公开(公告)号：CN102543893A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010625100.5

申请日：2010-12-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 泽田佳奈子 ,  青木秀夫 ,  小牟田直幸 ,  小木曾浩二

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/60 ,  B23K1/00 ,  B23K1/008

CPC classification number: H01L24/81

Abstract: 一种半导体器件的制造方法。在一个实施方式中，在暂时固定焊料凸点彼此而使具有第一焊料凸点的第一基板和具有第二焊料凸点的第二基板层叠之后配置到炉内。在对炉内排气以形成减压气氛之后，导入羧酸气体。使导入羧酸气体后的炉内温度上升，并且在由羧酸气体对氧化膜的还原温度以上、并且不到焊料凸点的熔融温度的温度区域内，对炉内排气以构成减压气氛。使炉内温度上升到焊料凸点的熔融温度以上的温度区域，并使第一焊料凸点和第二焊料凸点熔融而接合。

公开(公告)号：CN1747154B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200510102579.3

申请日：2005-09-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 原田享 ,  田窪知章 ,  高桥健司 ,  青木秀夫 ,  沼田英夫 ,  金子尚史 ,  江泽弘和 ,  松尾美惠 ,  池上浩 ,  大村一郎

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/00 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/76898

Abstract: 晶片支持板由紫外线可透过的玻璃或树脂形成为大致圆板状，其外径比要支持的半导体晶片的外径大。在晶片支持板上，与在半导体晶片上形成的多个贯通孔相对应地形成有多个开口。这些开口的开口面积比贯通孔的开口面积更宽广，即，开口直径更大。

公开(公告)号：CN1667824A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200510053691.2

申请日：2005-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 青木秀夫 ,  杉崎吉昭 ,  山口直子 ,  田窪知章

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49883 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/563 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/81 ,  H01L24/98 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14156 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81026 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/818 ,  H01L2224/83886 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05599

Abstract: 倘采用本发明的一个形态，则可以提供一种半导体器件，该半导体器件的特征在于具备：具备布线和电极的布线基板；装载到上述布线基板上边，在表面上形成了多个连接电极的半导体元件；以及介于上述布线基板上边的电极与上述半导体元件的连接电极之间，把它们连接起来的金属微粒凝集结合起来的金属层。

公开(公告)号：CN1638602A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410103437.4

申请日：2004-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山口直子 ,  青木秀夫 ,  田窪知章

IPC: H05K1/09 ,  H05K3/12 ,  H01L23/12

CPC classification number: H05K3/246 ,  G03G15/6585 ,  H01L23/49883 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/095 ,  H05K3/1266 ,  H05K3/4664 ,  H05K2201/0212 ,  H05K2201/0347 ,  H05K2203/0517 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49158 ,  Y10T29/4916 ,  Y10T428/12097 ,  Y10T428/12104 ,  Y10T428/12111 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据本发明的一实施形式，提供一种含金属的树脂颗粒，其特征为由含有大于等于50重量％的热固化性树脂并且具有500～14500ppm吸湿量的树脂，和在所述树脂中含有的金属微粒形成。

公开(公告)号：CN102593012B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201110007830.3

申请日：2011-01-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 青木秀夫 ,  福田昌利 ,  泽田佳奈子 ,  小盐康弘

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  B23K1/00

CPC classification number: H01L24/75 ,  H01L24/81

Abstract: 根据本发明的一实施方式的半导体装置的制造方法，在使第1焊料凸块和第2焊料凸块对位并接触后，加热至焊料凸块的熔点以上的温度而使它们熔化，从而形成第1焊料凸块和第2焊料凸块的临时连接体。将冷却后的临时连接体在还原性气氛中加热至焊料凸块的熔点以上的温度，将存在于临时连接体表面上的氧化膜除去，同时使临时连接体熔化，从而形成正式连接体。

公开(公告)号：CN104051353A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310349227.2

申请日：2013-08-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本间庄一 ,  松浦永悟 ,  志摩真也 ,  向田秀子 ,  青木秀夫

