,  C22C38/10 ,  C22C38/16

Abstract: 提供以铁为主要成分的粉末冶金用金属粉末，其特征在于含有铟皂；或者粉末冶金用金属粉末，其特征在于，在该铟皂的基础上，还含有选自铋皂、镍皂、钴皂、铜皂、锰皂、铝皂的至少1种。本发明的课题是得到采用几乎不改变的现有工序，简单地可以提高其防锈效果粉末冶金用金属粉末用混合粉。

公开(公告)号：CN101578393A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200880001378.6

申请日：2008-07-18

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 矢部淳司 ,  伊藤顺一 ,  日角义幸 ,  关口淳之辅 ,  伊森彻

IPC: C23C18/18 ,  C23C14/34 ,  C23C18/32 ,  C23C18/44 ,  C23C28/02 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C14/165 ,  C23C14/584 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/31 ,  C23C18/54 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12507 ,  Y10T428/12514 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种镀敷物以及该镀敷物的制造方法。所述镀敷物是能够通过无电镀而形成超微细配线的、具有以薄且均匀的膜厚形成的籽晶层的镀敷物，而且，在形成籽晶层前能够消除形成阻挡层和催化剂金属层这二层的烦杂。本发明的镀敷物，是在基材上形成具有无电镀的催化活性的金属(A)与能够与无电镀液中含有的金属离子置换镀敷的金属(B)的合金薄膜，并在该合金薄膜上通过无电解置换和还原镀而形成了金属薄膜的镀敷物，该具有催化活性的金属(A)与该能够置换镀敷的金属(B)的合金薄膜，是使该金属(A)为5原子％～40原子％的组成，该通过无电解置换和还原镀而形成的金属薄膜是厚度为10nm以下、电阻率为10μΩ·cm以下的金属薄膜。优选所述金属(B)对金属薄膜的金属具有阻挡功能。

公开(公告)号：CN100348775C

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN03800172.1

申请日：2003-03-26

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 伊森彻 ,  关口淳之辅 ,  矢部淳司

IPC: C23C18/28 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/76874 ,  C23C18/1844 ,  C23C18/31 ,  H01L21/288 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明的目的是提供在其上形成适用于晶种层的薄、光滑、均匀且粘附性好的无电镀层的半导体晶片，和提供适用于制造此半导体晶片的无电镀敷方法。用具有能捕获金属的官能团的硅烷偶联剂的溶液涂布半导体晶片，再涂以钯化合物如氯化钯等的有机溶剂溶液。然后使所述晶片进行无电镀敷。作为此无电镀敷方法的结果，可获得厚度为70至5000埃且平均表面粗糙度Ra为10至100埃的半导体晶片。

公开(公告)号：CN1973007A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200580020763.1

申请日：2005-06-15

Applicant: 日矿金属株式会社 ,  株式会社普利司通

Inventor： 伊森彻 ,  铃木准 ,  饭田一德

IPC: C09D183/04 ,  C09D5/00 ,  D06M13/513 ,  D06M101/00

CPC classification number: D07B1/0666 ,  C08K5/16 ,  C09D4/00 ,  C09D7/63 ,  C09D183/08 ,  C23C2222/20 ,  C08G77/26

Abstract: 本发明提供一种可以提高金属与橡胶的粘接力的对该金属的表面处理剂。本发明提供一种含有在分子中具有金属捕捉性官能团的硅烷偶联剂和钴等的金属化合物的促进橡胶与金属粘接用的该金属表面处理剂，还提供一种含有在分子中具有捕捉钴等的金属的金属捕捉性官能团的硅烷偶联剂的促进橡胶与金属粘接用的该金属表面处理剂。作为金属捕捉性官能团，优选氨基、酰胺基、唑基。

公开(公告)号：CN101911265B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200980101583.4

申请日：2009-02-19

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 关口淳之辅 ,  伊森彻

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/14 ,  C25D7/12 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/185 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供采用更简易的方法形成ULSI微细铜配线的技术。一种电子构件，是在基材上形成有作为ULSI微细铜配线的阻挡层兼种子层使用的钨与贵金属的合金薄膜的电子构件，该合金薄膜的组成是钨为50原子％以上、贵金属为5原子％～50原子％。作为所述贵金属，优选是选自钌、铑、铱中的1种或2种以上的金属。