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/3511

Abstract: 本发明提供即使在TCT中也不发生破裂的可靠性高的半导体装置。该半导体装置具有：半导体芯片（1）；第一树脂（2），其使半导体芯片（1）的表面露出地埋入半导体芯片（1）；第二树脂（3），其在位于与半导体芯片（1）的表面同一面上的第一树脂（2）的面上形成；布线层（4），其形成于第二树脂（3）上且与所述半导体芯片（1）电连接；外部连接端子（5），其形成于布线层（4）上；和金属板（6），其在第一树脂（2）的与埋入有半导体芯片（1）的面相对的相反侧的面形成，其中，所述第一树脂（2）的弹性率为0.5～5GPa。

公开(公告)号：CN1316860C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200410103437.4

申请日：2004-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山口直子 ,  青木秀夫 ,  田窪知章

IPC: H05K1/09 ,  H05K3/12 ,  H01L23/12

CPC classification number: H05K3/246 ,  G03G15/6585 ,  H01L23/49883 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/095 ,  H05K3/1266 ,  H05K3/4664 ,  H05K2201/0212 ,  H05K2201/0347 ,  H05K2203/0517 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49158 ,  Y10T29/4916 ,  Y10T428/12097 ,  Y10T428/12104 ,  Y10T428/12111 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据本发明的一实施形式，提供一种含金属的树脂颗粒，其特征为由含有大于或等于50重量%的热固化性树脂并且具有以重量计500～14500ppm吸湿量的树脂，和在所述树脂中含有的金属微粒形成。

公开(公告)号：CN102543893B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201010625100.5

申请日：2010-12-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 泽田佳奈子 ,  青木秀夫 ,  小牟田直幸 ,  小木曾浩二

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/60 ,  B23K1/00 ,  B23K1/008

CPC classification number: H01L24/81

Abstract: 一种半导体器件的制造方法。在一个实施方式中，在暂时固定焊料凸点彼此而使具有第一焊料凸点的第一基板和具有第二焊料凸点的第二基板层叠之后配置到炉内。在对炉内排气以形成减压气氛之后，导入羧酸气体。使导入羧酸气体后的炉内温度上升，并且在由羧酸气体对氧化膜的还原温度以上、并且不到焊料凸点的熔融温度的温度区域内，对炉内排气以构成减压气氛。使炉内温度上升到焊料凸点的熔融温度以上的温度区域，并使第一焊料凸点和第二焊料凸点熔融而接合。

公开(公告)号：CN104051374A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310346534.5

申请日：2013-08-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 青木秀夫 ,  松浦永悟

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/427 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供一种能够更有效地对控制器处产生的热进行散热的半导体存储装置。根据本发明的实施方式的半导体存储装置包括半导体存储器和配置在半导体存储器之上的控制半导体存储器的控制器。

公开(公告)号：CN100481402C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510102531.2

申请日：2005-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 沼田英夫 ,  江泽弘和 ,  田窪知章 ,  高桥健司 ,  青木秀夫 ,  原田享 ,  金子尚史 ,  池上浩 ,  松尾美惠 ,  大村一郎

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明的半导体器件，具备：具有贯通孔的半导体基板；在上述贯通孔的内面上形成的第1绝缘树脂层；在上述半导体基板的表背面中的至少一方的面上形成的第2绝缘树脂层；以及在上述贯通孔内以至少把上述半导体基板的表背两面间连接起来的方式连续地形成，而且，已借助于上述第1绝缘树脂层与上述贯通孔的内面绝缘的第1导电体层。在第2绝缘树脂层上，可以具备已与贯通孔内的第1导电体层电连的第2导电体层(布线图形)。可以得到在贯通孔内形成、构成连接插塞等的导电体层的绝缘可靠性高，适合于多芯片封装体等的半导体器件。连接半导体基板的表背间的导电体层和绝缘层的形成性高，可以削减形成成本。